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11 Produktkategorien
WE-EHPI Energy Harvesting Doppeldrossel
WE-EHPI Energy Harvesting Doppeldrossel
IR 1 1.5 bis 1.9 AIR 1 1.5 bis 1.9 ARDC1 max 0.095 bis 0.24 Ω
WE-TDC SMT-Doppeldrossel
WE-TDC SMT-Doppeldrossel
IR 1 0.7 bis 4.5 ARDC1 max 14.5 bis 480 mΩRDC2 max 14.5 bis 480 mΩ
WE-DD SMT-Doppeldrossel
WE-DD SMT-Doppeldrossel
IR 1 0.3 bis 8.6 ARDC1 max 0.015 Ω bis 2320 mΩRDC2 max 0.015 Ω bis 2320 mΩ
WE-DCT Ringkern-Doppeldrossel
WE-DCT Ringkern-Doppeldrossel
IR 1 1.1 bis 14.5 ARDC1 max 3.5 bis 290 mΩRDC2 max 3.5 bis 290 mΩ
WE-CFWI Gekoppelte Flachdraht Doppeldrossel
WE-CFWI Gekoppelte Flachdraht Doppeldrossel
IR 1 11.5 bis 28 ARDC 1 1.6 bis 13.9 mΩRDC 2 1.6 bis 13.9 mΩ
WE-DPC SMT-Doppeldrossel
WE-DPC SMT-Doppeldrossel
IR 1 0.9 bis 4.5 ARDC1 max 35 bis 350 mΩRDC2 max 35 bis 350 mΩ
WE-DPC HV SMT-Doppeldrossel
WE-DPC HV SMT-Doppeldrossel
IR 1 2.5 ARDC1 max 72 mΩRDC2 max 72 mΩ
WE-MCRI SMT Umpresste Doppeldrossel
WE-MCRI SMT Umpresste Doppeldrossel
IR 1 1.5 bis 17 ARDC1 max 5.6 bis 340 mΩRDC2 max 5.6 bis 340 mΩ
WE-MTCI SMT Multi-Turn Ratio Doppeldrossel
WE-MTCI SMT Multi-Turn Ratio Doppeldrossel
IR 1 0.45 bis 0.95 ARDC1 max 500 bis 1900 mΩRDC2 max 600 bis 5200 mΩ
WE-TDC HV SMT Doppeldrossel
WE-TDC HV SMT Doppeldrossel
IR 1 0.75 bis 2.45 ARDC1 max 110 bis 780 mΩRDC2 max 110 bis 780 mΩ
ERW.
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-AnwendungERWEITERT
GeschirmtL1 70 bis 200 nHIRP,1 78 A
Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
L1(nH)
L2(nH)
n
IR 1(A)
IR 1(A)
IR 2(A)
ISAT 1(A)
ISAT1(A)
ISAT2(A)
RDC1 typ(mΩ)
RDC2 typ(mΩ)
RDC1 max(mΩ)
RDC2 max(mΩ)
RDC 1(mΩ)
RDC 2(mΩ)
fres 1(MHz)
Produktserie
Design Kit
Muster
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung70 nH, 70 nH, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 170 nH
Induktivität 270 nH
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.37 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung70 nH, 70 nH, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 170 nH
Induktivität 270 nH
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.33 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung91 nH, 91 nH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 191 nH
Induktivität 291 nH
Nennstrom 114.5 A
Nennstrom 214.5 A
Sättigungsstrom [1]120 A
Gleichstromwiderstand 12.8 mΩ
Gleichstromwiderstand 22.8 mΩ
Gleichstromwiderstand 13.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 23.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung100 nH, 100 nH, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1100 nH
Induktivität 2100 nH
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.33 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung105 nH, 105 nH, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1105 nH
Induktivität 2105 nH
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.37 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung120 nH, 120 nH, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1120 nH
Induktivität 2120 nH
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.33 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung120 nH, 120 nH, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1120 nH
Induktivität 2120 nH
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.37 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung150 nH, 150 nH, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1150 nH
Induktivität 2150 nH
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.33 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung150 nH, 150 nH, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1150 nH
Induktivität 2150 nH
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.37 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung160 nH, 160 nH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1160 nH
Induktivität 2160 nH
Nennstrom 113.8 A
Nennstrom 213.8 A
Sättigungsstrom [1]90 A
Gleichstromwiderstand 13.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 23.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 14.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 24.4 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung180 nH, 180 nH, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1180 nH
Induktivität 2180 nH
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.37 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung200 nH, 200 nH, –
Simu­lation
Status Neui| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1200 nH
Induktivität 2200 nH
Gleichstromwiderstand 10.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 20.37 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung270 nH, 270 nH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1270 nH
Induktivität 2270 nH
Nennstrom 112.3 A
Nennstrom 212.3 A
Sättigungsstrom [1]65 A
Gleichstromwiderstand 14 mΩ
Gleichstromwiderstand 24 mΩ
Gleichstromwiderstand 15 mΩ
