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ERW.
WE-PD SMT-Speicherdrossel
WE-PD SMT-SpeicherdrosselERWEITERT
GeschirmtL 0.47 bis 2200 µHIR 0.2 bis 14 A
ERW.
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel
WE-MXGI SMT-SpeicherdrosselERWEITERT
L 0.16 bis 15 µHRDC max. 1.7 bis 74.4 mΩ
ERW.
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel
WE-MAPI SMT-SpeicherdrosselERWEITERT
GeschirmtL 0.033 bis 47 µHIR 1 1.7 A
ERW.
WE-XHMI SMT Speicherdrossel
WE-XHMI SMT SpeicherdrosselERWEITERT
GeschirmtL 0.11 bis 33 µHIR 1 10.3 bis 16 A
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
GeschirmtL 0.13 bis 82 µHRDC 0.35 bis 34.5 mΩ
WE-LHMI SMT Speicherdrossel
WE-LHMI SMT Speicherdrossel
GeschirmtL 0.1 bis 100 µHIR 5.2 bis 24 A
NEU
WE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität
WE-PMFI Power Molded Flachdraht InduktivitätNEU
GeschirmtL 0.1 bis 4.7 µHIRP,40K 2.1 bis 16 A
WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität
WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität
GeschirmtL 0.24 bis 2.2 µHIR 2 bis 9.05 A
WE-LQS SMT-Speicherdrossel
WE-LQS SMT-Speicherdrossel
Semi GeschirmtL 0.16 bis 10000 µHIR 0.13 bis 8 A
WE-TPC SMT-Speicherdrossel
WE-TPC SMT-Speicherdrossel
GeschirmtL 0.056 bis 1500 µHIR 0.08 bis 9.6 A
WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität
WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität
GeschirmtL 0.7 bis 470 µHIR 11.2 bis 86.2 A
NEU
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität
WE-HCFT THT-HochstrominduktivitätNEU
GeschirmtL 0.6 bis 110 µHIR 17.2 bis 75 A
ERW.
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungERWEITERT
GeschirmtL1 70 bis 200 nHIRP,1 78 A
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität
GeschirmtL 0.025 bis 1.5 µHIR 23 bis 70 A
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor
Semi GeschirmtL 0.47 bis 10 µHIR 0.58 bis 4.5 A
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel
GeschirmtL 1 bis 470 µHIR 0.26 bis 4.47 A
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
GeschirmtL 0.22 bis 10 µHIR 1 11.5 bis 27 A
WE-HEPC SMT Power Induktivität
WE-HEPC SMT Power Induktivität
GeschirmtL 3.3 bis 100 µHIR 0.5 bis 2 A
WE-SPC SMT-Speicherdrossel
WE-SPC SMT-Speicherdrossel
GeschirmtL 0.22 bis 100 µHIR 0.4 bis 5.3 A
WE-PD2SR SMT-Speicherdrossel
WE-PD2SR SMT-Speicherdrossel
GeschirmtL 1.2 bis 220 µHIR 0.67 bis 4.85 A
WE-PD3 SMT-Speicherdrossel
WE-PD3 SMT-Speicherdrossel
GeschirmtL 1 bis 1000 µHIR 0.19 bis 3.9 A
WE-PDF SMT-Speicherdrossel
WE-PDF SMT-Speicherdrossel
GeschirmtL 0.22 bis 27 µHIR 4.3 bis 19 A
WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität
WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität
GeschirmtL 0.22 bis 10 µHIR 1 450 bis 2000 mA
WE-HIDA THT-Hochstrominduktivität
WE-HIDA THT-Hochstrominduktivität
Digital AudioL 8.2 bis 22 µHIR 5.7 bis 19 A
WE-LHMD SMT-Hochstrominduktivität
WE-LHMD SMT-Hochstrominduktivität
Digital AudioL 8.2 bis 22 µHIR 2 bis 7 A
WE-TIS Tonneninduktivität
WE-TIS Tonneninduktivität
GeschirmtL 1 bis 8200 µHIR 0.1 bis 10.5 A
WE-SI Speicherdrossel
WE-SI Speicherdrossel
GeschirmtL 12 bis 1619 µHIR 1.1 bis 14.5 A
WE-FAMI THT Speicherdrossel
WE-FAMI THT Speicherdrossel
GeschirmtL 3 bis 22 µHIR 3.7 bis 14.5 A
Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
RDC(mΩ)
Material
fres(MHz)
Montageart
Produktserie
Design Kit
Muster
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.025 µH, 27 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.025 µH
Nennstrom27 A
Gleichstromwiderstand0.27 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz180 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.03 µH, 27 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.03 µH
Nennstrom27 A
Gleichstromwiderstand0.27 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz170 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.033 µH, 18.4 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.033 µH
Nennstrom18.4 A
Gleichstromwiderstand1.1 mΩ
Eigenresonanzfrequenz682 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.055 µH, 27 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.055 µH
Nennstrom27 A
Gleichstromwiderstand0.27 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz123 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.056 µH, 4.5 A, 6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.056 µH
Nennstrom4.5 A
Sättigungsstrom6 A
Gleichstromwiderstand15 mΩ
Eigenresonanzfrequenz2000 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.06 µH, 37 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.06 µH
Nennstrom37 A
Gleichstromwiderstand0.22 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz124 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.068 µH, 4.5 A, 5.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.068 µH
Nennstrom4.5 A
Sättigungsstrom5.5 A
Gleichstromwiderstand15 mΩ
Eigenresonanzfrequenz1000 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.068 µH, 15.5 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.068 µH
Nennstrom15.5 A
Gleichstromwiderstand1.9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz374 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.07 µH, 37 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.07 µH
Nennstrom37 A
Gleichstromwiderstand0.125 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz149 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.07 µH, 29 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.07 µH
Nennstrom29 A
Gleichstromwiderstand0.38 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.07 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.07 µH
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.07 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.07 µH
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.072 µH, 30 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.072 µH
