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L (µH)
IRP,40K (A)
ISAT,30% (A)
Bauform
Muster
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.22 µH, 35.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.22 µH
Performance Nennstrom 35.2 A
Sättigungsstrom @ 30% 96 A
Bauform 1090 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.22 µH, 48.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.22 µH
Performance Nennstrom 48.2 A
Sättigungsstrom @ 30% 90.8 A
Bauform 1210 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.22 µH, 48.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.22 µH
Performance Nennstrom 48.2 A
Sättigungsstrom @ 30% 177.2 A
Bauform 1210 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.3 µH, 25.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.3 µH
Performance Nennstrom 25.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 40.3 A
Bauform 8070 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.33 µH, 35.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.33 µH
Performance Nennstrom 35.2 A
Sättigungsstrom @ 30% 59 A
Bauform 1090 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.33 µH, 48.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.33 µH
Performance Nennstrom 48.2 A
Sättigungsstrom @ 30% 62.1 A
Bauform 1210 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, 22.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.47 µH
Performance Nennstrom 22.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 31.3 A
Bauform 8070 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, 31.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.47 µH
Performance Nennstrom 31.3 A
Sättigungsstrom @ 30% 54.9 A
Bauform 1090 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, 40.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.47 µH
Performance Nennstrom 40.2 A
Sättigungsstrom @ 30% 54.7 A
Bauform 1210 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, 22.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.68 µH
Performance Nennstrom 22.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 23 A
Bauform 8070 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, 27.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.68 µH
Performance Nennstrom 27.2 A
Sättigungsstrom @ 30% 46 A
Bauform 1090 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, 40.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.68 µH
Performance Nennstrom 40.2 A
Sättigungsstrom @ 30% 39.1 A
Bauform 1210 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.82 µH, 27.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.82 µH
Performance Nennstrom 27.2 A
Sättigungsstrom @ 30% 41.9 A
Bauform 1090 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.82 µH, 34 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.82 µH
Performance Nennstrom 34 A
Sättigungsstrom @ 30% 35.8 A
Bauform 1210 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.82 µH, 32.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.82 µH
Performance Nennstrom 32.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 67.8 A
Bauform 1210 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 18.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Performance Nennstrom 18.8 A
Sättigungsstrom @ 30% 25.1 A
Bauform 8070 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 27.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Performance Nennstrom 27.2 A
Sättigungsstrom @ 30% 31.1 A
Bauform 1090 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 34 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Performance Nennstrom 34 A
Sättigungsstrom @ 30% 33.5 A
Bauform 1210 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 32.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Performance Nennstrom 32.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 55.1 A
Bauform 1210 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 14.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Performance Nennstrom 14.8 A
Sättigungsstrom @ 30% 18.5 A
Bauform 8070 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 21.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Performance Nennstrom 21.7 A
Sättigungsstrom @ 30% 31 A
Bauform 1090 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 25.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Performance Nennstrom 25.7 A
Sättigungsstrom @ 30% 29.1 A
Bauform 1210 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 26.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Performance Nennstrom 26.9 A
Sättigungsstrom @ 30% 54.5 A
Bauform 1210 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 14.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Performance Nennstrom 14.8 A
Sättigungsstrom @ 30% 12.9 A
Bauform 8070 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 17.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Performance Nennstrom 17.4 A
Sättigungsstrom @ 30% 25.6 A
Bauform 1090 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 21.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Performance Nennstrom 21.6 A
Sättigungsstrom @ 30% 27.2 A
Bauform 1210 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 22.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Performance Nennstrom 22.4 A
Sättigungsstrom @ 30% 44 A
Bauform 1210 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 12.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Performance Nennstrom 12.3 A
Sättigungsstrom @ 30% 10.8 A
Bauform 8070 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 14.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Performance Nennstrom 14.1 A
Sättigungsstrom @ 30% 22.8 A
Bauform 1090 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 18.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Performance Nennstrom 18.2 A
Sättigungsstrom @ 30% 24.7 A
Bauform 1210 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 15.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Performance Nennstrom 15.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 38.9 A
Bauform 1210 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 11.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Performance Nennstrom 11.3 A
Sättigungsstrom @ 30% 17.9 A
Bauform 1090 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 14.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Performance Nennstrom 14.9 A
Sättigungsstrom @ 30% 17.1 A
Bauform 1210 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 12.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Performance Nennstrom 12.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 35.5 A
Bauform 1210 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 6.8 µH, 8.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Performance Nennstrom 8.9 A
Sättigungsstrom @ 30% 16.6 A
Bauform 1090 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 6.8 µH, 12.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Performance Nennstrom 12.3 A
Sättigungsstrom @ 30% 14.2 A
Bauform 1210 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 8.2 µH, 8.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Performance Nennstrom 8.9 A
Sättigungsstrom @ 30% 12.5 A
Bauform 1090 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 8.2 µH, 11.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Performance Nennstrom 11.8 A
Sättigungsstrom @ 30% 13.5 A
Bauform 1210 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 6.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Performance Nennstrom 6.7 A
Sättigungsstrom @ 30% 11.7 A
Bauform 1090 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 9.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Performance Nennstrom 9.6 A
Sättigungsstrom @ 30% 11.3 A
Bauform 1210