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11 Produktkategorien
WE-EHPI Energy Harvesting Doppeldrossel
WE-EHPI Energy Harvesting Doppeldrossel
IR 1 1.5 bis 1.9 AIR 1 1.5 bis 1.9 ARDC1 max 0.095 bis 0.24 Ω
WE-TDC SMT-Doppeldrossel
WE-TDC SMT-Doppeldrossel
IR 1 0.7 bis 4.5 ARDC1 max 14.5 bis 480 mΩRDC2 max 14.5 bis 480 mΩ
WE-DD SMT-Doppeldrossel
WE-DD SMT-Doppeldrossel
IR 1 0.3 bis 8.6 ARDC1 max 0.015 Ω bis 2320 mΩRDC2 max 0.015 Ω bis 2320 mΩ
WE-DCT Ringkern-Doppeldrossel
WE-DCT Ringkern-Doppeldrossel
IR 1 1.1 bis 14.5 ARDC1 max 3.5 bis 290 mΩRDC2 max 3.5 bis 290 mΩ
WE-CFWI Gekoppelte Flachdraht Doppeldrossel
WE-CFWI Gekoppelte Flachdraht Doppeldrossel
IR 1 11.5 bis 28 ARDC 1 1.6 bis 13.9 mΩRDC 2 1.6 bis 13.9 mΩ
WE-DPC SMT-Doppeldrossel
WE-DPC SMT-Doppeldrossel
IR 1 0.9 bis 4.5 ARDC1 max 35 bis 350 mΩRDC2 max 35 bis 350 mΩ
WE-DPC HV SMT-Doppeldrossel
WE-DPC HV SMT-Doppeldrossel
IR 1 0.6 bis 2.9 ARDC1 max 45 bis 1200 mΩRDC2 max 45 bis 1200 mΩ
WE-MCRI SMT Umpresste Doppeldrossel
WE-MCRI SMT Umpresste Doppeldrossel
IR 1 1.5 bis 17 ARDC1 max 5.6 bis 340 mΩRDC2 max 5.6 bis 340 mΩ
WE-MTCI SMT Multi-Turn Ratio Doppeldrossel
WE-MTCI SMT Multi-Turn Ratio Doppeldrossel
IR 1 0.45 bis 0.95 ARDC1 max 500 bis 1900 mΩRDC2 max 600 bis 5200 mΩ
WE-TDC HV SMT Doppeldrossel
WE-TDC HV SMT Doppeldrossel
IR 1 0.75 bis 2.45 ARDC1 max 110 bis 780 mΩRDC2 max 110 bis 780 mΩ
ERW.
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungERWEITERT
GeschirmtL1 70 bis 200 nHIRP,1 78 A
Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
L1(nH)
L2(nH)
n
IR 1(A)
IR 2(A)
ISAT 1(A)
ISAT1(A)
ISAT2(A)
RDC1 typ(mΩ)
RDC2 typ(mΩ)
RDC1 max(mΩ)
RDC2 max(mΩ)
RDC 1(mΩ)
RDC 2(mΩ)
fres 1(MHz)
Produktserie
Design Kit
Muster
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 170 nH
Induktivität 270 nH
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.37 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 170 nH
Induktivität 270 nH
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.33 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 191 nH
Induktivität 291 nH
Nennstrom 114.5 A
Nennstrom 214.5 A
Sättigungsstrom [1]120 A
Gleichstromwiderstand 12.8 mΩ
Gleichstromwiderstand 22.8 mΩ
Gleichstromwiderstand 13.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 23.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1100 nH
Induktivität 2100 nH
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.33 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1105 nH
Induktivität 2105 nH
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.37 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1120 nH
Induktivität 2120 nH
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.33 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1120 nH
Induktivität 2120 nH
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.37 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1150 nH
Induktivität 2150 nH
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.33 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1150 nH
Induktivität 2150 nH
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.37 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1160 nH
Induktivität 2160 nH
Nennstrom 113.8 A
Nennstrom 213.8 A
Sättigungsstrom [1]90 A
Gleichstromwiderstand 13.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 23.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 14.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 24.4 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1180 nH
Induktivität 2180 nH
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.37 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1200 nH
Induktivität 2200 nH
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.37 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1270 nH
Induktivität 2270 nH
Nennstrom 112.3 A
Nennstrom 212.3 A
Sättigungsstrom [1]65 A
Gleichstromwiderstand 14 mΩ
Gleichstromwiderstand 24 mΩ
Gleichstromwiderstand 15 mΩ
Gleichstromwiderstand 25 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1330 nH
Induktivität 2330 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14 A
Nennstrom 24 A
Sättigungsstrom [1]9 A
Sättigungsstrom 19 A