Nennstrom30 A
Gleichstromwiderstand0.235 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz150 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.075 µH, 27 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.075 µH
Nennstrom27 A
Gleichstromwiderstand0.27 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz106 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.08 µH, 37 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.08 µH
Nennstrom37 A
Gleichstromwiderstand0.22 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz94 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.1 µH, 37 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Nennstrom37 A
Gleichstromwiderstand0.125 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.1 µH, 38 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Nennstrom38 A
Gleichstromwiderstand0.29 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.1 µH, 60 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Nennstrom60 A
Gleichstromwiderstand0.18 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz94 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.1 µH, 70 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Nennstrom70 A
Gleichstromwiderstand0.114 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz90 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.1 µH, 24 A, 52 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Nennstrom24 A
Sättigungsstrom52 A
Gleichstromwiderstand0.182 mΩ
Gleichstromwiderstand0.17 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz105 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.1 µH, 31 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Nennstrom31 A
Gleichstromwiderstand0.28 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz87 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.1 µH, 29 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Nennstrom29 A
Gleichstromwiderstand0.38 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz69 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.1 µH, 27 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Nennstrom27 A
Gleichstromwiderstand0.31 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz83 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.1 µH, 37 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Nennstrom37 A
Gleichstromwiderstand0.22 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz74 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.1 µH, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Gleichstromwiderstand5.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz365 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.1 µH, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Gleichstromwiderstand4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz323 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.1 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.1 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Gleichstromwiderstand9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz325 MHz
MontageartSMD/SMT Soldering 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.1 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Gleichstromwiderstand7.8 mΩ
Eigenresonanzfrequenz438 MHz
MontageartSMD/SMT Soldering 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.1 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Gleichstromwiderstand9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz405 MHz
MontageartSMD/SMT Soldering 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.1 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Gleichstromwiderstand5.1 mΩ
Eigenresonanzfrequenz310 MHz
MontageartSMD/SMT Soldering 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.105 µH, 30 A, 45 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.105 µH
Nennstrom30 A
Sättigungsstrom45 A
Gleichstromwiderstand0.235 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.105 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.105 µH
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.11 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.11 µH
Gleichstromwiderstand2.44 mΩ
Eigenresonanzfrequenz295 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.12 µH, 37 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.12 µH
Nennstrom37 A
Gleichstromwiderstand0.125 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz75 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.12 µH, 31 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.12 µH
Nennstrom31 A
Gleichstromwiderstand0.325 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz150 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.12 µH, 38 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.12 µH
Nennstrom38 A
Gleichstromwiderstand0.29 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz74 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.12 µH, 60 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.12 µH
Nennstrom60 A
Gleichstromwiderstand0.18 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.12 µH, 70 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.12 µH
Nennstrom70 A
Gleichstromwiderstand0.114 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz64 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.12 µH, 26 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.12 µH
Nennstrom26 A
Gleichstromwiderstand0.7 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz120 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.12 µH, 47.5 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.12 µH
Nennstrom47.5 A
Gleichstromwiderstand0.165 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz65 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.12 µH, 31 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.12 µH
