Design Kit WE-HCI SMT-Speicherdrosseln 1335/1350/1365

Artikel Nr. 744356

Anwendung

  • Grafikkarten
  • Laptops
  • Industriecomputer
  • Mainboards
  • Hochtemperaturanwendungen
  • DC/DC-Wandler
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L (µH)
RDC (mΩ)
Bauform
Muster
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.19 µH, 0.5 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.19 µH
Gleichstromwiderstand 0.5 mΩ
Bauform 1350 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.2 µH, 0.35 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.2 µH
Gleichstromwiderstand 0.35 mΩ
Bauform 1365 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.25 µH, 0.75 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.25 µH
Gleichstromwiderstand 0.75 mΩ
Bauform 1335 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, 0.9 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.47 µH
Gleichstromwiderstand 0.9 mΩ
Bauform 1350 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, 0.67 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.47 µH
Gleichstromwiderstand 0.67 mΩ
Bauform 1365 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, 1.58 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.68 µH
Gleichstromwiderstand 1.58 mΩ
Bauform 1335 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.82 µH, 0.9 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.82 µH
Gleichstromwiderstand 0.9 mΩ
Bauform 1365 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.9 µH, 1.6 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.9 µH
Gleichstromwiderstand 1.6 mΩ
Bauform 1350 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.2 µH, 2.85 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 µH
Gleichstromwiderstand 2.85 mΩ
Bauform 1335 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.3 µH, 1.8 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.3 µH
Gleichstromwiderstand 1.8 mΩ
Bauform 1365 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.4 µH, 2.4 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.4 µH
Gleichstromwiderstand 2.4 mΩ
Bauform 1350 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.8 µH, 5.6 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.8 µH
Gleichstromwiderstand 5.6 mΩ
Bauform 1335 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, 2.6 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2 µH
Gleichstromwiderstand 2.6 mΩ
Bauform 1365 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 5.7 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Gleichstromwiderstand 5.7 mΩ
Bauform 1335 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.3 µH, 3.7 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.3 µH
Gleichstromwiderstand 3.7 mΩ
Bauform 1350 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.8 µH, 3.3 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.8 µH
Gleichstromwiderstand 3.3 mΩ
Bauform 1365 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.2 µH, 5.3 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.2 µH
Gleichstromwiderstand 5.3 mΩ
Bauform 1350 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 8.1 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Gleichstromwiderstand 8.1 mΩ
Bauform 1335 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.7 µH, 4.9 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.7 µH
Gleichstromwiderstand 4.9 mΩ
Bauform 1365 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 7 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Gleichstromwiderstand 7 mΩ
Bauform 1365 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.8 µH, 10.5 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.8 µH
Gleichstromwiderstand 10.5 mΩ
Bauform 1350 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 6 µH, 13.5 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6 µH
Gleichstromwiderstand 13.5 mΩ
Bauform 1350 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 6 µH, 8.4 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6 µH
Gleichstromwiderstand 8.4 mΩ
Bauform 1365 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 7.3 µH, 5.9 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 7.3 µH
Gleichstromwiderstand 5.9 mΩ
Bauform 1365 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 8.2 µH, 11.6 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Gleichstromwiderstand 11.6 mΩ
Bauform 1350 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 9.2 µH, 7.8 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 9.2 µH
Gleichstromwiderstand 7.8 mΩ
Bauform 1365 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 14.1 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Gleichstromwiderstand 14.1 mΩ
Bauform 1350 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 11.3 µH, 9.1 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11.3 µH
Gleichstromwiderstand 9.1 mΩ
Bauform 1365 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 13 µH, 11.2 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13 µH
Gleichstromwiderstand 11.2 mΩ
Bauform 1365 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 15.4 µH, 14.8 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15.4 µH
Gleichstromwiderstand 14.8 mΩ
Bauform 1365 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 18 µH, 22 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18 µH
Gleichstromwiderstand 22 mΩ
Bauform 1365 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 22 µH, 24.7 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Gleichstromwiderstand 24.7 mΩ
Bauform 1365 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 33 µH, 30.5 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Gleichstromwiderstand 30.5 mΩ
Bauform 1365