Nach Werten filtern
 Artikel  in  11 Produktserien  für
Alle zurücksetzen
Filtern
Filtern nach
 Artikel  in  11 Produktserien  anzeigen
 Artikel  in  11 Produktserien
Alle zurücksetzen
11 Produktkategorien
WE-EHPI Energy Harvesting Doppeldrossel
WE-EHPI Energy Harvesting Doppeldrossel
IR 1 1.5 bis 1.9 A IR 1 1.5 bis 1.9 A RDC1 max 0.095 bis 0.24 Ω
WE-TDC SMT-Doppeldrossel
WE-TDC SMT-Doppeldrossel
IR 1 0.7 bis 4.5 A RDC1 max 14.5 bis 480 mΩ RDC2 max 14.5 bis 480 mΩ
WE-DD SMT-Doppeldrossel
WE-DD SMT-Doppeldrossel
IR 1 0.3 bis 8.6 A RDC1 max 0.015 Ω bis 2320 mΩ RDC2 max 0.015 Ω bis 2320 mΩ
WE-DCT Ringkern-Doppeldrossel
WE-DCT Ringkern-Doppeldrossel
IR 1 1.1 bis 14.5 A RDC1 max 3.5 bis 290 mΩ RDC2 max 3.5 bis 290 mΩ
WE-CFWI Gekoppelte Flachdraht Doppeldrossel
WE-CFWI Gekoppelte Flachdraht Doppeldrossel
IR 1 11.5 bis 28 A RDC 1 1.6 bis 13.9 mΩ RDC 2 1.6 bis 13.9 mΩ
WE-DPC SMT-Doppeldrossel
WE-DPC SMT-Doppeldrossel
IR 1 0.9 bis 4.5 A RDC1 max 35 bis 350 mΩ RDC2 max 35 bis 350 mΩ
WE-DPC HV SMT-Doppeldrossel
WE-DPC HV SMT-Doppeldrossel
IR 1 2.5 A RDC1 max 72 mΩ RDC2 max 72 mΩ
WE-MCRI SMT Umpresste Doppeldrossel
WE-MCRI SMT Umpresste Doppeldrossel
IR 1 1.5 bis 17 A RDC1 max 5.6 bis 340 mΩ RDC2 max 5.6 bis 340 mΩ
WE-MTCI SMT Multi-Turn Ratio Doppeldrossel
WE-MTCI SMT Multi-Turn Ratio Doppeldrossel
IR 1 0.45 bis 0.95 A RDC1 max 500 bis 1900 mΩ RDC2 max 600 bis 5200 mΩ
WE-TDC HV SMT Doppeldrossel
WE-TDC HV SMT Doppeldrossel
IR 1 0.75 bis 2.45 A RDC1 max 110 bis 780 mΩ RDC2 max 110 bis 780 mΩ
ERW.
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung ERWEITERT
Geschirmt L1 70 bis 200 nH IRP,1 78 A
Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
L1 (nH)
L2 (nH)
n
IR 1 (A)
IR 1 (A)
IR 2 (A)
ISAT 1 (A)
ISAT1 (A)
ISAT2 (A)
RDC1 typ (mΩ)
RDC2 typ (mΩ)
RDC1 max (mΩ)
RDC2 max (mΩ)
RDC 1 (mΩ)
RDC 2 (mΩ)
fres 1 (MHz)
Produktserie
Design Kit
Muster
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 70 nH, 70 nH, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 70 nH
Induktivität 2 70 nH
Gleichstromwiderstand 1 0.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 0.37 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 70 nH, 70 nH, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 70 nH
Induktivität 2 70 nH
Gleichstromwiderstand 1 0.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 0.33 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 91 nH, 91 nH, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 91 nH
Induktivität 2 91 nH
Nennstrom 1 14.5 A
Nennstrom 2 14.5 A
Sättigungsstrom [1] 120 A
Gleichstromwiderstand 1 2.8 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 2.8 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 3.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 3.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 100 nH, 100 nH, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 100 nH
Induktivität 2 100 nH
Gleichstromwiderstand 1 0.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 0.33 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 105 nH, 105 nH, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 105 nH
Induktivität 2 105 nH
Gleichstromwiderstand 1 0.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 0.37 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 120 nH, 120 nH, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 120 nH
Induktivität 2 120 nH
Gleichstromwiderstand 1 0.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 0.33 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 120 nH, 120 nH, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 120 nH
Induktivität 2 120 nH
Gleichstromwiderstand 1 0.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 0.37 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 150 nH, 150 nH, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 150 nH
Induktivität 2 150 nH
Gleichstromwiderstand 1 0.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 0.33 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 150 nH, 150 nH, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 150 nH
Induktivität 2 150 nH
Gleichstromwiderstand 1 0.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 0.37 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 160 nH, 160 nH, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 160 nH
Induktivität 2 160 nH
Nennstrom 1 13.8 A
Nennstrom 2 13.8 A
Sättigungsstrom [1] 90 A
Gleichstromwiderstand 1 3.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 3.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 4.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 4.4 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 180 nH, 180 nH, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 180 nH
Induktivität 2 180 nH
Gleichstromwiderstand 1 0.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 0.37 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 200 nH, 200 nH, –
Simu­lation
Status Neu i | Produkt ist neu im Portfolio und Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 200 nH
Induktivität 2 200 nH
Gleichstromwiderstand 1 0.125 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 0.37 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 270 nH, 270 nH, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 270 nH
Induktivität 2 270 nH
Nennstrom 1 12.3 A
Nennstrom 2 12.3 A
Sättigungsstrom [1] 65 A
Gleichstromwiderstand 1 4 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 4 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 5 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 330 nH, 330 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 330 nH