Gleichstromwiderstand 25 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung330 nH, 330 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1330 nH
Induktivität 2330 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14 A
Nennstrom 24 A
Sättigungsstrom [1]9 A
Sättigungsstrom 19 A
Sättigungsstrom 29 A
Gleichstromwiderstand 111.1 mΩ
Gleichstromwiderstand 211.1 mΩ
Gleichstromwiderstand 115 mΩ
Gleichstromwiderstand 215 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]280 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung390 nH, 390 nH, 1:1
Simu­lation
Status NRNDi| Produktion ist aktiv. Der Artikel ist nicht empfohlen für neue Designs. Erwartete Lebenszeit: 2-5 Jahre.
Induktivität 1390 nH
Induktivität 2390 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14.5 A
Nennstrom 24.5 A
Sättigungsstrom [1]14 A
Sättigungsstrom 114 A
Sättigungsstrom 214 A
Gleichstromwiderstand 111.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 211.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 114.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 214.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]210 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung390 nH, 390 nH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1390 nH
Induktivität 2390 nH
Nennstrom 110.6 A
Nennstrom 210.6 A
Sättigungsstrom [1]50 A
Gleichstromwiderstand 14.7 mΩ
Gleichstromwiderstand 24.7 mΩ
Gleichstromwiderstand 16 mΩ
Gleichstromwiderstand 26 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung560 nH, 560 nH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1560 nH
Induktivität 2560 nH
Nennstrom 19.8 A
Nennstrom 29.8 A
Sättigungsstrom [1]40 A
Gleichstromwiderstand 15.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 25.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 16.7 mΩ
Gleichstromwiderstand 26.7 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung680 nH, 680 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1680 nH
Induktivität 2680 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.3 A
Nennstrom 23.3 A
Sättigungsstrom [1]6.5 A
Sättigungsstrom 16.5 A
Sättigungsstrom 26.5 A
Gleichstromwiderstand 116.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 216.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 121 mΩ
Gleichstromwiderstand 221 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]190 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung800 nH, 800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1800 nH
Induktivität 2800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 128 A
Nennstrom 228 A
Sättigungsstrom 162 A
Sättigungsstrom 262 A
Gleichstromwiderstand 11.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 21.6 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung820 nH, 820 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1820 nH
Induktivität 2820 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.7 A
Nennstrom 23.7 A
Sättigungsstrom [1]9.6 A
Sättigungsstrom 19.6 A
Sättigungsstrom 29.6 A
Gleichstromwiderstand 115.9 mΩ
Gleichstromwiderstand 215.9 mΩ
Gleichstromwiderstand 120 mΩ
Gleichstromwiderstand 220 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]140 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung1000 nH, 1000 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11000 nH
Induktivität 21000 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.85 A
Nennstrom 22.85 A
Sättigungsstrom [1]5.1 A
Sättigungsstrom 15.1 A
Sättigungsstrom 25.1 A
Gleichstromwiderstand 122.2 mΩ
Gleichstromwiderstand 222.2 mΩ
Gleichstromwiderstand 128 mΩ
Gleichstromwiderstand 228 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]136 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung1000 nH, 1000 nH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11000 nH
Induktivität 21000 nH
Nennstrom 18.6 A
Nennstrom 28.6 A
Sättigungsstrom [1]30 A
Gleichstromwiderstand 17.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 27.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 18.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 28.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung1000 nH, 1000 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11000 nH
Induktivität 21000 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14.5 A
Nennstrom 24.5 A
Sättigungsstrom [1]5 A
Sättigungsstrom 15 A
Gleichstromwiderstand 125 mΩ
Gleichstromwiderstand 225 mΩ
Gleichstromwiderstand 135 mΩ
Gleichstromwiderstand 235 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]150 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung1000 nH, 1000 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11000 nH
Induktivität 21000 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 117 A
Nennstrom 217 A
Sättigungsstrom 143.5 A
Sättigungsstrom 243.5 A