Sättigungsstrom 29 A
Gleichstromwiderstand 111.1 mΩ
Gleichstromwiderstand 211.1 mΩ
Gleichstromwiderstand 115 mΩ
Gleichstromwiderstand 215 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]280 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status NRNDi| Produktion ist aktiv. Der Artikel ist nicht empfohlen für neue Designs. Erwartete Lebenszeit: 2-5 Jahre.
Induktivität 1390 nH
Induktivität 2390 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14.5 A
Nennstrom 24.5 A
Sättigungsstrom [1]14 A
Sättigungsstrom 114 A
Sättigungsstrom 214 A
Gleichstromwiderstand 111.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 211.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 114.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 214.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]210 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1390 nH
Induktivität 2390 nH
Nennstrom 110.6 A
Nennstrom 210.6 A
Sättigungsstrom [1]50 A
Gleichstromwiderstand 14.7 mΩ
Gleichstromwiderstand 24.7 mΩ
Gleichstromwiderstand 16 mΩ
Gleichstromwiderstand 26 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1560 nH
Induktivität 2560 nH
Nennstrom 19.8 A
Nennstrom 29.8 A
Sättigungsstrom [1]40 A
Gleichstromwiderstand 15.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 25.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 16.7 mΩ
Gleichstromwiderstand 26.7 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1680 nH
Induktivität 2680 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.3 A
Nennstrom 23.3 A
Sättigungsstrom [1]6.5 A
Sättigungsstrom 16.5 A
Sättigungsstrom 26.5 A
Gleichstromwiderstand 116.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 216.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 121 mΩ
Gleichstromwiderstand 221 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]190 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1800 nH
Induktivität 2800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 128 A
Nennstrom 228 A
Sättigungsstrom 162 A
Sättigungsstrom 262 A
Gleichstromwiderstand 11.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 21.6 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1820 nH
Induktivität 2820 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.7 A
Nennstrom 23.7 A
Sättigungsstrom [1]9.6 A
Sättigungsstrom 19.6 A
Sättigungsstrom 29.6 A
Gleichstromwiderstand 115.9 mΩ
Gleichstromwiderstand 215.9 mΩ
Gleichstromwiderstand 120 mΩ
Gleichstromwiderstand 220 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]140 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11000 nH
Induktivität 21000 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.85 A
Nennstrom 22.85 A
Sättigungsstrom [1]5.1 A
Sättigungsstrom 15.1 A
Sättigungsstrom 25.1 A
Gleichstromwiderstand 122.2 mΩ
Gleichstromwiderstand 222.2 mΩ
Gleichstromwiderstand 128 mΩ
Gleichstromwiderstand 228 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]136 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11000 nH
Induktivität 21000 nH
Nennstrom 18.6 A
Nennstrom 28.6 A
Sättigungsstrom [1]30 A
Gleichstromwiderstand 17.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 27.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 18.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 28.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11000 nH
Induktivität 21000 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14.5 A
Nennstrom 24.5 A
Sättigungsstrom [1]5 A
Sättigungsstrom 15 A
Gleichstromwiderstand 125 mΩ
Gleichstromwiderstand 225 mΩ
Gleichstromwiderstand 135 mΩ
Gleichstromwiderstand 235 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]150 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11000 nH
Induktivität 21000 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.9 A
Nennstrom 22.9 A
Sättigungsstrom [1]5 A
Gleichstromwiderstand 132 mΩ
Gleichstromwiderstand 232 mΩ
Gleichstromwiderstand 145 mΩ
Gleichstromwiderstand 245 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]190 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11000 nH
Induktivität 21000 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 117 A
Nennstrom 217 A
Sättigungsstrom 143.5 A
Sättigungsstrom 243.5 A