Nennstrom31 A
Gleichstromwiderstand0.28 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.12 µH, 26 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.12 µH
Nennstrom26 A
Gleichstromwiderstand0.29 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz66 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.12 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.12 µH
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.12 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.12 µH
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.13 µH, 31 A, 22.1 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.13 µH
Nennstrom31 A
Sättigungsstrom22.1 A
Gleichstromwiderstand1.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz189 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.13 µH, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.13 µH
Gleichstromwiderstand1.001 mΩ
Gleichstromwiderstand0.91 mΩ
MaterialSuperflux 
Eigenresonanzfrequenz400 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.15 µH, 3 A, 3.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom3.6 A
Gleichstromwiderstand25 mΩ
Eigenresonanzfrequenz800 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.15 µH, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Gleichstromwiderstand0.638 mΩ
Gleichstromwiderstand0.58 mΩ
MaterialWE-PERM 
Eigenresonanzfrequenz275 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.15 µH, 37 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Nennstrom37 A
Gleichstromwiderstand0.125 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.15 µH, 25 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Nennstrom25 A
Gleichstromwiderstand0.37 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.15 µH, 38 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Nennstrom38 A
Gleichstromwiderstand0.29 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.15 µH, 60 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Nennstrom60 A
Gleichstromwiderstand0.18 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz63 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.15 µH, 65 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Nennstrom65 A
Gleichstromwiderstand0.15 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz56 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.15 µH, 70 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Nennstrom70 A
Gleichstromwiderstand0.114 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz52 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.15 µH, 31 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Nennstrom31 A
Gleichstromwiderstand0.28 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz84 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.15 µH, 30 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Nennstrom30 A
Gleichstromwiderstand0.235 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.15 µH, 37 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Nennstrom37 A
Gleichstromwiderstand0.22 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz51 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.15 µH, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Gleichstromwiderstand1.49 mΩ
Gleichstromwiderstand1.24 mΩ
Eigenresonanzfrequenz191 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.15 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.15 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.15 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Gleichstromwiderstand1.2 mΩ
Eigenresonanzfrequenz160 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.155 µH, 31 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.155 µH
Nennstrom31 A
Gleichstromwiderstand0.325 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz110 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.16 µH, 3 A, 4.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.16 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom4.9 A
Gleichstromwiderstand25 mΩ
Eigenresonanzfrequenz540 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.16 µH, 3.7 A, 7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.16 µH
Nennstrom3.7 A
Sättigungsstrom7 A
Gleichstromwiderstand16 mΩ
Eigenresonanzfrequenz644 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.16 µH, 3.8 A, 3.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.16 µH
Nennstrom3.8 A
Sättigungsstrom3.9 A
Gleichstromwiderstand21 mΩ
Eigenresonanzfrequenz800 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.16 µH, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.16 µH
Gleichstromwiderstand0.561 mΩ
Gleichstromwiderstand0.51 mΩ
MaterialSuperflux 
Eigenresonanzfrequenz400 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.16 µH, 24 A, 32 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.16 µH
Nennstrom24 A
Sättigungsstrom32 A
Gleichstromwiderstand0.182 mΩ
Gleichstromwiderstand0.17 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.16 µH, 26 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.16 µH
Nennstrom26 A
Gleichstromwiderstand0.7 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz113 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.16 µH, 26 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.16 µH
Nennstrom26 A
Gleichstromwiderstand0.29 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.16 µH, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.16 µH
Gleichstromwiderstand3.13 mΩ
Eigenresonanzfrequenz190 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.16 µH, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.16 µH
Gleichstromwiderstand2.75 mΩ
Eigenresonanzfrequenz195 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.16 µH, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.16 µH
Gleichstromwiderstand1.7 mΩ
