Design Kit WE-LQS SMT-Speicherdrosseln 2010/2512/3015

Artikel Nr. 7440402

Anwendung

  • Integrierte DC/DC-Wandler
  • Schaltregler mit hohem Wirkungsgrad
  • Tragbare Geräte (Smartphones, Digitalkameras, Tablets etc.)
  • embedded PC-Karten
  • Bauformen (5040, 60xx, 8040) können auch in Schock-resistente Schaltungen eingesetzt werden

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L(µH)
RDC(mΩ)
ISAT(A)
Bauform
IR(A)
MusterVerfügbarkeit & Muster
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 0.16 µH, 16 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.16 µH
Gleichstromwiderstand16 mΩ
Sättigungsstrom7 A
Bauform2512 
Nennstrom3.7 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 0.16 µH, 25 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.16 µH
Gleichstromwiderstand25 mΩ
Sättigungsstrom4.9 A
Bauform2010 
Nennstrom3 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 32 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Gleichstromwiderstand32 mΩ
Sättigungsstrom5 A
Bauform2512 
Nennstrom2.6 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 18 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Gleichstromwiderstand18 mΩ
Sättigungsstrom4 A
Bauform3015 
Nennstrom3 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 47 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Gleichstromwiderstand47 mΩ
Sättigungsstrom2.8 A
Bauform2010 
Nennstrom2.1 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 0.68 µH, 35 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Gleichstromwiderstand35 mΩ
Sättigungsstrom3.5 A
Bauform2512 
Nennstrom2.5 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 36 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Gleichstromwiderstand36 mΩ
Sättigungsstrom2.5 A
Bauform2512 
Nennstrom2.3 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 33 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Gleichstromwiderstand33 mΩ
Sättigungsstrom3 A
Bauform3015 
Nennstrom2.2 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 94 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Gleichstromwiderstand94 mΩ
Sättigungsstrom2 A
Bauform2010 
Nennstrom1.5 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 65 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Gleichstromwiderstand65 mΩ
Sättigungsstrom2.2 A
Bauform2512 
Nennstrom1.8 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 40 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Gleichstromwiderstand40 mΩ
Sättigungsstrom2.3 A
Bauform3015 
Nennstrom2 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 147 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Gleichstromwiderstand147 mΩ
Sättigungsstrom1.6 A
Bauform2010 
Nennstrom1.2 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 80 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Gleichstromwiderstand80 mΩ
Sättigungsstrom1.9 A
Bauform2512 
Nennstrom1.65 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 50 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Gleichstromwiderstand50 mΩ
Sättigungsstrom1.7 A
Bauform3015 
Nennstrom1.8 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 225 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Gleichstromwiderstand225 mΩ
Sättigungsstrom1.4 A
Bauform2010 
Nennstrom0.96 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 120 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Gleichstromwiderstand120 mΩ
Sättigungsstrom1.5 A
Bauform2512 
Nennstrom1.35 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 70 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Gleichstromwiderstand70 mΩ
Sättigungsstrom1.5 A
Bauform3015 
Nennstrom1.5 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 275 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Gleichstromwiderstand275 mΩ
Sättigungsstrom1.1 A
Bauform2010 
Nennstrom0.87 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 173 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Gleichstromwiderstand173 mΩ
Sättigungsstrom1.2 A
Bauform2512 
Nennstrom1.12 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 96 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Gleichstromwiderstand96 mΩ
Sättigungsstrom1.2 A
Bauform3015 
Nennstrom1.3 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 410 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Gleichstromwiderstand410 mΩ
Sättigungsstrom0.85 A
Bauform2010 
Nennstrom0.72 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 300 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Gleichstromwiderstand300 mΩ
Sättigungsstrom1 A
Bauform2512 
Nennstrom0.85 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 120 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Gleichstromwiderstand120 mΩ
Sättigungsstrom0.94 A
Bauform3015 
Nennstrom1.16 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 700 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Gleichstromwiderstand700 mΩ
Sättigungsstrom0.75 A
Bauform2010 
Nennstrom0.55 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 430 mΩ

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Gleichstromwiderstand430 mΩ
Sättigungsstrom0.8 A
Bauform2512 
Nennstrom0.65 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 230 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Gleichstromwiderstand230 mΩ
Sättigungsstrom0.87 A
Bauform3015 
Nennstrom0.84 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 860 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Gleichstromwiderstand860 mΩ
Sättigungsstrom0.6 A
Bauform2010 
Nennstrom0.5 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 820 mΩ

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Gleichstromwiderstand820 mΩ
Sättigungsstrom0.75 A
Bauform2512 
Nennstrom0.47 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 300 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Gleichstromwiderstand300 mΩ
Sättigungsstrom0.8 A
Bauform3015 
Nennstrom0.73 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 18 µH, 830 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 µH
Gleichstromwiderstand830 mΩ
Sättigungsstrom0.65 A
Bauform2512 
Nennstrom0.46 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 910 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Gleichstromwiderstand910 mΩ
Sättigungsstrom0.55 A
Bauform2512 
Nennstrom0.45 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 450 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Gleichstromwiderstand450 mΩ
Sättigungsstrom0.6 A
Bauform3015 
Nennstrom0.6 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 1530 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Gleichstromwiderstand1530 mΩ
Sättigungsstrom0.45 A
Bauform2512 
Nennstrom0.35 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 911 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Gleichstromwiderstand911 mΩ
Sättigungsstrom0.54 A
Bauform3015 
Nennstrom0.5 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 1050 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Gleichstromwiderstand1050 mΩ
Sättigungsstrom0.41 A
Bauform3015 
Nennstrom0.4 A
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 1650 mΩ
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Gleichstromwiderstand1650 mΩ
Sättigungsstrom0.35 A
Bauform2512 
Nennstrom0.33 A
Verfügbarkeit prüfen