Design Kit WE-HCI SMT-Speicherdrosseln 1030/1040/1050

Artikel Nr. 744355

Anwendung

  • Grafikkarten
  • Laptops
  • Industriecomputer
  • Mainboards
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L (µH)
Tol. L
RDC (mΩ)
Bauform
Muster
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.15 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.15 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 0.58 mΩ
Bauform 1040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.16 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.16 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 0.51 mΩ
Bauform 1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.2 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.2 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 0.82 mΩ
Bauform 1030 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.3 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.3 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 1.1 mΩ
Bauform 1040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.33 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.33 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 2.17 mΩ
Bauform 1030 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.4 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.4 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 0.67 mΩ
Bauform 1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.56 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.56 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 2.17 mΩ
Bauform 1030 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.56 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.56 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 1.61 mΩ
Bauform 1040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.68 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 4.79 mΩ
Bauform 1030 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.72 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.72 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 1.3 mΩ
Bauform 1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 4.79 mΩ
Bauform 1030 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 3.3 mΩ
Bauform 1040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.2 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 6.6 mΩ
Bauform 1030 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.2 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 1.8 mΩ
Bauform 1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 6.6 mΩ
Bauform 1030 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 5.3 mΩ
Bauform 1040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.8 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.8 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 3.5 mΩ
Bauform 1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 7.3 mΩ
Bauform 1040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 11.38 mΩ
Bauform 1030 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.4 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.4 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 4.75 mΩ
Bauform 1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.8 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.8 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 10.6 mΩ
Bauform 1040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 5.9 mΩ
Bauform 1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.2 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.2 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 7.1 mΩ
Bauform 1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.3 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.3 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 14.1 mΩ
Bauform 1040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 5.5 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.5 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 10.3 mΩ
Bauform 1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 5.6 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.6 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 20.6 mΩ
Bauform 1040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 6.5 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.5 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 12.5 mΩ
Bauform 1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 7.8 µH, ±20
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 7.8 µH
Induktivität ±20 
Gleichstromwiderstand 13.6 mΩ
Bauform 1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 16.3 mΩ
Bauform 1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 16 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16 µH
Induktivität ±20% 
Gleichstromwiderstand 34.5 mΩ
Bauform 1050