Eigenresonanzfrequenz197 MHz
MontageartSMD/SMT Soldering 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.17 µH, 60 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.17 µH
Nennstrom60 A
Gleichstromwiderstand0.18 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz56 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.18 µH, 8.5 A, 9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.18 µH
Nennstrom8.5 A
Sättigungsstrom9 A
Gleichstromwiderstand4.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz600 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.18 µH, 38 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.18 µH
Nennstrom38 A
Gleichstromwiderstand0.29 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz52 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.18 µH, 60 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.18 µH
Nennstrom60 A
Gleichstromwiderstand0.18 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz53 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.18 µH, 65 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.18 µH
Nennstrom65 A
Gleichstromwiderstand0.15 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz47 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.18 µH, 31 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.18 µH
Nennstrom31 A
Gleichstromwiderstand0.28 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz63 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.18 µH, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.18 µH
Gleichstromwiderstand1.45 mΩ
Gleichstromwiderstand1.32 mΩ
Eigenresonanzfrequenz169 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.18 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.18 µH
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.19 µH, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.19 µH
Gleichstromwiderstand0.55 mΩ
Gleichstromwiderstand0.5 mΩ
MaterialWE-PERM 
Eigenresonanzfrequenz225 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.2 µH, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.2 µH
Gleichstromwiderstand0.902 mΩ
Gleichstromwiderstand0.82 mΩ
MaterialSuperflux 
Eigenresonanzfrequenz216 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.2 µH, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.2 µH
Gleichstromwiderstand407 mΩ
Gleichstromwiderstand0.35 mΩ
MaterialWE-PERM 
Eigenresonanzfrequenz230 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.2 µH, 25 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.2 µH
Nennstrom25 A
Gleichstromwiderstand0.321 mΩ
Gleichstromwiderstand0.26 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz51 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.2 µH, 25 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.2 µH
Nennstrom25 A
Gleichstromwiderstand0.37 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.2 µH, –, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.2 µH
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.22 µH, –, 1.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Sättigungsstrom1.3 A
Gleichstromwiderstand150 mΩ
Gleichstromwiderstand120 mΩ
Eigenresonanzfrequenz250 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.22 µH, 5.5 A, 7.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nennstrom5.5 A
Sättigungsstrom7.5 A
Gleichstromwiderstand14 mΩ
Eigenresonanzfrequenz400 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.22 µH, 4.5 A, 9.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nennstrom4.5 A
Sättigungsstrom9.5 A
Gleichstromwiderstand15 mΩ
Eigenresonanzfrequenz230 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.22 µH, 5.3 A, 13.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nennstrom5.3 A
Sättigungsstrom13.5 A
Gleichstromwiderstand14.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz220 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.22 µH, 5 A, 13 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nennstrom5 A
Sättigungsstrom13 A
Gleichstromwiderstand14 mΩ
Eigenresonanzfrequenz250 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.22 µH, 16 A, 32 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nennstrom16 A
Sättigungsstrom32 A
Gleichstromwiderstand3.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz328 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.22 µH, 19 A, 20 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nennstrom19 A
Sättigungsstrom20 A
Gleichstromwiderstand1.95 mΩ
Eigenresonanzfrequenz337 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.22 µH, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Gleichstromwiderstand1.375 mΩ
Gleichstromwiderstand1.25 mΩ
MaterialSuperflux 
Eigenresonanzfrequenz507 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.22 µH, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Gleichstromwiderstand1.1 mΩ
Gleichstromwiderstand1.1 mΩ
MaterialSuperflux 
Eigenresonanzfrequenz290 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.22 µH, 21.5 A, 60 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nennstrom21.5 A
Sättigungsstrom60 A
Gleichstromwiderstand1.6 mΩ
MaterialFerrite 
Eigenresonanzfrequenz300 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.22 µH, 27 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nennstrom27 A
Gleichstromwiderstand1.5 mΩ
MaterialFerrite 
Eigenresonanzfrequenz280 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.22 µH, 27 A, 85 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nennstrom27 A
Sättigungsstrom85 A
Gleichstromwiderstand1.5 mΩ
MaterialEisenpulver 
Eigenresonanzfrequenz210 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität0.22 µH, 31 A, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nennstrom31 A
Gleichstromwiderstand0.325 mΩ
MaterialMnZn 
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MontageartSMT 
Design Kit

