WE-CFWI Gekoppelte Flachdraht Doppeldrossel
BauformMaßeL
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
1310
15.5 13.2 10.5
1312
15.5 13.2 12.5
1813
21 18.5 13.5

Merkmale

  • Sehr geringer RDC
  • Sättigungsströme größer als 50 A
  • Geringer Induktivitätsdrift über Temperatur
  • Gekoppelte Induktivität mit zwei identischen Wicklungen
  • Durch Reihen- und Parallelverschaltungen weitere Drossellösungen möglich

Anwendung

  • Hochleistungsschaltregler
  • 1:1 Sperrwandler-Anwendungen
  • Buck, Boost, Sepic, Cuk-Schaltregler
  • Schaltregler mit zweiter, ungeregelter Ausgangsspannung
  • Battery Cell Charging Balancer

Duett der Meisterklasse!

Die WE-MCRI ist eine innovative, gemoldete Doppeldrossel. Der vollautomatische Produktionsprozess mit Bifilarwicklung ermöglicht einen fast idealen Kopplungskoeffizienten von bis zu 0,995.

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Daten­blatt
Simu­lation
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Status
L1(µH)
L2(µH)
n
IR 1(A)
IR 2(A)
ISAT1(A)
ISAT2(A)
RDC 1(mΩ)
RDC 2(mΩ)
Muster
74485540080
0.8 µH, 0.8 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10.8 µH
Induktivität 20.8 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 128 A
Nennstrom 228 A
Sättigungsstrom 162 A
Sättigungsstrom 262 A
Gleichstromwiderstand 11.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 21.6 mΩ
74485540120
1.2 µH, 1.2 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11.2 µH
Induktivität 21.2 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 123 A
Nennstrom 223 A
Sättigungsstrom 147 A
Sättigungsstrom 247 A
Gleichstromwiderstand 12.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 22.4 mΩ
74485540170
1.7 µH, 1.7 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11.7 µH
Induktivität 21.7 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 121 A
Nennstrom 221 A
Sättigungsstrom 139 A
Sättigungsstrom 239 A
Gleichstromwiderstand 13.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 23.3 mΩ
74485540220
2.2 µH, 2.2 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12.2 µH
Induktivität 22.2 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 118 A
Nennstrom 218 A
Sättigungsstrom 135 A
Sättigungsstrom 235 A
Gleichstromwiderstand 14.2 mΩ
Gleichstromwiderstand 24.2 mΩ
74485540290
2.9 µH, 2.9 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12.9 µH
Induktivität 22.9 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 117 A
Nennstrom 217 A
Sättigungsstrom 129 A
Sättigungsstrom 229 A
Gleichstromwiderstand 15.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 25.6 mΩ
74485540350
3.5 µH, 3.5 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13.5 µH
Induktivität 23.5 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 114 A
Nennstrom 214 A
Sättigungsstrom 127 A
Sättigungsstrom 227 A
Gleichstromwiderstand 17.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 27.5 mΩ
74485540440
4.4 µH, 4.4 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14.4 µH
Induktivität 24.4 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 112 A
Nennstrom 212 A
Sättigungsstrom 124 A
Sättigungsstrom 224 A
Gleichstromwiderstand 19.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 29.6 mΩ
74485540680
6.8 µH, 6.8 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16.8 µH
Induktivität 26.8 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 114 A
Nennstrom 214 A
Sättigungsstrom 116 A
Sättigungsstrom 216 A
Gleichstromwiderstand 111.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 211.3 mΩ
74485542680
6.8 µH, 6.8 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16.8 µH
Induktivität 26.8 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 113.5 A
Nennstrom 213.5 A
Sättigungsstrom 126 A
Sättigungsstrom 226 A
Gleichstromwiderstand 16.1 mΩ
Gleichstromwiderstand 26.1 mΩ
74485540820
8.2 µH, 8.2 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18.2 µH
Induktivität 28.2 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 113.5 A
Nennstrom 213.5 A
Sättigungsstrom 114 A
Sättigungsstrom 214 A
Gleichstromwiderstand 113 mΩ
Gleichstromwiderstand 213 mΩ
74485542820
8.2 µH, 8.2 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18.2 µH
Induktivität 28.2 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 113 A
Nennstrom 213 A
Sättigungsstrom 124 A
Sättigungsstrom 224 A
Gleichstromwiderstand 18.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 28.4 mΩ
74485540101
10 µH, 10 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 110 µH
Induktivität 210 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 113 A
Nennstrom 213 A
Sättigungsstrom 113.5 A
Sättigungsstrom 213.5 A
Gleichstromwiderstand 113.9 mΩ
Gleichstromwiderstand 213.9 mΩ
74485542101
10 µH, 10 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 110 µH
Induktivität 210 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 111.5 A
Nennstrom 211.5 A
Sättigungsstrom 122 A
Sättigungsstrom 222 A
Gleichstromwiderstand 111 mΩ
Gleichstromwiderstand 211 mΩ

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Schematische Darstellungen des Redexpert Verlust-Simulators

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WE-MCRI – Innovative Molded Coupled Inductor by Würth Elektronik eiSos