Design Kit WE-XHMI - Molded Power Inductor 40XX/50XX

ERWEITERT

Artikel Nr. 7443932

Anwendung

  • DC/DC-Wandler für hohe Ströme in Netzteilen
  • DC/DC-Wandler für Field Programmable Gate Arrays (FPGA)
  • Stromversorgungen von mobilen Geräten
  • Point of Load (POL)-Wandler
  • Mainboards/ Grafikkarten
  • CPU/ RAM Stromversorgung
  • Wifi Kommunikationsgeräte
  • Filter

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Simu­lation
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Produktserie
L(µH)
RDC max.(mΩ)
IRP,40K(A)
ISAT,30%(A)
Bauform
Muster
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 0.11 µH, 2.44 mΩ
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.11 µH
Gleichstromwiderstand2.44 mΩ
Performance Nennstrom23.7 A
Sättigungsstrom @ 30%41.5 A
Bauform4020 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 0.16 µH, 3.13 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.16 µH
Gleichstromwiderstand3.13 mΩ
Performance Nennstrom24.7 A
Sättigungsstrom @ 30%41.5 A
Bauform5020 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 0.16 µH, 2.75 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.16 µH
Gleichstromwiderstand2.75 mΩ
Performance Nennstrom24.2 A
Sättigungsstrom @ 30%39.9 A
Bauform5030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 0.22 µH, 3.78 mΩ
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Gleichstromwiderstand3.78 mΩ
Performance Nennstrom20 A
Sättigungsstrom @ 30%24.2 A
Bauform4020 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 0.33 µH, 4.25 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.33 µH
Gleichstromwiderstand4.25 mΩ
Performance Nennstrom20.8 A
Sättigungsstrom @ 30%27 A
Bauform5020 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 0.33 µH, 4 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.33 µH
Gleichstromwiderstand4 mΩ
Performance Nennstrom19.4 A
Sättigungsstrom @ 30%20 A
Bauform4030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 0.47 µH, 6.69 mΩ
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Gleichstromwiderstand6.69 mΩ
Performance Nennstrom14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%12.8 A
Bauform4020 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 0.47 µH, 4.5 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Gleichstromwiderstand4.5 mΩ
Performance Nennstrom17.1 A
Sättigungsstrom @ 30%19.2 A
Bauform4030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 0.56 µH, 8 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.56 µH
Gleichstromwiderstand8 mΩ
Performance Nennstrom15.4 A
Sättigungsstrom @ 30%21.6 A
Bauform5020 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 0.68 µH, 9.63 mΩ
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Gleichstromwiderstand9.63 mΩ
Performance Nennstrom12.6 A
Sättigungsstrom @ 30%11.8 A
Bauform4020 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 0.68 µH, 9.38 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Gleichstromwiderstand9.38 mΩ
Performance Nennstrom13.3 A
Sättigungsstrom @ 30%17.2 A
Bauform5020 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 0.68 µH, 4.88 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Gleichstromwiderstand4.88 mΩ
Performance Nennstrom15.7 A
Sättigungsstrom @ 30%17.7 A
Bauform5030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1 µH, 13.44 mΩ
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Gleichstromwiderstand13.44 mΩ
Performance Nennstrom10 A
Sättigungsstrom @ 30%10.2 A
Bauform4020 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1 µH, 10.32 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Gleichstromwiderstand10.32 mΩ
Performance Nennstrom11.1 A
Sättigungsstrom @ 30%12 A
Bauform4030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1 µH, 10.92 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Gleichstromwiderstand10.92 mΩ
Performance Nennstrom11.4 A
Sättigungsstrom @ 30%14.4 A
Bauform5020 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1 µH, 8.4 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Gleichstromwiderstand8.4 mΩ
Performance Nennstrom14.7 A
Sättigungsstrom @ 30%13.4 A
Bauform5030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1.2 µH, 15 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Gleichstromwiderstand15 mΩ
Performance Nennstrom10.7 A
Sättigungsstrom @ 30%11.6 A
Bauform5020 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1.5 µH, 18.48 mΩ
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Gleichstromwiderstand18.48 mΩ
Performance Nennstrom7.8 A
Sättigungsstrom @ 30%8.4 A
Bauform4020 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1.5 µH, 20.56 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Gleichstromwiderstand20.56 mΩ
Performance Nennstrom12 A
Sättigungsstrom @ 30%13 A
Bauform5030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 23.52 mΩ
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Gleichstromwiderstand23.52 mΩ
Performance Nennstrom7.2 A
Sättigungsstrom @ 30%6.3 A
Bauform4020 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 14.52 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Gleichstromwiderstand14.52 mΩ
Performance Nennstrom10.3 A
Sättigungsstrom @ 30%12.8 A
Bauform5030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 3.3 µH, 25 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Gleichstromwiderstand25 mΩ
Performance Nennstrom7.2 A
Sättigungsstrom @ 30%7.9 A
Bauform4040 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 3.3 µH, 19.92 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Gleichstromwiderstand19.92 mΩ
Performance Nennstrom8.2 A
Sättigungsstrom @ 30%8 A
Bauform5030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 4.7 µH, 36.96 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Gleichstromwiderstand36.96 mΩ
Performance Nennstrom5.3 A
Sättigungsstrom @ 30%5.8 A
Bauform4030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 4.7 µH, 27.96 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Gleichstromwiderstand27.96 mΩ
Performance Nennstrom6.8 A
Sättigungsstrom @ 30%7.5 A
Bauform5030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 5.6 µH, 44.4 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 µH
Gleichstromwiderstand44.4 mΩ
Performance Nennstrom5.1 A
Sättigungsstrom @ 30%5.5 A
Bauform4040 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 5.6 µH, 25.44 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 µH
Gleichstromwiderstand25.44 mΩ
Performance Nennstrom6.7 A
Sättigungsstrom @ 30%9.7 A
Bauform5050 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 6.8 µH, 55 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Gleichstromwiderstand55 mΩ
Performance Nennstrom4.1 A
Sättigungsstrom @ 30%4.9 A
Bauform4040 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 6.8 µH, 29.28 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Gleichstromwiderstand29.28 mΩ
Performance Nennstrom6.6 A
Sättigungsstrom @ 30%6.9 A
Bauform5050 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 8.2 µH, 34.68 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Gleichstromwiderstand34.68 mΩ
Performance Nennstrom5.9 A
Sättigungsstrom @ 30%6.2 A
Bauform5050 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 10 µH, 43.08 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Gleichstromwiderstand43.08 mΩ
Performance Nennstrom5 A
Sättigungsstrom @ 30%6 A
Bauform5050 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 15 µH, 70.8 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Gleichstromwiderstand70.8 mΩ
Performance Nennstrom4 A
Sättigungsstrom @ 30%4.9 A
Bauform5050 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 22 µH, 90 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Gleichstromwiderstand90 mΩ
Performance Nennstrom3.5 A
Sättigungsstrom @ 30%4 A
Bauform5050