Design Kit WE-LQS SMT-Speicherdrosseln 2010/2512/3015
Artikel Nr. 7440402
Anwendung
- Integrierte DC/DC-Wandler
- Schaltregler mit hohem Wirkungsgrad
- Tragbare Geräte (Smartphones, Digitalkameras, Tablets etc.)
- embedded PC-Karten
- Bauformen (5040, 60xx, 8040) können auch in Schock-resistente Schaltungen eingesetzt werden
Artikeldaten
Filtern nach
in anzeigen
Artikel in 0 Produktserien
Alle zurücksetzenArtikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | RDC(mΩ) | ISAT(A) | Bauform | IR(A) | Muster |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 0.16 µH, 16 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität0.16 µH | Gleichstromwiderstand16 mΩ | Sättigungsstrom7 A | Bauform2512 | Nennstrom3.7 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 0.16 µH, 25 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität0.16 µH | Gleichstromwiderstand25 mΩ | Sättigungsstrom4.9 A | Bauform2010 | Nennstrom3 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 32 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität0.47 µH | Gleichstromwiderstand32 mΩ | Sättigungsstrom5 A | Bauform2512 | Nennstrom2.6 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 18 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität0.47 µH | Gleichstromwiderstand18 mΩ | Sättigungsstrom4 A | Bauform3015 | Nennstrom3 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 47 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität0.47 µH | Gleichstromwiderstand47 mΩ | Sättigungsstrom2.8 A | Bauform2010 | Nennstrom2.1 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 0.68 µH, 35 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität0.68 µH | Gleichstromwiderstand35 mΩ | Sättigungsstrom3.5 A | Bauform2512 | Nennstrom2.5 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 36 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität1 µH | Gleichstromwiderstand36 mΩ | Sättigungsstrom2.5 A | Bauform2512 | Nennstrom2.3 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 33 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität1 µH | Gleichstromwiderstand33 mΩ | Sättigungsstrom3 A | Bauform3015 | Nennstrom2.2 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 94 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität1 µH | Gleichstromwiderstand94 mΩ | Sättigungsstrom2 A | Bauform2010 | Nennstrom1.5 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 65 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität1.5 µH | Gleichstromwiderstand65 mΩ | Sättigungsstrom2.2 A | Bauform2512 | Nennstrom1.8 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 40 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität1.5 µH | Gleichstromwiderstand40 mΩ | Sättigungsstrom2.3 A | Bauform3015 | Nennstrom2 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 147 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität1.5 µH | Gleichstromwiderstand147 mΩ | Sättigungsstrom1.6 A | Bauform2010 | Nennstrom1.2 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 80 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Gleichstromwiderstand80 mΩ | Sättigungsstrom1.9 A | Bauform2512 | Nennstrom1.65 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 50 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Gleichstromwiderstand50 mΩ | Sättigungsstrom1.7 A | Bauform3015 | Nennstrom1.8 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 225 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Gleichstromwiderstand225 mΩ | Sättigungsstrom1.4 A | Bauform2010 | Nennstrom0.96 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 120 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Gleichstromwiderstand120 mΩ | Sättigungsstrom1.5 A | Bauform2512 | Nennstrom1.35 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 70 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Gleichstromwiderstand70 mΩ | Sättigungsstrom1.5 A | Bauform3015 | Nennstrom1.5 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 275 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Gleichstromwiderstand275 mΩ | Sättigungsstrom1.1 A | Bauform2010 | Nennstrom0.87 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 173 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Gleichstromwiderstand173 mΩ | Sättigungsstrom1.2 A | Bauform2512 | Nennstrom1.12 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 96 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Gleichstromwiderstand96 mΩ | Sättigungsstrom1.2 A | Bauform3015 | Nennstrom1.3 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 410 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Gleichstromwiderstand410 mΩ | Sättigungsstrom0.85 A | Bauform2010 | Nennstrom0.72 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 300 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität6.8 µH | Gleichstromwiderstand300 mΩ | Sättigungsstrom1 A | Bauform2512 | Nennstrom0.85 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 120 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität6.8 µH | Gleichstromwiderstand120 mΩ | Sättigungsstrom0.94 A | Bauform3015 | Nennstrom1.16 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 700 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität6.8 µH | Gleichstromwiderstand700 mΩ | Sättigungsstrom0.75 A | Bauform2010 | Nennstrom0.55 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 430 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Gleichstromwiderstand430 mΩ | Sättigungsstrom0.8 A | Bauform2512 | Nennstrom0.65 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 230 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Gleichstromwiderstand230 mΩ | Sättigungsstrom0.87 A | Bauform3015 | Nennstrom0.84 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 860 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Gleichstromwiderstand860 mΩ | Sättigungsstrom0.6 A | Bauform2010 | Nennstrom0.5 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 820 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Gleichstromwiderstand820 mΩ | Sättigungsstrom0.75 A | Bauform2512 | Nennstrom0.47 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 300 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Gleichstromwiderstand300 mΩ | Sättigungsstrom0.8 A | Bauform3015 | Nennstrom0.73 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 18 µH, 830 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität18 µH | Gleichstromwiderstand830 mΩ | Sättigungsstrom0.65 A | Bauform2512 | Nennstrom0.46 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 910 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Gleichstromwiderstand910 mΩ | Sättigungsstrom0.55 A | Bauform2512 | Nennstrom0.45 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 450 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Gleichstromwiderstand450 mΩ | Sättigungsstrom0.6 A | Bauform3015 | Nennstrom0.6 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 1530 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität33 µH | Gleichstromwiderstand1530 mΩ | Sättigungsstrom0.45 A | Bauform2512 | Nennstrom0.35 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 911 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität33 µH | Gleichstromwiderstand911 mΩ | Sättigungsstrom0.54 A | Bauform3015 | Nennstrom0.5 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 1050 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität47 µH | Gleichstromwiderstand1050 mΩ | Sättigungsstrom0.41 A | Bauform3015 | Nennstrom0.4 A | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 1650 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität47 µH | Gleichstromwiderstand1650 mΩ | Sättigungsstrom0.35 A | Bauform2512 | Nennstrom0.33 A |