Gleichstromwiderstand 14.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 24.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 15.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 25.6 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung1000 nH, 1000 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11000 nH
Induktivität 21000 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 112 A
Nennstrom 212 A
Sättigungsstrom 130.2 A
Sättigungsstrom 230.2 A
Gleichstromwiderstand 16.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 26.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 17.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 27.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung1200 nH, 1200 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11200 nH
Induktivität 21200 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.05 A
Nennstrom 23.05 A
Sättigungsstrom [1]7.5 A
Sättigungsstrom 17.5 A
Sättigungsstrom 27.5 A
Gleichstromwiderstand 120.2 mΩ
Gleichstromwiderstand 220.2 mΩ
Gleichstromwiderstand 126 mΩ
Gleichstromwiderstand 226 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]90 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung1200 nH, 1200 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11200 nH
Induktivität 21200 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 123 A
Nennstrom 223 A
Sättigungsstrom 147 A
Sättigungsstrom 247 A
Gleichstromwiderstand 12.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 22.4 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11300 nH
Induktivität 21300 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14.4 A
Nennstrom 24.4 A
Sättigungsstrom [1]6.3 A
Gleichstromwiderstand 127 mΩ
Gleichstromwiderstand 227 mΩ
Gleichstromwiderstand 135 mΩ
Gleichstromwiderstand 235 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]60 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung1500 nH, 1500 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11500 nH
Induktivität 21500 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 15.85 A
Nennstrom 25.85 A
Sättigungsstrom [1]14 A
Gleichstromwiderstand 112 mΩ
Gleichstromwiderstand 212 mΩ
Gleichstromwiderstand 116 mΩ
Gleichstromwiderstand 216 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]70 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung1500 nH, 1500 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11500 nH
Induktivität 21500 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 16.25 A
Nennstrom 26.25 A
Sättigungsstrom [1]18 A
Gleichstromwiderstand 111 mΩ
Gleichstromwiderstand 211 mΩ
Gleichstromwiderstand 115 mΩ
Gleichstromwiderstand 215 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]75 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung1500 nH, 1500 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11500 nH
Induktivität 21500 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 18.6 A
Nennstrom 28.6 A
Sättigungsstrom [1]17.5 A
Gleichstromwiderstand 112 mΩ
Gleichstromwiderstand 212 mΩ
Gleichstromwiderstand 116 mΩ
Gleichstromwiderstand 216 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]60 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung1500 nH, 1500 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11500 nH
Induktivität 21500 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 112.5 A
Nennstrom 212.5 A
Sättigungsstrom 134 A
Sättigungsstrom 234 A
Gleichstromwiderstand 18.8 mΩ
Gleichstromwiderstand 28.8 mΩ
Gleichstromwiderstand 19.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 29.4 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung1500 nH, 1500 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11500 nH
Induktivität 21500 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 111.1 A
Nennstrom 211.1 A
Sättigungsstrom 128.1 A
Sättigungsstrom 228.1 A
Gleichstromwiderstand 18.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 28.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 110 mΩ
Gleichstromwiderstand 210 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung1700 nH, 1700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11700 nH
Induktivität 21700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 121 A
Nennstrom 221 A
Sättigungsstrom 139 A
Sättigungsstrom 239 A
Gleichstromwiderstand 13.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 23.3 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung1800 nH, 1800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11800 nH
Induktivität 21800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.85 A
Nennstrom 22.85 A
Sättigungsstrom [1]5.8 A
Sättigungsstrom 15.8 A
Sättigungsstrom 25.8 A
Gleichstromwiderstand 125.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 225.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 131 mΩ
Gleichstromwiderstand 231 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]60 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11800 nH
Induktivität 21800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14.7 A
