Design Kit WE-PMCI & WE-PMFI - Molded Power Inductor
NEUArtikel Nr. 7447931
Merkmale
- Power Induktivitäten mit sehr kompaktem Design
- WE-PMCI mit Runddraht
- WE-PMFI mit Flachdraht
- Große Spanne an Induktivitätswerten
- Hohe Nennströme bis zu 16 A
- Hohe Effizienz durch geringe Gesamtverluste
- AEC-Q 200 qualifiziert
- Enthält beide Serien vollständig (44 Artikel)
Anwendung
- DC/DC-Schaltregler mit hohen Strömen und hohen Frequenzen (> 1 MHz)
- Tragbare Geräte, wie Smartphones, Tablets und Kameras
- CPU Versorgung
- RAM Versorgung
- Elektronische Geräte mit geringem Bauraum
- Batteriebetriebene Geräte
- Hochfrequente Anwendungen (GaN/SiC)
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Alle zurücksetzenArtikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | Typ/Größe | Muster |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität, 0.1 µH, 16 A | Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität | Induktivität0.1 µH | Performance Nennstrom16 A | Sättigungsstrom @ 30%25 A | Gleichstromwiderstand4.8 mΩ | Typ/Größe353220 | ||||
| WE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität, 0.1 µH, 11.4 A | Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität | Induktivität0.1 µH | Performance Nennstrom11.4 A | Sättigungsstrom @ 30%21.5 A | Gleichstromwiderstand7.4 mΩ | Typ/Größe322512 | ||||
| WE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität, 0.1 µH, 10.2 A | Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität | Induktivität0.1 µH | Performance Nennstrom10.2 A | Sättigungsstrom @ 30%13.7 A | Gleichstromwiderstand7.2 mΩ | Typ/Größe201610 | ||||
| WE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität, 0.1 µH, 12.3 A | Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität | Induktivität0.1 µH | Performance Nennstrom12.3 A | Sättigungsstrom @ 30%18.7 A | Gleichstromwiderstand5.6 mΩ | Typ/Größe252012 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 0.24 µH, 6.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität0.24 µH | Performance Nennstrom6.9 A | Sättigungsstrom @ 30%6.7 A | Gleichstromwiderstand17 mΩ | Typ/Größe201610 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 0.25 µH, 9.05 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität0.25 µH | Performance Nennstrom9.05 A | Sättigungsstrom @ 30%15.65 A | Gleichstromwiderstand26 mΩ | Typ/Größe322515 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 0.47 µH, 3.95 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität0.47 µH | Performance Nennstrom3.95 A | Sättigungsstrom @ 30%3.35 A | Gleichstromwiderstand65 mΩ | Typ/Größe160808 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 0.47 µH, 5.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität0.47 µH | Performance Nennstrom5.4 A | Sättigungsstrom @ 30%6.3 A | Gleichstromwiderstand26 mΩ | Typ/Größe201610 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 0.47 µH, 5.75 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität0.47 µH | Performance Nennstrom5.75 A | Sättigungsstrom @ 30%7.4 A | Gleichstromwiderstand25 mΩ | Typ/Größe252010 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 0.47 µH, 6.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität0.47 µH | Performance Nennstrom6.8 A | Sättigungsstrom @ 30%7.9 A | Gleichstromwiderstand18 mΩ | Typ/Größe252012 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 0.47 µH, 7.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität0.47 µH | Performance Nennstrom7.3 A | Sättigungsstrom @ 30%5.9 A | Gleichstromwiderstand18 mΩ | Typ/Größe322510 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 0.47 µH, 7.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität0.47 µH | Performance Nennstrom7.1 A | Sättigungsstrom @ 30%9.95 A | Gleichstromwiderstand18 mΩ | Typ/Größe322512 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 0.47 µH, 4.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität0.47 µH | Performance Nennstrom4.3 A | Sättigungsstrom @ 30%5.15 A | Gleichstromwiderstand40 mΩ | Typ/Größe201210 | ||||
| WE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität, 0.47 µH, 7.9 A | Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität | Induktivität0.47 µH | Performance Nennstrom7.9 A | Sättigungsstrom @ 30%10.6 A | Gleichstromwiderstand14.2 mΩ | Typ/Größe322512 | ||||
| WE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität, 0.47 µH, 6.2 A | Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität | Induktivität0.47 µH | Performance Nennstrom6.2 A | Sättigungsstrom @ 30%7.5 A | Gleichstromwiderstand18.4 mΩ | Typ/Größe201610 | ||||
| WE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität, 0.47 µH, 9.3 A | Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität | Induktivität0.47 µH | Performance Nennstrom9.3 A | Sättigungsstrom @ 30%7.9 A | Gleichstromwiderstand11.3 mΩ | Typ/Größe252012 | ||||
