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L (µH)
IR (A)
ISAT (A)
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Muster
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 0.22 µH, 4.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.22 µH
Nennstrom 4.5 A
Sättigungsstrom 9.5 A
Bauform 4818 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 0.22 µH, 5.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.22 µH
Nennstrom 5.3 A
Sättigungsstrom 13.5 A
Bauform 4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 0.22 µH, 5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.22 µH
Nennstrom 5 A
Sättigungsstrom 13 A
Bauform 4838 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 0.56 µH, 4.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.56 µH
Nennstrom 4.1 A
Sättigungsstrom 8.3 A
Bauform 4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 0.56 µH, 3.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.56 µH
Nennstrom 3.8 A
Sättigungsstrom 8.1 A
Bauform 4838 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 0.68 µH, 3.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.68 µH
Nennstrom 3.4 A
Sättigungsstrom 6.5 A
Bauform 4818 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 3 A
Sättigungsstrom 5.4 A
Bauform 4818 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 3.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 3.3 A
Sättigungsstrom 6.5 A
Bauform 4838 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 3.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 µH
Nennstrom 3.2 A
Sättigungsstrom 5.5 A
Bauform 4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 2.1 A
Sättigungsstrom 3.6 A
Bauform 4818 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 2.5 A
Sättigungsstrom 4 A
Bauform 4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 3 A
Sättigungsstrom 4.6 A
Bauform 4838 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 2.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 2.1 A
Sättigungsstrom 3.5 A
Bauform 4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 2.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 2.6 A
Sättigungsstrom 3.6 A
Bauform 4838 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 3.5 µH, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.5 µH
Nennstrom 1.5 A
Sättigungsstrom 2.8 A
Bauform 4818 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.55 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 1.55 A
Sättigungsstrom 2.9 A
Bauform 4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 2.2 A
Sättigungsstrom 3.2 A
Bauform 4838 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 1.1 A
Sättigungsstrom 2.1 A
Bauform 4818 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 0.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 0.9 A
Sättigungsstrom 1.6 A
Bauform 4818 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.38 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 1.38 A
Sättigungsstrom 2.1 A
Bauform 4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.65 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 1.65 A
Sättigungsstrom 2.1 A
Bauform 4838 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 1.1 A
Sättigungsstrom 1.6 A
Bauform 4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 0.65 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 0.65 A
Sättigungsstrom 1.1 A
Bauform 4818 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 0.85 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 0.85 A
Sättigungsstrom 1.3 A
Bauform 4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 1.1 A
Sättigungsstrom 1.4 A
Bauform 4838 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 0.45 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Nennstrom 0.45 A
Sättigungsstrom 0.9 A
Bauform 4818 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 0.75 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Nennstrom 0.75 A
Sättigungsstrom 1.1 A
Bauform 4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 0.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Nennstrom 0.9 A
Sättigungsstrom 1.2 A
Bauform 4838 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 0.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Nennstrom 0.4 A
Sättigungsstrom 0.75 A
Bauform 4818 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 0.66 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Nennstrom 0.66 A
Sättigungsstrom 1 A
Bauform 4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 0.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Nennstrom 0.8 A
Sättigungsstrom 1.05 A
Bauform 4838 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 68 µH, 0.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 68 µH
Nennstrom 0.6 A
Sättigungsstrom 0.85 A
Bauform 4838 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 82 µH, 0.46 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 82 µH
Nennstrom 0.46 A
Sättigungsstrom 0.68 A
Bauform 4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.52 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Nennstrom 0.52 A
Sättigungsstrom 0.68 A
Bauform 4838