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Material
Bauform
Muster
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 72 nH, 71 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 72 nH
Nenninduktivität 71 nH
Nennstrom 30 A
Gleichstromwiderstand 0.235 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 150 MHz
Material MnZn 
Bauform 7050 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 100 nH, 100 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 nH
Nenninduktivität 100 nH
Nennstrom 24 A
Sättigungsstrom 52 A
Gleichstromwiderstand 0.17 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 105 MHz
Material MnZn 
Bauform 1240 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 105 nH, 104 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 105 nH
Nenninduktivität 104 nH
Nennstrom 30 A
Sättigungsstrom 45 A
Gleichstromwiderstand 0.235 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 70 MHz
Material MnZn 
Bauform 7050 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 120 nH, 118 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 120 nH
Nenninduktivität 118 nH
Nennstrom 26 A
Gleichstromwiderstand 0.29 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 66 MHz
Material MnZn 
Bauform 7070 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 120 nH, 118 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 120 nH
Nenninduktivität 118 nH
Nennstrom 31 A
Gleichstromwiderstand 0.325 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 150 MHz
Material MnZn 
Bauform 1050 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 120 nH, 120 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 120 nH
Nenninduktivität 120 nH
Nennstrom 47.5 A
Gleichstromwiderstand 0.165 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 65 MHz
Material MnZn 
Bauform 1390 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 150 nH, 125 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 150 nH
Nenninduktivität 125 nH
Nennstrom 30 A
Gleichstromwiderstand 0.235 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 55 MHz
Material MnZn 
Bauform 7050 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 150 nH, 150 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 150 nH
Nenninduktivität 150 nH
Nennstrom 25 A
Gleichstromwiderstand 0.37 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 60 MHz
Material MnZn 
Bauform 1070 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 155 nH, 150 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 155 nH
Nenninduktivität 150 nH
Nennstrom 31 A
Gleichstromwiderstand 0.325 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 110 MHz
Material MnZn 
Bauform 1050 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 160 nH, 155 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 160 nH
Nenninduktivität 155 nH
Nennstrom 26 A
Gleichstromwiderstand 0.29 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 50 MHz
Material MnZn 
Bauform 7070 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 160 nH, 155 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 160 nH
Nenninduktivität 155 nH
Nennstrom 24 A
Sättigungsstrom 32 A
Gleichstromwiderstand 0.17 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 80 MHz
Material MnZn 
Bauform 1240 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 200 nH, 198 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 200 nH
Nenninduktivität 198 nH
Nennstrom 25 A
Gleichstromwiderstand 0.37 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 45 MHz
Material MnZn 
Bauform 1070 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 200 nH, 195 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 200 nH
Nenninduktivität 195 nH
Nennstrom 25 A
Gleichstromwiderstand 0.26 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 51 MHz
Material MnZn 
Bauform 1052 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 220 nH, 174 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 nH
Nenninduktivität 174 nH
Nennstrom 26 A
Gleichstromwiderstand 0.29 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 38 MHz
Material MnZn 
Bauform 7070 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 220 nH, 180 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 nH
Nenninduktivität 180 nH
Nennstrom 31 A
Gleichstromwiderstand 0.325 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 80 MHz
Material MnZn 
Bauform 1050 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 220 nH, 160 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 nH
Nenninduktivität 160 nH
Nennstrom 24 A
Sättigungsstrom 23 A
Gleichstromwiderstand 0.17 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 70 MHz
Material MnZn 
Bauform 1240 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 220 nH, 215 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 nH
Nenninduktivität 215 nH
Nennstrom 26 A
Gleichstromwiderstand 0.155 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 36 MHz
Material MnZn 
Bauform 1350 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 250 nH, 246 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 250 nH
Nenninduktivität 246 nH
Nennstrom 25 A
Gleichstromwiderstand 0.37 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 40 MHz
Material MnZn 
Bauform 1070 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 250 nH, 240 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 250 nH
Nenninduktivität 240 nH
Nennstrom 25 A
Gleichstromwiderstand 0.26 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 38 MHz
Material MnZn 
Bauform 1052 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 250 nH, 250 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 250 nH
Nenninduktivität 250 nH
Nennstrom 38 A
Gleichstromwiderstand 0.32 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 33 MHz
Material MnZn 
Bauform 1190 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 250 nH, 245 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 250 nH
Nenninduktivität 245 nH
Nennstrom 47.5 A
Gleichstromwiderstand 0.165 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 37 MHz
Material MnZn 
Bauform 1390 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 300 nH, 220 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 300 nH
Nenninduktivität 220 nH
Nennstrom 25 A
Gleichstromwiderstand 0.26 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 31 MHz
Material MnZn 
Bauform 1052 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 330 nH, 305 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 330 nH
Nenninduktivität 305 nH
Nennstrom 25 A
Gleichstromwiderstand 0.37 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 35 MHz
Material MnZn 
Bauform 1070 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 330 nH, 325 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 330 nH
Nenninduktivität 325 nH
Nennstrom 38 A
Gleichstromwiderstand 0.32 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 28 MHz
Material MnZn 
Bauform 1190 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 330 nH, 270 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 330 nH
Nenninduktivität 270 nH
Nennstrom 26 A
Gleichstromwiderstand 0.155 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 22 MHz
Material MnZn 
Bauform 1350 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 330 nH, 310 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 330 nH
Nenninduktivität 310 nH
Nennstrom 47.5 A
Gleichstromwiderstand 0.165 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 28 MHz
Material MnZn 
Bauform 1390 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 400 nH, 345 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 400 nH
Nenninduktivität 345 nH
Nennstrom 25 A
Gleichstromwiderstand 0.37 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 25 MHz
Material MnZn 
Bauform 1070 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 400 nH, 100 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 400 nH
Nenninduktivität 100 nH
Nennstrom 26 A
Gleichstromwiderstand 0.155 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 20 MHz
Material MnZn 
Bauform 1350 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 470 nH, 240 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 nH
Nenninduktivität 240 nH
Nennstrom 38 A
Gleichstromwiderstand 0.32 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 20 MHz
Material MnZn 
Bauform 1190 
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 470 nH, 200 nH
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 nH
Nenninduktivität 200 nH
Nennstrom 47.5 A
Gleichstromwiderstand 0.165 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 22 MHz
Material MnZn 
Bauform 1390