74408053003
3.3 µH, ±25%, 2 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Induktivität ±25%
Nennstrom 2 A
Sättigungsstrom 1 2.3 A
Gleichstromwiderstand 75 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 100 MHz
74408063004
4.7 µH, ±20%, 2 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Induktivität ±20%
Nennstrom 2 A
Sättigungsstrom 1 2.5 A
Gleichstromwiderstand 90 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 75 MHz
74408053004
4.7 µH, ±20%, 1.4 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Induktivität ±20%
Nennstrom 1.4 A
Sättigungsstrom 1 2.1 A
Gleichstromwiderstand 100 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 85 MHz
74408063006
6.8 µH, ±20%, 1.8 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Induktivität ±20%
Nennstrom 1.8 A
Sättigungsstrom 1 2.2 A
Gleichstromwiderstand 100 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 40 MHz
74408053006
6.8 µH, ±20%, 1.3 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Induktivität ±20%
Nennstrom 1.3 A
Sättigungsstrom 1 2 A
Gleichstromwiderstand 125 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 60 MHz
74408063100
10 µH, ±20%, 1.35 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Induktivität ±20%
Nennstrom 1.35 A
Sättigungsstrom 1 1.6 A
Gleichstromwiderstand 140 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 27 MHz
74408053100
10 µH, ±20%, 1.2 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Induktivität ±20%
Nennstrom 1.2 A
Sättigungsstrom 1 1.3 A
Gleichstromwiderstand 140 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 37 MHz
74408063150
15 µH, ±20%, 1.2 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Induktivität ±20%
Nennstrom 1.2 A
Sättigungsstrom 1 1.4 A
Gleichstromwiderstand 180 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 20 MHz
74408053150
15 µH, ±20%, 1.1 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Induktivität ±20%
Nennstrom 1.1 A
Sättigungsstrom 1 1.2 A
Gleichstromwiderstand 200 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 22 MHz
74408063220
22 µH, ±20%, 1 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Induktivität ±20%
Nennstrom 1 A
Sättigungsstrom 1 1.1 A
Gleichstromwiderstand 220 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 18 MHz
74408053220
22 µH, ±20%, 0.9 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Induktivität ±20%
Nennstrom 0.9 A
Sättigungsstrom 1 0.8 A
Gleichstromwiderstand 270 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 20 MHz
74408053330
33 µH, ±20%, 0.8 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Induktivität ±20%
Nennstrom 0.8 A
Sättigungsstrom 1 0.7 A
Gleichstromwiderstand 415 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 15 MHz
74408063330
33 µH, ±20%, 0.9 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Induktivität ±20%
Nennstrom 0.9 A
Sättigungsstrom 1 0.9 A
Gleichstromwiderstand 285 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 15 MHz
74408063470
47 µH, ±20%, 0.8 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Induktivität ±20%
Nennstrom 0.8 A
Sättigungsstrom 1 0.8 A
Gleichstromwiderstand 385 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 11 MHz
74408063680
68 µH, ±20%, 0.6 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 68 µH
Induktivität ±20%
Nennstrom 0.6 A
Sättigungsstrom 1 0.7 A
Gleichstromwiderstand 535 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 9 MHz
74408063101
100 µH, ±20%, 0.5 A Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Induktivität ±20%
Nennstrom 0.5 A
Sättigungsstrom 1 0.5 A
Gleichstromwiderstand 850 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 8 MHz
