Design Kit WE-HCI SMT-Speicherdrosseln 7030/7040/7050

Artikel Nr. 744354

Anwendung

  • Grafikkarten
  • Laptops
  • Industriecomputer
  • Mainboards
  • Hochtemperaturanwendungen
  • DC/DC-Wandler
  • Multiphase-Schaltregler
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L (µH)
RDC (mΩ)
Bauform
Muster
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.13 µH, 0.91 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.13 µH
Gleichstromwiderstand 0.91 mΩ
Bauform 7030 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.22 µH, 1.1 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.22 µH
Gleichstromwiderstand 1.1 mΩ
Bauform 7040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.24 µH, 1.8 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.24 µH
Gleichstromwiderstand 1.8 mΩ
Bauform 7030 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.24 µH, 1 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.24 µH
Gleichstromwiderstand 1 mΩ
Bauform 7050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.4 µH, 1.85 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.4 µH
Gleichstromwiderstand 1.85 mΩ
Bauform 7040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, 1.35 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.47 µH
Gleichstromwiderstand 1.35 mΩ
Bauform 7050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.52 µH, 3.7 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.52 µH
Gleichstromwiderstand 3.7 mΩ
Bauform 7030 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, 3.1 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.68 µH
Gleichstromwiderstand 3.1 mΩ
Bauform 7040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.76 µH, 2.25 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.76 µH
Gleichstromwiderstand 2.25 mΩ
Bauform 7050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.95 µH, 6.2 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.95 µH
Gleichstromwiderstand 6.2 mΩ
Bauform 7030 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 4.6 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Gleichstromwiderstand 4.6 mΩ
Bauform 7040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.1 µH, 3.15 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.1 µH
Gleichstromwiderstand 3.15 mΩ
Bauform 7050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.15 µH, 8.6 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.15 µH
Gleichstromwiderstand 8.6 mΩ
Bauform 7030 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 12.7 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Gleichstromwiderstand 12.7 mΩ
Bauform 7030 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 6.6 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Gleichstromwiderstand 6.6 mΩ
Bauform 7040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 4.3 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Gleichstromwiderstand 4.3 mΩ
Bauform 7050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, 14.2 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2 µH
Gleichstromwiderstand 14.2 mΩ
Bauform 7030 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, 5.85 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2 µH
Gleichstromwiderstand 5.85 mΩ
Bauform 7050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 11.4 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Gleichstromwiderstand 11.4 mΩ
Bauform 7040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 17.2 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Gleichstromwiderstand 17.2 mΩ
Bauform 7040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 9 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Gleichstromwiderstand 9 mΩ
Bauform 7050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 19.5 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Gleichstromwiderstand 19.5 mΩ
Bauform 7040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.9 µH, 14.5 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.9 µH
Gleichstromwiderstand 14.5 mΩ
Bauform 7050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 6.5 µH, 21.5 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.5 µH
Gleichstromwiderstand 21.5 mΩ
Bauform 7050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 7.6 µH, 28.2 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 7.6 µH
Gleichstromwiderstand 28.2 mΩ
Bauform 7050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 8.5 µH, 30.5 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.5 µH
Gleichstromwiderstand 30.5 mΩ
Bauform 7050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 33 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Gleichstromwiderstand 33 mΩ
Bauform 7050