Gleichstromwiderstand 14.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 24.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 15.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 25.6 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11000 nH
Induktivität 21000 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 112 A
Nennstrom 212 A
Sättigungsstrom 130.2 A
Sättigungsstrom 230.2 A
Gleichstromwiderstand 16.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 26.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 17.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 27.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11200 nH
Induktivität 21200 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.05 A
Nennstrom 23.05 A
Sättigungsstrom [1]7.5 A
Sättigungsstrom 17.5 A
Sättigungsstrom 27.5 A
Gleichstromwiderstand 120.2 mΩ
Gleichstromwiderstand 220.2 mΩ
Gleichstromwiderstand 126 mΩ
Gleichstromwiderstand 226 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]90 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11200 nH
Induktivität 21200 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 123 A
Nennstrom 223 A
Sättigungsstrom 147 A
Sättigungsstrom 247 A
Gleichstromwiderstand 12.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 22.4 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11300 nH
Induktivität 21300 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14.4 A
Nennstrom 24.4 A
Sättigungsstrom [1]6.3 A
Gleichstromwiderstand 127 mΩ
Gleichstromwiderstand 227 mΩ
Gleichstromwiderstand 135 mΩ
Gleichstromwiderstand 235 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]60 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11500 nH
Induktivität 21500 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 15.85 A
Nennstrom 25.85 A
Sättigungsstrom [1]14 A
Gleichstromwiderstand 112 mΩ
Gleichstromwiderstand 212 mΩ
Gleichstromwiderstand 116 mΩ
Gleichstromwiderstand 216 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]70 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11500 nH
Induktivität 21500 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 16.25 A
Nennstrom 26.25 A
Sättigungsstrom [1]18 A
Gleichstromwiderstand 111 mΩ
Gleichstromwiderstand 211 mΩ
Gleichstromwiderstand 115 mΩ
Gleichstromwiderstand 215 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]75 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11500 nH
Induktivität 21500 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 18.6 A
Nennstrom 28.6 A
Sättigungsstrom [1]17.5 A
Gleichstromwiderstand 112 mΩ
Gleichstromwiderstand 212 mΩ
Gleichstromwiderstand 116 mΩ
Gleichstromwiderstand 216 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]60 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11500 nH
Induktivität 21500 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.7 A
Nennstrom 22.7 A
Sättigungsstrom [1]3.7 A
Gleichstromwiderstand 148 mΩ
Gleichstromwiderstand 248 mΩ
Gleichstromwiderstand 168 mΩ
Gleichstromwiderstand 268 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]110 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11500 nH
Induktivität 21500 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 112.5 A
Nennstrom 212.5 A
Sättigungsstrom 134 A
Sättigungsstrom 234 A
Gleichstromwiderstand 18.8 mΩ
Gleichstromwiderstand 28.8 mΩ
Gleichstromwiderstand 19.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 29.4 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11500 nH
Induktivität 21500 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 111.1 A
Nennstrom 211.1 A
Sättigungsstrom 128.1 A
Sättigungsstrom 228.1 A
Gleichstromwiderstand 18.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 28.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 110 mΩ
Gleichstromwiderstand 210 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11700 nH
Induktivität 21700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 121 A
Nennstrom 221 A
Sättigungsstrom 139 A
Sättigungsstrom 239 A
Gleichstromwiderstand 13.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 23.3 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11800 nH