| WE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität, 0.47 µH, 9.9 A | Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität | Induktivität0.47 µH | Performance Nennstrom9.9 A | Sättigungsstrom @ 30%13.2 A | Gleichstromwiderstand12.7 mΩ | Typ/Größe353220 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 0.68 µH, 3.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität0.68 µH | Performance Nennstrom3.8 A | Sättigungsstrom @ 30%4 A | Gleichstromwiderstand45 mΩ | Typ/Größe201610 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 1 µH, 2.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom2.6 A | Sättigungsstrom @ 30%2.6 A | Gleichstromwiderstand110 mΩ | Typ/Größe160808 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 1 µH, 3.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom3.3 A | Sättigungsstrom @ 30%3.45 A | Gleichstromwiderstand70 mΩ | Typ/Größe201210 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 1 µH, 3.15 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom3.15 A | Sättigungsstrom @ 30%4.25 A | Gleichstromwiderstand55 mΩ | Typ/Größe201610 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 1 µH, 4.05 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom4.05 A | Sättigungsstrom @ 30%5.1 A | Gleichstromwiderstand47 mΩ | Typ/Größe252010 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 1 µH, 4.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom4.6 A | Sättigungsstrom @ 30%4.1 A | Gleichstromwiderstand40 mΩ | Typ/Größe252012 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 1 µH, 4.95 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom4.95 A | Sättigungsstrom @ 30%5.5 A | Gleichstromwiderstand44 mΩ | Typ/Größe322510 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 1 µH, 6.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom6.2 A | Sättigungsstrom @ 30%6.95 A | Gleichstromwiderstand32 mΩ | Typ/Größe322512 | ||||
| WE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität, 1 µH, 5.8 A | Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom5.8 A | Sättigungsstrom @ 30%9.15 A | Gleichstromwiderstand23.3 mΩ | Typ/Größe322512 | ||||
| WE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität, 1 µH, 6.1 A | Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom6.1 A | Sättigungsstrom @ 30%6.1 A | Gleichstromwiderstand23.8 mΩ | Typ/Größe252012 | ||||
| WE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität, 1 µH, 7.3 A | Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom7.3 A | Sättigungsstrom @ 30%10.8 A | Gleichstromwiderstand18.4 mΩ | Typ/Größe353220 | ||||
| WE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität, 1 µH, 4.7 A | Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom4.7 A | Sättigungsstrom @ 30%5.25 A | Gleichstromwiderstand31.7 mΩ | Typ/Größe201610 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 1.5 µH, 3.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität1.5 µH | Performance Nennstrom3.2 A | Sättigungsstrom @ 30%3.05 A | Gleichstromwiderstand71 mΩ | Typ/Größe252012 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 2.2 µH, 2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom2 A | Sättigungsstrom @ 30%2.4 A | Gleichstromwiderstand180 mΩ | Typ/Größe201210 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 2.2 µH, 2.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom2.1 A | Sättigungsstrom @ 30%2.8 A | Gleichstromwiderstand130 mΩ | Typ/Größe201610 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 2.2 µH, 2.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom2.6 A | Sättigungsstrom @ 30%3.1 A | Gleichstromwiderstand95 mΩ | Typ/Größe252010 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 2.2 µH, 3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom3 A | Sättigungsstrom @ 30%3.25 A | Gleichstromwiderstand80 mΩ | Typ/Größe252012 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 2.2 µH, 3.35 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom3.35 A | Sättigungsstrom @ 30%3.95 A | Gleichstromwiderstand89 mΩ | Typ/Größe322510 | ||||
| WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 2.2 µH, 3.65 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom3.65 A | Sättigungsstrom @ 30%4.8 A | Gleichstromwiderstand70 mΩ | Typ/Größe322512 | ||||
| WE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität, 2.2 µH, 4.1 A | Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom4.1 A | Sättigungsstrom @ 30%5.4 A | Gleichstromwiderstand49.6 mΩ | Typ/Größe322512 | ||||
| WE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität, 2.2 µH, 2.75 A | Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom2.75 A | Sättigungsstrom @ 30%3.9 A | Gleichstromwiderstand81.9 mΩ | Typ/Größe201610 | ||||
| WE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität, 2.2 µH, 4 A | Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom4 A | Sättigungsstrom @ 30%4.5 A | Gleichstromwiderstand50.1 mΩ | Typ/Größe252012 | ||||
| WE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität, 2.2 µH, 5.8 A | Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom5.8 A | Sättigungsstrom @ 30%7.8 A | Gleichstromwiderstand31.6 mΩ | Typ/Größe353220 | ||||
| WE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität, 4.7 µH, 2.7 A | Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom2.7 A | Sättigungsstrom @ 30%4 A | Gleichstromwiderstand107 mΩ | Typ/Größe322512 | ||||
| WE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität, 4.7 µH, 2.1 A | Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom2.1 A | Sättigungsstrom @ 30%2 A | Gleichstromwiderstand195 mΩ | Typ/Größe201610 | ||||
| WE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität, 4.7 µH, 2.75 A | Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom2.75 A | Sättigungsstrom @ 30%2.7 A | Gleichstromwiderstand114 mΩ | Typ/Größe252012 | ||||
| WE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität, 4.7 µH, 3.85 A | Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMFI Power Molded Flachdraht Induktivität | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom3.85 A | Sättigungsstrom @ 30%5.6 A | Gleichstromwiderstand63.2 mΩ | Typ/Größe353220 |