Nennstrom 24.7 A
Sättigungsstrom [1]6.5 A
Gleichstromwiderstand 125 mΩ
Gleichstromwiderstand 225 mΩ
Gleichstromwiderstand 134 mΩ
Gleichstromwiderstand 234 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]58 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung2200 nH, 2200 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12200 nH
Induktivität 22200 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.9 A
Nennstrom 21.9 A
Sättigungsstrom [1]3.5 A
Sättigungsstrom 13.5 A
Sättigungsstrom 23.5 A
Gleichstromwiderstand 149.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 249.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 158 mΩ
Gleichstromwiderstand 258 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]85 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung2200 nH, 2200 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12200 nH
Induktivität 22200 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14.1 A
Nennstrom 24.1 A
Sättigungsstrom [1]19 A
Gleichstromwiderstand 115 mΩ
Gleichstromwiderstand 215 mΩ
Gleichstromwiderstand 117 mΩ
Gleichstromwiderstand 217 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]45 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung2200 nH, 2200 nH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12200 nH
Induktivität 22200 nH
Nennstrom 18.6 A
Nennstrom 28.6 A
Sättigungsstrom [1]17 A
Gleichstromwiderstand 17.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 27.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 18.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 28.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung2200 nH, 2200 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12200 nH
Induktivität 22200 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 118 A
Nennstrom 218 A
Sättigungsstrom 135 A
Sättigungsstrom 235 A
Gleichstromwiderstand 14.2 mΩ
Gleichstromwiderstand 24.2 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung2200 nH, 2200 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12200 nH
Induktivität 22200 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.9 A
Nennstrom 23.9 A
Sättigungsstrom [1]3.4 A
Sättigungsstrom 13.4 A
Gleichstromwiderstand 133 mΩ
Gleichstromwiderstand 233 mΩ
Gleichstromwiderstand 147 mΩ
Gleichstromwiderstand 247 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]80 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12200 nH
Induktivität 22200 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.5 A
Nennstrom 22.5 A
Sättigungsstrom [1]3.2 A
Gleichstromwiderstand 150 mΩ
Gleichstromwiderstand 250 mΩ
Gleichstromwiderstand 172 mΩ
Gleichstromwiderstand 272 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]95 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung2200 nH, 2200 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12200 nH
Induktivität 22200 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 111.5 A
Nennstrom 211.5 A
Sättigungsstrom 129.5 A
Sättigungsstrom 229.5 A
Gleichstromwiderstand 110.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 210.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 112.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 212.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung2200 nH, 2200 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12200 nH
Induktivität 22200 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 18.2 A
Nennstrom 28.2 A
Sättigungsstrom 120.6 A
Sättigungsstrom 220.6 A
Gleichstromwiderstand 114 mΩ
Gleichstromwiderstand 214 mΩ
Gleichstromwiderstand 116.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 216.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12400 nH
Induktivität 22400 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.6 A
Nennstrom 23.6 A
Sättigungsstrom [1]4.8 A
Gleichstromwiderstand 142 mΩ
Gleichstromwiderstand 242 mΩ
Gleichstromwiderstand 152 mΩ
Gleichstromwiderstand 252 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]53 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12400 nH
Induktivität 22400 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14.2 A
Nennstrom 24.2 A
Sättigungsstrom [1]5.6 A
Gleichstromwiderstand 131 mΩ
Gleichstromwiderstand 231 mΩ
Gleichstromwiderstand 142 mΩ
Gleichstromwiderstand 242 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]50 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung2400 nH, 2400 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12400 nH
Induktivität 22400 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 15.5 A
Nennstrom 25.5 A
Sättigungsstrom [1]11.5 A
Gleichstromwiderstand 113 mΩ
Gleichstromwiderstand 213 mΩ
Gleichstromwiderstand 117 mΩ
Gleichstromwiderstand 217 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]54 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung2400 nH, 2400 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12400 nH
Induktivität 22400 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 16 A
