Design Kit WE-HCI SMT-Speicherdrosseln 1335/1350/1365
Artikel Nr. 744356
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- Grafikkarten
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Artikel Nr.
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Status
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Produktserie
|
L
(µH)
|
RDC
(mΩ)
|
Bauform
|
Muster
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.19 µH, 0.5 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
0.19 µH
|
Gleichstromwiderstand
0.5 mΩ
|
Bauform
1350
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.2 µH, 0.35 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
0.2 µH
|
Gleichstromwiderstand
0.35 mΩ
|
Bauform
1365
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.25 µH, 0.75 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
0.25 µH
|
Gleichstromwiderstand
0.75 mΩ
|
Bauform
1335
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, 0.9 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
0.47 µH
|
Gleichstromwiderstand
0.9 mΩ
|
Bauform
1350
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, 0.67 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
0.47 µH
|
Gleichstromwiderstand
0.67 mΩ
|
Bauform
1365
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, 1.58 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
0.68 µH
|
Gleichstromwiderstand
1.58 mΩ
|
Bauform
1335
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.82 µH, 0.9 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
0.82 µH
|
Gleichstromwiderstand
0.9 mΩ
|
Bauform
1365
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.9 µH, 1.6 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
0.9 µH
|
Gleichstromwiderstand
1.6 mΩ
|
Bauform
1350
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.2 µH, 2.85 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
1.2 µH
|
Gleichstromwiderstand
2.85 mΩ
|
Bauform
1335
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.3 µH, 1.8 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
1.3 µH
|
Gleichstromwiderstand
1.8 mΩ
|
Bauform
1365
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.4 µH, 2.4 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
1.4 µH
|
Gleichstromwiderstand
2.4 mΩ
|
Bauform
1350
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.8 µH, 5.6 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
1.8 µH
|
Gleichstromwiderstand
5.6 mΩ
|
Bauform
1335
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, 2.6 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
2 µH
|
Gleichstromwiderstand
2.6 mΩ
|
Bauform
1365
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 5.7 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
2.2 µH
|
Gleichstromwiderstand
5.7 mΩ
|
Bauform
1335
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.3 µH, 3.7 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
2.3 µH
|
Gleichstromwiderstand
3.7 mΩ
|
Bauform
1350
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.8 µH, 3.3 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
2.8 µH
|
Gleichstromwiderstand
3.3 mΩ
|
Bauform
1365
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.2 µH, 5.3 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
3.2 µH
|
Gleichstromwiderstand
5.3 mΩ
|
Bauform
1350
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 8.1 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
3.3 µH
|
Gleichstromwiderstand
8.1 mΩ
|
Bauform
1335
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.7 µH, 4.9 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
3.7 µH
|
Gleichstromwiderstand
4.9 mΩ
|
Bauform
1365
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 7 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
4.7 µH
|
Gleichstromwiderstand
7 mΩ
|
Bauform
1365
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.8 µH, 10.5 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
4.8 µH
|
Gleichstromwiderstand
10.5 mΩ
|
Bauform
1350
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 6 µH, 13.5 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
6 µH
|
Gleichstromwiderstand
13.5 mΩ
|
Bauform
1350
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 6 µH, 8.4 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
6 µH
|
Gleichstromwiderstand
8.4 mΩ
|
Bauform
1365
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 7.3 µH, 5.9 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
7.3 µH
|
Gleichstromwiderstand
5.9 mΩ
|
Bauform
1365
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 8.2 µH, 11.6 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
8.2 µH
|
Gleichstromwiderstand
11.6 mΩ
|
Bauform
1350
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 9.2 µH, 7.8 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
9.2 µH
|
Gleichstromwiderstand
7.8 mΩ
|
Bauform
1365
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 14.1 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
10 µH
|
Gleichstromwiderstand
14.1 mΩ
|
Bauform
1350
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 11.3 µH, 9.1 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
11.3 µH
|
Gleichstromwiderstand
9.1 mΩ
|
Bauform
1365
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 13 µH, 11.2 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
13 µH
|
Gleichstromwiderstand
11.2 mΩ
|
Bauform
1365
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 15.4 µH, 14.8 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
15.4 µH
|
Gleichstromwiderstand
14.8 mΩ
|
Bauform
1365
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 18 µH, 22 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
18 µH
|
Gleichstromwiderstand
22 mΩ
|
Bauform
1365
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 22 µH, 24.7 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
22 µH
|
Gleichstromwiderstand
24.7 mΩ
|
Bauform
1365
|
|
|||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 33 µH, 30.5 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
|
Induktivität
33 µH
|
Gleichstromwiderstand
30.5 mΩ
|
Bauform
1365
|
|