Bauelemente
Passive Bauelemente
Induktivitäten & Leistungsübertrager
Geschirmte Speicherinduktivitäten
WE-PDF SMT-Speicherdrossel
Geschirmt
| Bauform | Maße | L
(mm) |
B
(mm) |
H
(mm) |
Montageart | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
1045
|
10.2 | 10.2 | 4.2 | SMT |
|
|
|
1064
|
10.2 | 10.2 | 6.1 | SMT |
|
LTSpice-Dateien
Merkmale
- Kernmaterial: NiZn
- Flache Bauform
- Erweiterte Betriebstemperatur: –40 °C bis +150 °C
- Magnetisch geschirmt, d.h. geringes Streufeld
- Geringe Eigenverluste
- Hoher Sättigunsstrom
- Flachdrahtwicklung für geringere Wechselstromkupferverluste
- Hohe Eigenresonanzfrequenz
- Empfohlenes Lötverfahren: Reflow
Anwendung
- Geeignet für Hochfrequenz-Schaltregler
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Sortimente
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