Design Kit SMT-Speicherdrossel WE-MXGI

ERWEITERT

Artikel Nr. 7443841

Anwendung

  • DC/DC-Wandler für Hochstromversorgungen
  • DC/DC-Wandler für Field Programmable Gate Array (FPGA)
  • POL-Wandler
  • Tragbare Stromversorgung wie PDA, Digitalkamera
  • Mainboards/Grafikkarten
  • Batteriebetriebene Geräte
  • Drahtlose Kommunikationsgeräte
  • Stromversorgungen für Smartphones, Tablet-PCs und andere mobile Geräte
  • Hochfrequenzanwendungen (GaN und SiC)

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Status
Produktserie
L(µH)
ISAT,30%(A)
Bauform
IRP,40K(A)
Muster
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 0.16 µH, 27.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.16 µH
Sättigungsstrom @ 30%27.9 A
Bauform4020 
Performance Nennstrom24.2 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 0.22 µH, 25.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Sättigungsstrom @ 30%25.4 A
Bauform5030 
Performance Nennstrom28.1 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 0.3 µH, 17.6 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.3 µH
Sättigungsstrom @ 30%17.6 A
Bauform4020 
Performance Nennstrom23.2 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 0.4 µH, 14.8 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.4 µH
Sättigungsstrom @ 30%14.8 A
Bauform4020 
Performance Nennstrom16.9 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 20 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Sättigungsstrom @ 30%20 A
Bauform5030 
Performance Nennstrom23 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 0.6 µH, 21.2 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.6 µH
Sättigungsstrom @ 30%21.2 A
Bauform5030 
Performance Nennstrom21.5 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 0.65 µH, 12.6 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.65 µH
Sättigungsstrom @ 30%12.6 A
Bauform4020 
Performance Nennstrom15.2 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 0.82 µH, 16.7 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.82 µH
Sättigungsstrom @ 30%16.7 A
Bauform5030 
Performance Nennstrom19 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 9.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Sättigungsstrom @ 30%9.8 A
Bauform4020 
Performance Nennstrom12.1 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 14.3 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Sättigungsstrom @ 30%14.3 A
Bauform5030 
Performance Nennstrom15.8 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 8.8 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Sättigungsstrom @ 30%8.8 A
Bauform4020 
Performance Nennstrom11 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 14.3 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Sättigungsstrom @ 30%14.3 A
Bauform5030 
Performance Nennstrom17.2 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 8.4 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Sättigungsstrom @ 30%8.4 A
Bauform4020 
Performance Nennstrom10.3 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 12.3 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Sättigungsstrom @ 30%12.3 A
Bauform5030 
Performance Nennstrom14.9 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 1.8 µH, 7.1 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Sättigungsstrom @ 30%7.1 A
Bauform4020 
Performance Nennstrom9.5 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 10.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Sättigungsstrom @ 30%10.5 A
Bauform5030 
Performance Nennstrom12.4 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 5.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Sättigungsstrom @ 30%5.8 A
Bauform4020 
Performance Nennstrom7.8 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 8.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Sättigungsstrom @ 30%8.2 A
Bauform5030 
Performance Nennstrom10 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 5.3 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Sättigungsstrom @ 30%5.3 A
Bauform4020 
Performance Nennstrom6.1 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 5.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Sättigungsstrom @ 30%5.7 A
Bauform4020 
Performance Nennstrom5.2 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 7.7 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Sättigungsstrom @ 30%7.7 A
Bauform5030 
Performance Nennstrom8.2 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 5.6 µH, 6.8 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 µH
Sättigungsstrom @ 30%6.8 A
Bauform5030 
Performance Nennstrom7.1 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 6.8 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Sättigungsstrom @ 30%6.8 A
Bauform5030 
Performance Nennstrom6.5 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 5.9 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Sättigungsstrom @ 30%5.9 A
Bauform5030 
Performance Nennstrom6.1 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 5.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Sättigungsstrom @ 30%5.4 A
Bauform5030 
Performance Nennstrom5.5 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 12 µH, 4.9 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 µH
Sättigungsstrom @ 30%4.9 A
Bauform5030 
Performance Nennstrom5 A
WE-MXGI SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 4.3 A
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Sättigungsstrom @ 30%4.3 A
Bauform5030 
Performance Nennstrom4.5 A