Induktivität 21800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.85 A
Nennstrom 22.85 A
Sättigungsstrom [1]5.8 A
Sättigungsstrom 15.8 A
Sättigungsstrom 25.8 A
Gleichstromwiderstand 125.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 225.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 131 mΩ
Gleichstromwiderstand 231 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]60 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11800 nH
Induktivität 21800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14.7 A
Nennstrom 24.7 A
Sättigungsstrom [1]6.5 A
Gleichstromwiderstand 125 mΩ
Gleichstromwiderstand 225 mΩ
Gleichstromwiderstand 134 mΩ
Gleichstromwiderstand 234 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]58 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12200 nH
Induktivität 22200 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.9 A
Nennstrom 21.9 A
Sättigungsstrom [1]3.5 A
Sättigungsstrom 13.5 A
Sättigungsstrom 23.5 A
Gleichstromwiderstand 149.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 249.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 158 mΩ
Gleichstromwiderstand 258 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]85 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12200 nH
Induktivität 22200 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14.1 A
Nennstrom 24.1 A
Sättigungsstrom [1]19 A
Gleichstromwiderstand 115 mΩ
Gleichstromwiderstand 215 mΩ
Gleichstromwiderstand 117 mΩ
Gleichstromwiderstand 217 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]45 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12200 nH
Induktivität 22200 nH
Nennstrom 18.6 A
Nennstrom 28.6 A
Sättigungsstrom [1]17 A
Gleichstromwiderstand 17.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 27.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 18.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 28.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12200 nH
Induktivität 22200 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 118 A
Nennstrom 218 A
Sättigungsstrom 135 A
Sättigungsstrom 235 A
Gleichstromwiderstand 14.2 mΩ
Gleichstromwiderstand 24.2 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12200 nH
Induktivität 22200 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.9 A
Nennstrom 23.9 A
Sättigungsstrom [1]3.4 A
Sättigungsstrom 13.4 A
Gleichstromwiderstand 133 mΩ
Gleichstromwiderstand 233 mΩ
Gleichstromwiderstand 147 mΩ
Gleichstromwiderstand 247 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]80 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12200 nH
Induktivität 22200 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.5 A
Nennstrom 22.5 A
Sättigungsstrom [1]3.2 A
Gleichstromwiderstand 150 mΩ
Gleichstromwiderstand 250 mΩ
Gleichstromwiderstand 172 mΩ
Gleichstromwiderstand 272 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]95 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12200 nH
Induktivität 22200 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 111.5 A
Nennstrom 211.5 A
Sättigungsstrom 129.5 A
Sättigungsstrom 229.5 A
Gleichstromwiderstand 110.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 210.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 112.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 212.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12200 nH
Induktivität 22200 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 18.2 A
Nennstrom 28.2 A
Sättigungsstrom 120.6 A
Sättigungsstrom 220.6 A
Gleichstromwiderstand 114 mΩ
Gleichstromwiderstand 214 mΩ
Gleichstromwiderstand 116.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 216.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12400 nH
Induktivität 22400 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.6 A
Nennstrom 23.6 A
Sättigungsstrom [1]4.8 A
Gleichstromwiderstand 142 mΩ
Gleichstromwiderstand 242 mΩ
Gleichstromwiderstand 152 mΩ
Gleichstromwiderstand 252 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]53 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12400 nH
Induktivität 22400 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14.2 A
Nennstrom 24.2 A
Sättigungsstrom [1]5.6 A
Gleichstromwiderstand 131 mΩ
