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WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung NEU

Geschirmt

WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
 Bauform MaßeL
(mm)
W
(mm)
H
(mm)
Montageart
NEU 0910 9.3 6.1 10.2 SMT
NEU 1111 11.7 5.7 11 SMT

Merkmale

  • Sättigungsstrom bis zu 190 A
  • Niedriger Rdc bis zu 125uΩ
  • Kopplungsfaktor bis zu 0,98
  • Betriebstemperatur von 125 °C
  • MnZn-Kern, Material mit hoher Durchlässigkeit

Anwendung

  • TLVR Topologie
  • Mehrstufige Spannungsregler
  • CPU-Grundplatinen
  • Server
  • FPGA
  • Internet-Switch
  • Hochleistungs-ASIC-Anwendungen

Artikeldaten

Alle
0910
1111
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads StatusL1
(nH)
L2
(nH)
IRP,1
(A)
IRP,2
(A)
ISAT,1
(A)
RDC1 typ
(mΩ)
RDC2 typ
(mΩ)
Kopplungsfaktor (Value)VOP
(V)
Muster
7443001111070SPEC

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8 Dateien Neu i| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. 70 70 78 53 190 0.125 0.37 0.93 40
7443000910070SPEC

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8 Dateien Neu i| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. 70 70 78 53 166 0.125 0.33 0.93 40
7443000910100SPEC

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8 Dateien Neu i| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. 100 100 78 53 117 0.125 0.33 0.95 40
7443001111105SPEC

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8 Dateien Neu i| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. 105 105 78 53 142 0.125 0.37 0.96 40
7443000910120SPEC

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8 Dateien Neu i| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. 120 120 78 53 98 0.125 0.33 0.96 40
7443001111120SPEC

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7443000910150SPEC

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8 Dateien Neu i| Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. 150 150 78 53 79 0.125 0.33 0.97 40
7443001111150SPEC

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7443001111180SPEC

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7443001111200SPEC

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Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation
7443001111070SPEC

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Muster
Artikel Nr. Daten­blatt Simu­lation Downloads StatusL1
(nH)
L2
(nH)
IRP,1
(A)
IRP,2
(A)
ISAT,1
(A)
RDC1 typ
(mΩ)
RDC2 typ
(mΩ)
Kopplungsfaktor (Value)VOP
(V)
Muster

Gekoppeltes Ferrit Design

HCMD: Optimiert für TLVR-Topologie

Der High Current Multiphase Dual Inductor wurde speziell für den Einsatz in TLVR-Topologie (Trans Inductor Voltage Regulator) entwickelt und zeichnet sich durch ein gekoppeltes Ferrit-Design aus. Diese fortschrittliche Konfiguration ist ideal für Hochleistungsprozessoren und bietet einen hohen Kopplungsfaktor und die Fähigkeit, hohe Ströme über kurze Zeiträume zu verarbeiten.

Wichtige Komponenten und Merkmale:

  • MnZn-Kernmaterial: Der HCMD verwendet ein MnZn-Kernmaterial (Mangan-Zink), das für seine hohe Permeabilität bekannt ist und eine effiziente magnetische Leistung gewährleistet.
  • Luftspalt: Ein Luftspalt dient zur Steuerung und Änderung der Induktivität und bietet präzise Abstimmungsmöglichkeiten.
  • Externer Flachdraht: Der externe Flachdraht ist ohne Isolierung ausgeführt, wodurch er für Hochstromanwendungen und niedrige RDC-Werte optimiert ist.
  • Interner Flachdraht: Der interne Flachdraht ist mit einer Isolierung ausgestattet, die Sicherheit und Zuverlässigkeit in Hochleistungsumgebungen gewährleistet.

Jede Komponente der HCMD wurde sorgfältig hergestellt, um eine umfassende Lösung für die Anforderungen hoher Leistungen zu bieten.

Einzelne Bestandteile der WE-HCMD übereinandergeordnet

TLVR-Topologie

Die Trans-Induktor-Spannungsregler (TLVR)-Topologie ist eine Weiterentwicklung des Mehrphasen-Abwärtsreglers. Sie bietet eine schnelle Reaktionszeit bei Anwendungen, in denen plötzliche Lastwechsel auftreten, sowie eine hohe Leistungsdichte und niedrige Lösungskosten. Die Primärseite jedes gekoppelten Induktors (HCMD) ist zwischen dem Schaltknoten jeder Phase (Phase 1 und Phase 2… Phase n) und der Ausgangsspannung des Wandlers (VOUT) verbunden.

Die Sekundärseite ist in Reihe mit den restlichen Phasen und dem Kompensationsinduktor verbunden.

Schematische Darstellung der TLVR Topology