WE-DPC SMT-Doppeldrossel
BauformMaßeL
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
5838
6 6 4

Merkmale

  • Geringe Baugröße: nur 4,8mm Breite und 1,8 bzw. 2,8 mm Höhe
  • Magnetisch geschirmt
  • 1:1 Übertrager
  • Gekoppelte Miniaturinduktivität mit zwei identischen Wicklungen pro Bauteil
  • Durch Reihen- oder Parallelverschaltung weitere Drossellösungen möglich
  • Betriebstemperatur: -40 °C bis +125 °C

Anwendung

  • Sperrwandleranwendungen
  • Buck, Boost, Sepic, Zeta, CUK-Schaltregler
  • Schaltregler mit zweiter ungeregelter Ausgangsspannung

Duett der Meisterklasse!

Die WE-MCRI ist eine innovative, gemoldete Doppeldrossel. Der vollautomatische Produktionsprozess mit Bifilarwicklung ermöglicht einen fast idealen Kopplungskoeffizienten von bis zu 0,995.

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Daten­blatt
Simu­lation
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Status
L1(µH)
L2(µH)
n
IR 1(A)
IR 2(A)
ISAT 1(A)
ISAT1(A)
RDC1 typ(mΩ)
RDC2 typ(mΩ)
RDC1 max(mΩ)
RDC2 max(mΩ)
fres 1(MHz)
Muster
7448844010
1 µH, 1 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11 µH
Induktivität 21 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14.5 A
Nennstrom 24.5 A
Sättigungsstrom [1]5 A
Sättigungsstrom 15 A
Gleichstromwiderstand 125 mΩ
Gleichstromwiderstand 225 mΩ
Gleichstromwiderstand 135 mΩ
Gleichstromwiderstand 235 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]150 MHz
7448844022
2.2 µH, 2.2 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12.2 µH
Induktivität 22.2 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.9 A
Nennstrom 23.9 A
Sättigungsstrom [1]3.4 A
Sättigungsstrom 13.4 A
Gleichstromwiderstand 133 mΩ
Gleichstromwiderstand 233 mΩ
Gleichstromwiderstand 147 mΩ
Gleichstromwiderstand 247 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]80 MHz
7448844033
3.3 µH, 3.3 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13.3 µH
Induktivität 23.3 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.5 A
Nennstrom 23.5 A
Sättigungsstrom [1]2.5 A
Sättigungsstrom 12.5 A
Gleichstromwiderstand 140 mΩ
Gleichstromwiderstand 240 mΩ
Gleichstromwiderstand 157 mΩ
Gleichstromwiderstand 257 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]56 MHz
7448844047
4.7 µH, 4.7 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14.7 µH
Induktivität 24.7 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.1 A
Nennstrom 23.1 A
Sättigungsstrom [1]2.1 A
Sättigungsstrom 12.1 A
Gleichstromwiderstand 144 mΩ
Gleichstromwiderstand 244 mΩ
Gleichstromwiderstand 162 mΩ
Gleichstromwiderstand 262 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]46 MHz
7448844068
6.8 µH, 6.8 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16.8 µH
Induktivität 26.8 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.3 A
Nennstrom 22.3 A
Sättigungsstrom [1]1.8 A
Sättigungsstrom 11.8 A
Gleichstromwiderstand 160 mΩ
Gleichstromwiderstand 260 mΩ
Gleichstromwiderstand 185 mΩ
Gleichstromwiderstand 285 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]42 MHz
7448844100
10 µH, 10 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 110 µH
Induktivität 210 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12 A
Nennstrom 22 A
Sättigungsstrom [1]1.6 A
Sättigungsstrom 11.6 A
Gleichstromwiderstand 170 mΩ
Gleichstromwiderstand 270 mΩ
Gleichstromwiderstand 1100 mΩ
Gleichstromwiderstand 2100 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]34 MHz
7448844150
15 µH, 15 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 115 µH
Induktivität 215 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.8 A
Nennstrom 21.8 A
Sättigungsstrom [1]1.4 A
Sättigungsstrom 11.4 A
Gleichstromwiderstand 184 mΩ
Gleichstromwiderstand 284 mΩ
Gleichstromwiderstand 1120 mΩ
Gleichstromwiderstand 2120 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]28 MHz
7448844220
22 µH, 22 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 122 µH
Induktivität 222 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.2 A
Nennstrom 21.2 A
Sättigungsstrom [1]1.3 A
Sättigungsstrom 11.3 A
Gleichstromwiderstand 1154 mΩ
Gleichstromwiderstand 2154 mΩ
Gleichstromwiderstand 1220 mΩ
Gleichstromwiderstand 2220 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]19 MHz
7448844330
33 µH, 33 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 133 µH
Induktivität 233 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11 A
Nennstrom 21 A
Sättigungsstrom [1]0.9 A
Sättigungsstrom 10.9 A
Gleichstromwiderstand 1168 mΩ
Gleichstromwiderstand 2168 mΩ
Gleichstromwiderstand 1240 mΩ
Gleichstromwiderstand 2240 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]14 MHz
7448844470
47 µH, 47 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 147 µH
Induktivität 247 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 10.9 A
Nennstrom 20.9 A
Sättigungsstrom [1]0.7 A
Sättigungsstrom 10.7 A
Gleichstromwiderstand 1245 mΩ
Gleichstromwiderstand 2245 mΩ
Gleichstromwiderstand 1350 mΩ
Gleichstromwiderstand 2350 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]12 MHz

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WE-MCRI – Innovative Molded Coupled Inductor by Würth Elektronik eiSos