Gleichstromwiderstand 231 mΩ
Gleichstromwiderstand 142 mΩ
Gleichstromwiderstand 242 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]50 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12400 nH
Induktivität 22400 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 15.5 A
Nennstrom 25.5 A
Sättigungsstrom [1]11.5 A
Gleichstromwiderstand 113 mΩ
Gleichstromwiderstand 213 mΩ
Gleichstromwiderstand 117 mΩ
Gleichstromwiderstand 217 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]54 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12400 nH
Induktivität 22400 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 16 A
Nennstrom 26 A
Sättigungsstrom [1]14 A
Gleichstromwiderstand 112 mΩ
Gleichstromwiderstand 212 mΩ
Gleichstromwiderstand 116 mΩ
Gleichstromwiderstand 216 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]54 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12400 nH
Induktivität 22400 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 17.8 A
Nennstrom 27.8 A
Sättigungsstrom [1]15 A
Gleichstromwiderstand 114 mΩ
Gleichstromwiderstand 214 mΩ
Gleichstromwiderstand 118 mΩ
Gleichstromwiderstand 218 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]40 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12700 nH
Induktivität 22700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.85 A
Nennstrom 21.85 A
Sättigungsstrom [1]3 A
Sättigungsstrom 13 A
Sättigungsstrom 23 A
Gleichstromwiderstand 169.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 269.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 180.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 280.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]65 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12700 nH
Induktivität 22700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.5 A
Nennstrom 22.5 A
Sättigungsstrom [1]5.1 A
Sättigungsstrom 15.1 A
Sättigungsstrom 25.1 A
Gleichstromwiderstand 134.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 234.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 140 mΩ
Gleichstromwiderstand 240 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]55 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12700 nH
Induktivität 22700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 17.4 A
Nennstrom 27.4 A
Sättigungsstrom 116.5 A
Sättigungsstrom 216.5 A
Gleichstromwiderstand 116.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 216.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 116.8 mΩ
Gleichstromwiderstand 216.8 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12900 nH
Induktivität 22900 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 117 A
Nennstrom 217 A
Sättigungsstrom 129 A
Sättigungsstrom 229 A
Gleichstromwiderstand 15.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 25.6 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13300 nH
Induktivität 23300 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.3 A
Nennstrom 23.3 A
Sättigungsstrom [1]4 A
Gleichstromwiderstand 152 mΩ
Gleichstromwiderstand 252 mΩ
Gleichstromwiderstand 164 mΩ
Gleichstromwiderstand 264 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]49 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13300 nH
Induktivität 23300 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.7 A
Nennstrom 23.7 A
Sättigungsstrom [1]5 A
Gleichstromwiderstand 140 mΩ
Gleichstromwiderstand 240 mΩ
Gleichstromwiderstand 152 mΩ
Gleichstromwiderstand 252 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]46 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13300 nH
Induktivität 23300 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14.91 A
Nennstrom 24.91 A
Sättigungsstrom [1]8.9 A
Gleichstromwiderstand 117 mΩ
Gleichstromwiderstand 217 mΩ
Gleichstromwiderstand 121 mΩ
Gleichstromwiderstand 221 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]45 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13300 nH
Induktivität 23300 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 15.14 A
Nennstrom 25.14 A
Sättigungsstrom [1]11 A
Gleichstromwiderstand 117 mΩ
Gleichstromwiderstand 217 mΩ
Gleichstromwiderstand 122 mΩ