Nennstrom 26 A
Sättigungsstrom [1]14 A
Gleichstromwiderstand 112 mΩ
Gleichstromwiderstand 212 mΩ
Gleichstromwiderstand 116 mΩ
Gleichstromwiderstand 216 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]54 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung2400 nH, 2400 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12400 nH
Induktivität 22400 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 17.8 A
Nennstrom 27.8 A
Sättigungsstrom [1]15 A
Gleichstromwiderstand 114 mΩ
Gleichstromwiderstand 214 mΩ
Gleichstromwiderstand 118 mΩ
Gleichstromwiderstand 218 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]40 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung2700 nH, 2700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12700 nH
Induktivität 22700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.85 A
Nennstrom 21.85 A
Sättigungsstrom [1]3 A
Sättigungsstrom 13 A
Sättigungsstrom 23 A
Gleichstromwiderstand 169.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 269.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 180.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 280.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]65 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung2700 nH, 2700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12700 nH
Induktivität 22700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.5 A
Nennstrom 22.5 A
Sättigungsstrom [1]5.1 A
Sättigungsstrom 15.1 A
Sättigungsstrom 25.1 A
Gleichstromwiderstand 134.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 234.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 140 mΩ
Gleichstromwiderstand 240 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]55 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung2700 nH, 2700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12700 nH
Induktivität 22700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 17.4 A
Nennstrom 27.4 A
Sättigungsstrom 116.5 A
Sättigungsstrom 216.5 A
Gleichstromwiderstand 116.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 216.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 116.8 mΩ
Gleichstromwiderstand 216.8 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung2900 nH, 2900 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12900 nH
Induktivität 22900 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 117 A
Nennstrom 217 A
Sättigungsstrom 129 A
Sättigungsstrom 229 A
Gleichstromwiderstand 15.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 25.6 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13300 nH
Induktivität 23300 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.3 A
Nennstrom 23.3 A
Sättigungsstrom [1]4 A
Gleichstromwiderstand 152 mΩ
Gleichstromwiderstand 252 mΩ
Gleichstromwiderstand 164 mΩ
Gleichstromwiderstand 264 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]49 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13300 nH
Induktivität 23300 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.7 A
Nennstrom 23.7 A
Sättigungsstrom [1]5 A
Gleichstromwiderstand 140 mΩ
Gleichstromwiderstand 240 mΩ
Gleichstromwiderstand 152 mΩ
Gleichstromwiderstand 252 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]46 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung3300 nH, 3300 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13300 nH
Induktivität 23300 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14.91 A
Nennstrom 24.91 A
Sättigungsstrom [1]8.9 A
Gleichstromwiderstand 117 mΩ
Gleichstromwiderstand 217 mΩ
Gleichstromwiderstand 121 mΩ
Gleichstromwiderstand 221 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]45 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung3300 nH, 3300 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13300 nH
Induktivität 23300 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 15.14 A
Nennstrom 25.14 A
Sättigungsstrom [1]11 A
Gleichstromwiderstand 117 mΩ
Gleichstromwiderstand 217 mΩ
Gleichstromwiderstand 122 mΩ
Gleichstromwiderstand 222 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]41 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung3300 nH, 3300 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13300 nH
Induktivität 23300 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 17.1 A
Nennstrom 27.1 A
Sättigungsstrom [1]12 A
Gleichstromwiderstand 116 mΩ
Gleichstromwiderstand 216 mΩ
Gleichstromwiderstand 121 mΩ
Gleichstromwiderstand 221 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]30 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung3300 nH, 3300 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13300 nH
Induktivität 23300 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.7 A
Nennstrom 23.7 A
Sättigungsstrom [1]15.5 A
Gleichstromwiderstand 117 mΩ
Gleichstromwiderstand 217 mΩ
Gleichstromwiderstand 120 mΩ