Rated Current

Dieser Wert beschreibt den Gleichstrom, bei dem die Eigenerwärmung des Bauteils um 40 Kelvin zunimmt. ∆T = 40K

Die Methode, die Würth Elektronik zur Messung des Nennstroms (Rated Current) verwendet, basiert auf Abschnitt 6 der Norm IEC 62024-2:2020, um transparente und vergleichbare IR-Werte zu erhalten. Eine Testplatine mit einer aufgelöteten Speicherinduktivität befindet sich in einer Box mit einer Seitenlänge von etwa 40 cm. Das Bauteil und die Platine haben keinen direkten Kontakt mit der umgebenden Box. Es findet nur ein natürlicher Wärmeaustausch statt, ohne dass die Testleiterplatte einer erzwungenen Wärmeübertragung, wie z. B. durch einen Luftstrom, ausgesetzt ist.

Es gibt mehrere Methoden die Temperatur zu messen. Würth Elekronik hat sich entschieden eine Infrarotkamera zu verwenden, um den heißesten Bereich des Bauteils zuverlässig detektieren und messen zu können.

Um Messfehler wie z. B. Reflexionen zu eliminieren, wird die Testplatine mit einer schwarzen Beschichtung entsprechend vorbereitet.

Zur Ermittlung der oben genannten 40 K Eigenerwärmung wird der Strom, der durch das Bauteil fließt, schrittweise erhöht. Die Temperatur gilt als eingeschwungen, sobald sich die Erwärmung bei einem Stromschritt auf weniger als 1 K pro Minute reduziert hat. Die Dauer, bis sich die Temperatur eingeschwungen hat, ist ebenfalls vom Volumen und der Materialzusammensetzung der Induktivität abhängig.

Die Grafik zeigt, wie die Nennstrommessung eingerichtet wird

Einfluss von Leiterbahnbreiten auf den Rated Current

Die Eigenerwärmung der Speicherinduktivität wird durch die Abmessungen der Leiterbahnen beeinflusst, auf der sie aufgelötet ist.

Ein kleiner Leiterbahnquerschnitt kann Wärme schlechter transportieren. Die Speicherinduktivität kann somit die Erwärmung durch den Strom nur über die Luft ableiten. Die Eigenerwärmung von 40 K wird schon bei niedrigem Strom erreicht.

Eine größere Querschnittsfläche verringert den Wärmewiderstand. Breite Leiterbahnen mit einer großen Kupferfläche erhöhen den Wärmefluss, wodurch die Induktivität die Eigenerwärmung besser über die Leiterbahnen ableiten kann. Das Bauteil kann mit höheren Strömen betrieben werden, da die Eigenerwärmung von 40 K erst bei einem höheren Strom erreicht wird.

Die Grafik zeigt ein Leiterplattenlayout mit Legende

Rated Current & Performance Rated Current

Tabelle mit unterschiedlichen elektrischen Merkmalen und Werten

In Datenblättern ist der Rated Current und Performance Rated Current spezifiziert.

Der Rated Current wird ohne die im IEC-Standard definierten Testbedingungen erfasst.

Der Performance Rated Current hingegen verwendet die im IEC-Standard spezifizierten Testbedingungen.

Technische Grafik, die die WE Erbe Platine gegenüberstellt

Aufgrund der Bandbreite an Baugrößen und Konstruktionen des Würth Elektronik Produkt line-up werden verschiedene PCB Layouts benutzt um den Nennstrom zu messen. 

Der im Datenblatt aufgeführte Rated Current wir mit der WE legacy Platine gemessen.

Bei dem Performance Rated Current werden die Iclass Platinen verwendet.

Das Diagramm zeigt die Temperaturerhöhung, den Strom und die Induktivität in einer Abhängigkeit

IR = WE-LHMI gemessen auf einer WE legacy PCB ,
IRP = LHMI gemessen auf einer Iclass C PCB,
5 mm = WE-LHMI gemessen auf 5 mm Leiterbahnen,
FC: Forced Convection / mit aktiver Belüftung

Verschiedene Platinenlayouts und erzwungener Wärmeaustausch beinflussen den Nennstrom.

Fehlende Transparenz auf dem Markt über die Testbedingungen macht es schwierig unterschiedliche Nennstromwerte zu vergleichen.

Dieses Problem umgeht Würth Elektronik durch Verwendung des IEC Standards.

Rated Current Calculator in REDEXPERT

Rated Current Calculator in REDEXPERT

Zur Bestimmung des Nennstroms für Bauteile, die auf unterschiedlich großen Leiterbahnbreiten gemessen werden, hat Würth Elektronik jetzt über REDEXPERT einen Nennstromrechner online gestellt, bei dem der Benutzer die gewünschten Leiterbahnabmessungen eingeben kann.

Vorschaubild Rated Current Calculator REDEXPERT

Zusätzliche Informationen Speicherinduktivität

Speicheranwendungen Leistungsindikatoren

Mit unserem Filter Applications Guide können Sie sich schnell und einfach einen Überblick über die verschiedenen Strimbereiche, Montagearten und Matchcodes verschaffen und schnell das richtige Bauteil für Ihre Anwendung auswählen.

Produktbild Single Coil Inductors

Erfahren Sie mehr über Kernmaterialien, Wicklungsarten, Montagearten und Schirmungstypen von Speicherinduktivitäten

Image Rated Current Measurements for Power Inductors

Würth Elektronik nutzt transparente Messverfahren gemäß Abschnitt 6 der Norm IEC 62024-2:2020, um den Nennstrom (Ir) bei Temperaturanstieg von Leistungsinduktoren zu bestimmen. Auf einer 20 cm großen Testplatine in einer Box erfolgt eine natürliche Konvektion, ohne direkten Kontakt zur Box. Anstelle eines Thermoelements kommt eine Infrarotkamera zum Einsatz, um Messfehler zu vermeiden und die heißeste externe Stelle des Kerns zu erfassen. Die Temperatur stabilisiert sich beim Stromdurchfluss mit weniger als 1 °C pro Minute.