Gleichstromwiderstand 222 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]41 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13300 nH
Induktivität 23300 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 17.1 A
Nennstrom 27.1 A
Sättigungsstrom [1]12 A
Gleichstromwiderstand 116 mΩ
Gleichstromwiderstand 216 mΩ
Gleichstromwiderstand 121 mΩ
Gleichstromwiderstand 221 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]30 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13300 nH
Induktivität 23300 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.7 A
Nennstrom 23.7 A
Sättigungsstrom [1]15.5 A
Gleichstromwiderstand 117 mΩ
Gleichstromwiderstand 217 mΩ
Gleichstromwiderstand 120 mΩ
Gleichstromwiderstand 220 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]35 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13300 nH
Induktivität 23300 nH
Nennstrom 17.7 A
Nennstrom 27.7 A
Sättigungsstrom [1]13.5 A
Gleichstromwiderstand 19 mΩ
Gleichstromwiderstand 29 mΩ
Gleichstromwiderstand 112 mΩ
Gleichstromwiderstand 212 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13300 nH
Induktivität 23300 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.5 A
Nennstrom 23.5 A
Sättigungsstrom [1]2.5 A
Sättigungsstrom 12.5 A
Gleichstromwiderstand 140 mΩ
Gleichstromwiderstand 240 mΩ
Gleichstromwiderstand 157 mΩ
Gleichstromwiderstand 257 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]56 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13300 nH
Induktivität 23300 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.9 A
Nennstrom 21.9 A
Sättigungsstrom [1]2.6 A
Gleichstromwiderstand 184 mΩ
Gleichstromwiderstand 284 mΩ
Gleichstromwiderstand 1120 mΩ
Gleichstromwiderstand 2120 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]50 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13300 nH
Induktivität 23300 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 17.5 A
Nennstrom 27.5 A
Sättigungsstrom 128.2 A
Sättigungsstrom 228.2 A
Gleichstromwiderstand 123.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 223.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 126 mΩ
Gleichstromwiderstand 226 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13300 nH
Induktivität 23300 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 16.8 A
Nennstrom 26.8 A
Sättigungsstrom 114.3 A
Sättigungsstrom 214.3 A
Gleichstromwiderstand 120.7 mΩ
Gleichstromwiderstand 220.7 mΩ
Gleichstromwiderstand 123.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 223.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13500 nH
Induktivität 23500 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 114 A
Nennstrom 214 A
Sättigungsstrom 127 A
Sättigungsstrom 227 A
Gleichstromwiderstand 17.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 27.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13600 nH
Induktivität 23600 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.3 A
Nennstrom 22.3 A
Sättigungsstrom [1]4.6 A
Sättigungsstrom 14.6 A
Sättigungsstrom 24.6 A
Gleichstromwiderstand 147 mΩ
Gleichstromwiderstand 247 mΩ
Gleichstromwiderstand 153 mΩ
Gleichstromwiderstand 253 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]45 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13900 nH
Induktivität 23900 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.6 A
Nennstrom 21.6 A
Sättigungsstrom [1]2.55 A
Sättigungsstrom 12.55 A
Sättigungsstrom 22.55 A
Gleichstromwiderstand 182 mΩ
Gleichstromwiderstand 282 mΩ
Gleichstromwiderstand 194 mΩ
Gleichstromwiderstand 294 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]60 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14400 nH
Induktivität 24400 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 112 A
Nennstrom 212 A
Sättigungsstrom 124 A
Sättigungsstrom 224 A
Gleichstromwiderstand 19.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 29.6 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.85 A
Nennstrom 21.85 A
Sättigungsstrom [1]4.2 A
Sättigungsstrom 14.2 A
Sättigungsstrom 24.2 A
Gleichstromwiderstand 154.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 254.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 164 mΩ
Gleichstromwiderstand 264 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]30 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.3 A