Gleichstromwiderstand 220 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]35 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung3300 nH, 3300 nH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13300 nH
Induktivität 23300 nH
Nennstrom 17.7 A
Nennstrom 27.7 A
Sättigungsstrom [1]13.5 A
Gleichstromwiderstand 19 mΩ
Gleichstromwiderstand 29 mΩ
Gleichstromwiderstand 112 mΩ
Gleichstromwiderstand 212 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung3300 nH, 3300 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13300 nH
Induktivität 23300 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.5 A
Nennstrom 23.5 A
Sättigungsstrom [1]2.5 A
Sättigungsstrom 12.5 A
Gleichstromwiderstand 140 mΩ
Gleichstromwiderstand 240 mΩ
Gleichstromwiderstand 157 mΩ
Gleichstromwiderstand 257 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]56 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung3300 nH, 3300 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13300 nH
Induktivität 23300 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 17.5 A
Nennstrom 27.5 A
Sättigungsstrom 128.2 A
Sättigungsstrom 228.2 A
Gleichstromwiderstand 123.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 223.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 126 mΩ
Gleichstromwiderstand 226 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung3300 nH, 3300 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13300 nH
Induktivität 23300 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 16.8 A
Nennstrom 26.8 A
Sättigungsstrom 114.3 A
Sättigungsstrom 214.3 A
Gleichstromwiderstand 120.7 mΩ
Gleichstromwiderstand 220.7 mΩ
Gleichstromwiderstand 123.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 223.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung3500 nH, 3500 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13500 nH
Induktivität 23500 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 114 A
Nennstrom 214 A
Sättigungsstrom 127 A
Sättigungsstrom 227 A
Gleichstromwiderstand 17.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 27.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung3600 nH, 3600 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13600 nH
Induktivität 23600 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.3 A
Nennstrom 22.3 A
Sättigungsstrom [1]4.6 A
Sättigungsstrom 14.6 A
Sättigungsstrom 24.6 A
Gleichstromwiderstand 147 mΩ
Gleichstromwiderstand 247 mΩ
Gleichstromwiderstand 153 mΩ
Gleichstromwiderstand 253 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]45 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung3900 nH, 3900 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13900 nH
Induktivität 23900 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.6 A
Nennstrom 21.6 A
Sättigungsstrom [1]2.55 A
Sättigungsstrom 12.55 A
Sättigungsstrom 22.55 A
Gleichstromwiderstand 182 mΩ
Gleichstromwiderstand 282 mΩ
Gleichstromwiderstand 194 mΩ
Gleichstromwiderstand 294 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]60 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung4400 nH, 4400 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14400 nH
Induktivität 24400 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 112 A
Nennstrom 212 A
Sättigungsstrom 124 A
Sättigungsstrom 224 A
Gleichstromwiderstand 19.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 29.6 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung4700 nH, 4700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.85 A
Nennstrom 21.85 A
Sättigungsstrom [1]4.2 A
Sättigungsstrom 14.2 A
Sättigungsstrom 24.2 A
Gleichstromwiderstand 154.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 254.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 164 mΩ
Gleichstromwiderstand 264 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]30 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.3 A
Nennstrom 21.3 A
Sättigungsstrom [1]3 A
Gleichstromwiderstand 165 mΩ
Gleichstromwiderstand 265 mΩ
Gleichstromwiderstand 175 mΩ
Gleichstromwiderstand 275 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]46 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.55 A
Nennstrom 22.55 A
Sättigungsstrom [1]4 A
Gleichstromwiderstand 152 mΩ
Gleichstromwiderstand 252 mΩ
Gleichstromwiderstand 164 mΩ
Gleichstromwiderstand 264 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]42 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung4700 nH, 4700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14.22 A
Nennstrom 24.22 A
Sättigungsstrom [1]8 A
Gleichstromwiderstand 123 mΩ
Gleichstromwiderstand 223 mΩ
Gleichstromwiderstand 128 mΩ
Gleichstromwiderstand 228 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]39 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung4700 nH, 4700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13 A
Nennstrom 23 A
Sättigungsstrom [1]8 A
Gleichstromwiderstand 123 mΩ
Gleichstromwiderstand 223 mΩ
Gleichstromwiderstand 128 mΩ
