Design Kit WE-XHMI - Molded Power Inductor 60xx/70xx/80xx

Artikel Nr. 7443934

Anwendung

  • DC/DC-Wandler für hohe Ströme in Netzteilen
  • DC/DC-Wandler für Field Programmable Gate Arrays (FPGA)
  • Stromversorgungen von mobilen Geräten
  • Point of Load (POL)-Wandler
  • Mainboards/ Grafikkarten
  • CPU/ RAM Stromversorgung
  • Wifi Kommunikationsgeräte
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L (µH)
RDC max. (mΩ)
IRP,40K (A)
ISAT,30% (A)
Bauform
Muster
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 0.18 µH, 1.45 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.18 µH
Gleichstromwiderstand 1.45 mΩ
Performance Nennstrom 35.65 A
Sättigungsstrom @ 30% 50.6 A
Bauform 6030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 0.33 µH, 2.31 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.33 µH
Gleichstromwiderstand 2.31 mΩ
Performance Nennstrom 27.35 A
Sättigungsstrom @ 30% 42.9 A
Bauform 6030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1 µH, 2.32 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Gleichstromwiderstand 2.32 mΩ
Performance Nennstrom 30.25 A
Sättigungsstrom @ 30% 38.15 A
Bauform 8080 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1 µH, 6.05 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Gleichstromwiderstand 6.05 mΩ
Performance Nennstrom 15.75 A
Sättigungsstrom @ 30% 24.95 A
Bauform 6030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1 µH, 4.07 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Gleichstromwiderstand 4.07 mΩ
Performance Nennstrom 20.95 A
Sättigungsstrom @ 30% 24 A
Bauform 6060 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1 µH, 5.16 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Gleichstromwiderstand 5.16 mΩ
Performance Nennstrom 23.7 A
Sättigungsstrom @ 30% 25 A
Bauform 7030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1.2 µH, 7.04 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 µH
Gleichstromwiderstand 7.04 mΩ
Performance Nennstrom 14.45 A
Sättigungsstrom @ 30% 21.6 A
Bauform 6030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1.2 µH, 5.4 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 µH
Gleichstromwiderstand 5.4 mΩ
Performance Nennstrom 23.6 A
Sättigungsstrom @ 30% 21.9 A
Bauform 7030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1.5 µH, 3.5 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Gleichstromwiderstand 3.5 mΩ
Performance Nennstrom 25.1 A
Sättigungsstrom @ 30% 32 A
Bauform 8080 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1.5 µH, 6.6 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Gleichstromwiderstand 6.6 mΩ
Performance Nennstrom 20.1 A
Sättigungsstrom @ 30% 18.8 A
Bauform 7030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 4.07 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Gleichstromwiderstand 4.07 mΩ
Performance Nennstrom 21.85 A
Sättigungsstrom @ 30% 26.45 A
Bauform 8080 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 11.55 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Gleichstromwiderstand 11.55 mΩ
Performance Nennstrom 10.85 A
Sättigungsstrom @ 30% 16.25 A
Bauform 6030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 10.56 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Gleichstromwiderstand 10.56 mΩ
Performance Nennstrom 16.7 A
Sättigungsstrom @ 30% 13.8 A
Bauform 7030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 3.3 µH, 21.12 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Gleichstromwiderstand 21.12 mΩ
Performance Nennstrom 7.65 A
Sättigungsstrom @ 30% 14.5 A
Bauform 6030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 3.3 µH, 8.76 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Gleichstromwiderstand 8.76 mΩ
Performance Nennstrom 18.2 A
Sättigungsstrom @ 30% 18.6 A
Bauform 7070 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 3.3 µH, 19.08 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Gleichstromwiderstand 19.08 mΩ
Performance Nennstrom 11.4 A
Sättigungsstrom @ 30% 13.6 A
Bauform 7030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 4.7 µH, 9.51 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Gleichstromwiderstand 9.51 mΩ
Performance Nennstrom 13.35 A
Sättigungsstrom @ 30% 16.65 A
Bauform 8080 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 4.7 µH, 14.3 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Gleichstromwiderstand 14.3 mΩ
Performance Nennstrom 9.6 A
Sättigungsstrom @ 30% 13 A
Bauform 6060 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 4.7 µH, 11.52 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Gleichstromwiderstand 11.52 mΩ
Performance Nennstrom 15 A
Sättigungsstrom @ 30% 16 A
Bauform 7070 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 4.7 µH, 34.1 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Gleichstromwiderstand 34.1 mΩ
Performance Nennstrom 5.8 A
Sättigungsstrom @ 30% 10.5 A
Bauform 6030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 4.7 µH, 24.96 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Gleichstromwiderstand 24.96 mΩ
Performance Nennstrom 9.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 11 A
Bauform 7030 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 5.6 µH, 16.5 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.6 µH
Gleichstromwiderstand 16.5 mΩ
Performance Nennstrom 8.9 A
Sättigungsstrom @ 30% 12.1 A
Bauform 6060 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 5.6 µH, 13.32 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.6 µH
Gleichstromwiderstand 13.32 mΩ
Performance Nennstrom 14.8 A
Sättigungsstrom @ 30% 13.9 A
Bauform 7070 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 6.8 µH, 14.3 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Gleichstromwiderstand 14.3 mΩ
Performance Nennstrom 10.55 A
Sättigungsstrom @ 30% 17.6 A
Bauform 8080 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 6.8 µH, 19.36 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Gleichstromwiderstand 19.36 mΩ
Performance Nennstrom 8.1 A
Sättigungsstrom @ 30% 11.3 A
Bauform 6060 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 6.8 µH, 16.8 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Gleichstromwiderstand 16.8 mΩ
Performance Nennstrom 12.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 13.7 A
Bauform 7070 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 8.2 µH, 25.3 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Gleichstromwiderstand 25.3 mΩ
Performance Nennstrom 6.95 A
Sättigungsstrom @ 30% 9.3 A
Bauform 6060 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 8.2 µH, 19.5 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Gleichstromwiderstand 19.5 mΩ
Performance Nennstrom 11.2 A
Sättigungsstrom @ 30% 12.7 A
Bauform 7070 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 10 µH, 20.9 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Gleichstromwiderstand 20.9 mΩ
Performance Nennstrom 8.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 13.5 A
Bauform 8080 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 10 µH, 29.15 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Gleichstromwiderstand 29.15 mΩ
Performance Nennstrom 6.4 A
Sättigungsstrom @ 30% 9.7 A
Bauform 6060 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 10 µH, 22.92 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Gleichstromwiderstand 22.92 mΩ
Performance Nennstrom 9.6 A
Sättigungsstrom @ 30% 12.6 A
Bauform 7070 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 15 µH, 46.2 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Gleichstromwiderstand 46.2 mΩ
Performance Nennstrom 4.9 A
Sättigungsstrom @ 30% 7.4 A
Bauform 6060 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 15 µH, 27.5 mΩ
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Gleichstromwiderstand 27.5 mΩ
Performance Nennstrom 7.25 A
Sättigungsstrom @ 30% 10.7 A
Bauform 8080