Nennstrom 21.3 A
Sättigungsstrom [1]3 A
Gleichstromwiderstand 165 mΩ
Gleichstromwiderstand 265 mΩ
Gleichstromwiderstand 175 mΩ
Gleichstromwiderstand 275 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]46 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.55 A
Nennstrom 22.55 A
Sättigungsstrom [1]4 A
Gleichstromwiderstand 152 mΩ
Gleichstromwiderstand 252 mΩ
Gleichstromwiderstand 164 mΩ
Gleichstromwiderstand 264 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]42 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14.22 A
Nennstrom 24.22 A
Sättigungsstrom [1]8 A
Gleichstromwiderstand 123 mΩ
Gleichstromwiderstand 223 mΩ
Gleichstromwiderstand 128 mΩ
Gleichstromwiderstand 228 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]39 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13 A
Nennstrom 23 A
Sättigungsstrom [1]8 A
Gleichstromwiderstand 123 mΩ
Gleichstromwiderstand 223 mΩ
Gleichstromwiderstand 128 mΩ
Gleichstromwiderstand 228 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]20 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14.87 A
Nennstrom 24.87 A
Sättigungsstrom [1]10 A
Gleichstromwiderstand 119 mΩ
Gleichstromwiderstand 219 mΩ
Gleichstromwiderstand 124 mΩ
Gleichstromwiderstand 224 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]32 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.6 A
Nennstrom 23.6 A
Sättigungsstrom [1]10 A
Gleichstromwiderstand 125 mΩ
Gleichstromwiderstand 225 mΩ
Gleichstromwiderstand 130 mΩ
Gleichstromwiderstand 230 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]34 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.6 A
Nennstrom 23.6 A
Sättigungsstrom [1]13 A
Gleichstromwiderstand 119 mΩ
Gleichstromwiderstand 219 mΩ
Gleichstromwiderstand 123 mΩ
Gleichstromwiderstand 223 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]30 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Nennstrom 17.2 A
Nennstrom 27.2 A
Sättigungsstrom [1]11 A
Gleichstromwiderstand 110.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 210.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 114 mΩ
Gleichstromwiderstand 214 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.1 A
Nennstrom 23.1 A
Sättigungsstrom [1]2.1 A
Sättigungsstrom 12.1 A
Gleichstromwiderstand 144 mΩ
Gleichstromwiderstand 244 mΩ
Gleichstromwiderstand 162 mΩ
Gleichstromwiderstand 262 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]46 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.6 A
Nennstrom 21.6 A
Sättigungsstrom [1]1.9 A
Gleichstromwiderstand 1102 mΩ
Gleichstromwiderstand 2102 mΩ
Gleichstromwiderstand 1145 mΩ
Gleichstromwiderstand 2145 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]45 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 15.9 A
Nennstrom 25.9 A
Sättigungsstrom 124.2 A
Sättigungsstrom 224.2 A
Gleichstromwiderstand 136 mΩ
Gleichstromwiderstand 236 mΩ
Gleichstromwiderstand 140 mΩ
Gleichstromwiderstand 240 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.45 A
Nennstrom 22.45 A
Sättigungsstrom 14.7 A
Sättigungsstrom 24.7 A
Gleichstromwiderstand 185 mΩ
Gleichstromwiderstand 285 mΩ
Gleichstromwiderstand 1110 mΩ
Gleichstromwiderstand 2110 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]43 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 16.2 A
Nennstrom 26.2 A
Sättigungsstrom 113.8 A
Sättigungsstrom 213.8 A
Gleichstromwiderstand 124.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 224.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 129 mΩ
Gleichstromwiderstand 229 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15600 nH
Induktivität 25600 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.45 A
Nennstrom 21.45 A
Sättigungsstrom [1]2.2 A
Sättigungsstrom 12.2 A
Sättigungsstrom 22.2 A
Gleichstromwiderstand 1114 mΩ
Gleichstromwiderstand 2114 mΩ
Gleichstromwiderstand 1131 mΩ
Gleichstromwiderstand 2131 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]50 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15600 nH
Induktivität 25600 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.5 A
Nennstrom 21.5 A
Sättigungsstrom [1]3 A