Gleichstromwiderstand 228 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]20 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung4700 nH, 4700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14.87 A
Nennstrom 24.87 A
Sättigungsstrom [1]10 A
Gleichstromwiderstand 119 mΩ
Gleichstromwiderstand 219 mΩ
Gleichstromwiderstand 124 mΩ
Gleichstromwiderstand 224 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]32 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung4700 nH, 4700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.6 A
Nennstrom 23.6 A
Sättigungsstrom [1]10 A
Gleichstromwiderstand 125 mΩ
Gleichstromwiderstand 225 mΩ
Gleichstromwiderstand 130 mΩ
Gleichstromwiderstand 230 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]34 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung4700 nH, 4700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.6 A
Nennstrom 23.6 A
Sättigungsstrom [1]13 A
Gleichstromwiderstand 119 mΩ
Gleichstromwiderstand 219 mΩ
Gleichstromwiderstand 123 mΩ
Gleichstromwiderstand 223 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]30 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung4700 nH, 4700 nH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Nennstrom 17.2 A
Nennstrom 27.2 A
Sättigungsstrom [1]11 A
Gleichstromwiderstand 110.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 210.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 114 mΩ
Gleichstromwiderstand 214 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung4700 nH, 4700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.1 A
Nennstrom 23.1 A
Sättigungsstrom [1]2.1 A
Sättigungsstrom 12.1 A
Gleichstromwiderstand 144 mΩ
Gleichstromwiderstand 244 mΩ
Gleichstromwiderstand 162 mΩ
Gleichstromwiderstand 262 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]46 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung4700 nH, 4700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 15.9 A
Nennstrom 25.9 A
Sättigungsstrom 124.2 A
Sättigungsstrom 224.2 A
Gleichstromwiderstand 136 mΩ
Gleichstromwiderstand 236 mΩ
Gleichstromwiderstand 140 mΩ
Gleichstromwiderstand 240 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.45 A
Nennstrom 22.45 A
Sättigungsstrom 14.7 A
Sättigungsstrom 24.7 A
Gleichstromwiderstand 185 mΩ
Gleichstromwiderstand 285 mΩ
Gleichstromwiderstand 1110 mΩ
Gleichstromwiderstand 2110 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]43 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung4700 nH, 4700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14700 nH
Induktivität 24700 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 16.2 A
Nennstrom 26.2 A
Sättigungsstrom 113.8 A
Sättigungsstrom 213.8 A
Gleichstromwiderstand 124.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 224.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 129 mΩ
Gleichstromwiderstand 229 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung5600 nH, 5600 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15600 nH
Induktivität 25600 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.45 A
Nennstrom 21.45 A
Sättigungsstrom [1]2.2 A
Sättigungsstrom 12.2 A
Sättigungsstrom 22.2 A
Gleichstromwiderstand 1114 mΩ
Gleichstromwiderstand 2114 mΩ
Gleichstromwiderstand 1131 mΩ
Gleichstromwiderstand 2131 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]50 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15600 nH
Induktivität 25600 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.5 A
Nennstrom 21.5 A
Sättigungsstrom [1]3 A
Gleichstromwiderstand 195 mΩ
Gleichstromwiderstand 295 mΩ
Gleichstromwiderstand 1120 mΩ
Gleichstromwiderstand 2120 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]26 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15600 nH
Induktivität 25600 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.9 A
Nennstrom 21.9 A
Sättigungsstrom [1]3.5 A
Gleichstromwiderstand 180 mΩ
Gleichstromwiderstand 280 mΩ
Gleichstromwiderstand 195 mΩ
Gleichstromwiderstand 295 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]23 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15600 nH
Induktivität 25600 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.4 A
Nennstrom 21.4 A
Sättigungsstrom 12 A
Sättigungsstrom 22 A
Gleichstromwiderstand 1190 mΩ
Gleichstromwiderstand 2190 mΩ
Gleichstromwiderstand 1234 mΩ
Gleichstromwiderstand 2234 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]58 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung6800 nH, 6800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.25 A
Nennstrom 21.25 A
Sättigungsstrom [1]2 A
Sättigungsstrom 12 A
Sättigungsstrom 22 A
Gleichstromwiderstand 1128 mΩ
Gleichstromwiderstand 2128 mΩ
Gleichstromwiderstand 1146 mΩ
Gleichstromwiderstand 2146 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]46 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung6800 nH, 6800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.45 A