Gleichstromwiderstand 195 mΩ
Gleichstromwiderstand 295 mΩ
Gleichstromwiderstand 1120 mΩ
Gleichstromwiderstand 2120 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]26 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15600 nH
Induktivität 25600 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.9 A
Nennstrom 21.9 A
Sättigungsstrom [1]3.5 A
Gleichstromwiderstand 180 mΩ
Gleichstromwiderstand 280 mΩ
Gleichstromwiderstand 195 mΩ
Gleichstromwiderstand 295 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]23 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15600 nH
Induktivität 25600 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.4 A
Nennstrom 21.4 A
Sättigungsstrom 12 A
Sättigungsstrom 22 A
Gleichstromwiderstand 1190 mΩ
Gleichstromwiderstand 2190 mΩ
Gleichstromwiderstand 1234 mΩ
Gleichstromwiderstand 2234 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]58 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.25 A
Nennstrom 21.25 A
Sättigungsstrom [1]2 A
Sättigungsstrom 12 A
Sättigungsstrom 22 A
Gleichstromwiderstand 1128 mΩ
Gleichstromwiderstand 2128 mΩ
Gleichstromwiderstand 1146 mΩ
Gleichstromwiderstand 2146 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]46 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.45 A
Nennstrom 21.45 A
Sättigungsstrom [1]3.2 A
Sättigungsstrom 13.2 A
Sättigungsstrom 23.2 A
Gleichstromwiderstand 188 mΩ
Gleichstromwiderstand 288 mΩ
Gleichstromwiderstand 1100 mΩ
Gleichstromwiderstand 2100 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]25 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.4 A
Nennstrom 21.4 A
Sättigungsstrom [1]2.8 A
Gleichstromwiderstand 1110 mΩ
Gleichstromwiderstand 2110 mΩ
Gleichstromwiderstand 1135 mΩ
Gleichstromwiderstand 2135 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]25 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.8 A
Nennstrom 21.8 A
Sättigungsstrom [1]3.2 A
Gleichstromwiderstand 185 mΩ
Gleichstromwiderstand 285 mΩ
Gleichstromwiderstand 1102 mΩ
Gleichstromwiderstand 2102 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]20 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.9 A
Nennstrom 23.9 A
Sättigungsstrom [1]6.8 A
Gleichstromwiderstand 127 mΩ
Gleichstromwiderstand 227 mΩ
Gleichstromwiderstand 132 mΩ
Gleichstromwiderstand 232 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]33 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.8 A
Nennstrom 22.8 A
Sättigungsstrom [1]6.5 A
Gleichstromwiderstand 135 mΩ
Gleichstromwiderstand 235 mΩ
Gleichstromwiderstand 140 mΩ
Gleichstromwiderstand 240 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]20 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.2 A
Nennstrom 23.2 A
Sättigungsstrom [1]8 A
Gleichstromwiderstand 127 mΩ
Gleichstromwiderstand 227 mΩ
Gleichstromwiderstand 135 mΩ
Gleichstromwiderstand 235 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]18 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.3 A
Nennstrom 23.3 A
Sättigungsstrom [1]11.5 A
Gleichstromwiderstand 126 mΩ
Gleichstromwiderstand 226 mΩ
Gleichstromwiderstand 131 mΩ
Gleichstromwiderstand 231 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]23 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.3 A
Nennstrom 22.3 A
Sättigungsstrom [1]1.8 A
Sättigungsstrom 11.8 A
Gleichstromwiderstand 160 mΩ
Gleichstromwiderstand 260 mΩ
Gleichstromwiderstand 185 mΩ
Gleichstromwiderstand 285 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]42 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.4 A
Nennstrom 21.4 A
Sättigungsstrom [1]1.7 A
Gleichstromwiderstand 1168 mΩ
Gleichstromwiderstand 2168 mΩ
Gleichstromwiderstand 1240 mΩ
Gleichstromwiderstand 2240 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]42 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 114 A
Nennstrom 214 A
Sättigungsstrom 116 A
Sättigungsstrom 216 A
Gleichstromwiderstand 111.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 211.3 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungSPEC
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 113.5 A
Nennstrom 213.5 A
Sättigungsstrom 126 A
Sättigungsstrom 226 A
Gleichstromwiderstand 16.1 mΩ
Gleichstromwiderstand 26.1 mΩ
Design Kit