Nennstrom 21.45 A
Sättigungsstrom [1]3.2 A
Sättigungsstrom 13.2 A
Sättigungsstrom 23.2 A
Gleichstromwiderstand 188 mΩ
Gleichstromwiderstand 288 mΩ
Gleichstromwiderstand 1100 mΩ
Gleichstromwiderstand 2100 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]25 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.4 A
Nennstrom 21.4 A
Sättigungsstrom [1]2.8 A
Gleichstromwiderstand 1110 mΩ
Gleichstromwiderstand 2110 mΩ
Gleichstromwiderstand 1135 mΩ
Gleichstromwiderstand 2135 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]25 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.8 A
Nennstrom 21.8 A
Sättigungsstrom [1]3.2 A
Gleichstromwiderstand 185 mΩ
Gleichstromwiderstand 285 mΩ
Gleichstromwiderstand 1102 mΩ
Gleichstromwiderstand 2102 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]20 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung6800 nH, 6800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.9 A
Nennstrom 23.9 A
Sättigungsstrom [1]6.8 A
Gleichstromwiderstand 127 mΩ
Gleichstromwiderstand 227 mΩ
Gleichstromwiderstand 132 mΩ
Gleichstromwiderstand 232 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]33 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung6800 nH, 6800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.8 A
Nennstrom 22.8 A
Sättigungsstrom [1]6.5 A
Gleichstromwiderstand 135 mΩ
Gleichstromwiderstand 235 mΩ
Gleichstromwiderstand 140 mΩ
Gleichstromwiderstand 240 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]20 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung6800 nH, 6800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.2 A
Nennstrom 23.2 A
Sättigungsstrom [1]8 A
Gleichstromwiderstand 127 mΩ
Gleichstromwiderstand 227 mΩ
Gleichstromwiderstand 135 mΩ
Gleichstromwiderstand 235 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]18 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung6800 nH, 6800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.3 A
Nennstrom 23.3 A
Sättigungsstrom [1]11.5 A
Gleichstromwiderstand 126 mΩ
Gleichstromwiderstand 226 mΩ
Gleichstromwiderstand 131 mΩ
Gleichstromwiderstand 231 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]23 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung6800 nH, 6800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.3 A
Nennstrom 22.3 A
Sättigungsstrom [1]1.8 A
Sättigungsstrom 11.8 A
Gleichstromwiderstand 160 mΩ
Gleichstromwiderstand 260 mΩ
Gleichstromwiderstand 185 mΩ
Gleichstromwiderstand 285 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]42 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung6800 nH, 6800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 114 A
Nennstrom 214 A
Sättigungsstrom 116 A
Sättigungsstrom 216 A
Gleichstromwiderstand 111.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 211.3 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung6800 nH, 6800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 113.5 A
Nennstrom 213.5 A
Sättigungsstrom 126 A
Sättigungsstrom 226 A
Gleichstromwiderstand 16.1 mΩ
Gleichstromwiderstand 26.1 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung6800 nH, 6800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 15 A
Nennstrom 25 A
Sättigungsstrom 121.2 A
Sättigungsstrom 221.2 A
Gleichstromwiderstand 146 mΩ
Gleichstromwiderstand 246 mΩ
Gleichstromwiderstand 151.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 251.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung6800 nH, 6800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16800 nH
Induktivität 26800 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 15 A
Nennstrom 25 A
Sättigungsstrom 112 A
Sättigungsstrom 212 A
Gleichstromwiderstand 138 mΩ
Gleichstromwiderstand 238 mΩ
Gleichstromwiderstand 144 mΩ
Gleichstromwiderstand 244 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung7000 nH, 70000000 nH, 1 : 100
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 17000 nH
Induktivität 270000000 nH
Übersetzungsverhältnis1 : 100 
Nennstrom [1]1.9 A
Nennstrom 11.9 A
Sättigungsstrom [1]1.3 A
Sättigungsstrom 11.3 A
Gleichstromwiderstand 185 mΩ
Gleichstromwiderstand 2205000 mΩ
Gleichstromwiderstand 195 mΩ
Gleichstromwiderstand 2240000 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18200 nH
Induktivität 28200 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.3 A
Nennstrom 21.3 A
Sättigungsstrom [1]2.7 A
Gleichstromwiderstand 1115 mΩ
Gleichstromwiderstand 2115 mΩ
Gleichstromwiderstand 1140 mΩ
Gleichstromwiderstand 2140 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]22 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18200 nH
Induktivität 28200 nH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.7 A
Nennstrom 21.7 A
Sättigungsstrom [1]2.9 A
Gleichstromwiderstand 191 mΩ
Gleichstromwiderstand 291 mΩ
Gleichstromwiderstand 1110 mΩ
Gleichstromwiderstand 2110 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]17 MHz
Design Kit