Induktivität 2 330 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 4 A
Nennstrom 2 4 A
Sättigungsstrom [1] 9 A
Sättigungsstrom 1 9 A
Sättigungsstrom 2 9 A
Gleichstromwiderstand 1 11.1 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 11.1 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 15 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 15 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 280 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 390 nH, 390 nH, 1:1
Simu­lation
Status NRND i | Produktion ist aktiv. Der Artikel ist nicht empfohlen für neue Designs. Erwartete Lebenszeit: 2-5 Jahre.
Induktivität 1 390 nH
Induktivität 2 390 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 4.5 A
Nennstrom 2 4.5 A
Sättigungsstrom [1] 14 A
Sättigungsstrom 1 14 A
Sättigungsstrom 2 14 A
Gleichstromwiderstand 1 11.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 11.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 14.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 14.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 210 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 390 nH, 390 nH, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 390 nH
Induktivität 2 390 nH
Nennstrom 1 10.6 A
Nennstrom 2 10.6 A
Sättigungsstrom [1] 50 A
Gleichstromwiderstand 1 4.7 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 4.7 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 6 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 6 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 560 nH, 560 nH, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 560 nH
Induktivität 2 560 nH
Nennstrom 1 9.8 A
Nennstrom 2 9.8 A
Sättigungsstrom [1] 40 A
Gleichstromwiderstand 1 5.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 5.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 6.7 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 6.7 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 680 nH, 680 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 680 nH
Induktivität 2 680 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 3.3 A
Nennstrom 2 3.3 A
Sättigungsstrom [1] 6.5 A
Sättigungsstrom 1 6.5 A
Sättigungsstrom 2 6.5 A
Gleichstromwiderstand 1 16.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 16.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 21 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 21 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 190 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 800 nH, 800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 800 nH
Induktivität 2 800 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 28 A
Nennstrom 2 28 A
Sättigungsstrom 1 62 A
Sättigungsstrom 2 62 A
Gleichstromwiderstand 1 1.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 1.6 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 820 nH, 820 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 820 nH
Induktivität 2 820 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 3.7 A
Nennstrom 2 3.7 A
Sättigungsstrom [1] 9.6 A
Sättigungsstrom 1 9.6 A
Sättigungsstrom 2 9.6 A
Gleichstromwiderstand 1 15.9 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 15.9 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 20 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 20 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 140 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 1000 nH, 1000 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 1000 nH
Induktivität 2 1000 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 2.85 A
Nennstrom 2 2.85 A
Sättigungsstrom [1] 5.1 A
Sättigungsstrom 1 5.1 A
Sättigungsstrom 2 5.1 A
Gleichstromwiderstand 1 22.2 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 22.2 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 28 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 28 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 136 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 1000 nH, 1000 nH, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 1000 nH
Induktivität 2 1000 nH
Nennstrom 1 8.6 A
Nennstrom 2 8.6 A
Sättigungsstrom [1] 30 A
Gleichstromwiderstand 1 7.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 7.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 8.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 8.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 1000 nH, 1000 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 1000 nH
Induktivität 2 1000 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 4.5 A
Nennstrom 2 4.5 A
Sättigungsstrom [1] 5 A
Sättigungsstrom 1 5 A
Gleichstromwiderstand 1 25 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 25 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 35 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 35 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 150 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 1000 nH, 1000 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 1000 nH
Induktivität 2 1000 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 17 A
Nennstrom 2 17 A
Sättigungsstrom 1 43.5 A
Sättigungsstrom 2 43.5 A
Gleichstromwiderstand 1 4.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 4.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 5.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 5.6 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 1000 nH, 1000 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 1000 nH
Induktivität 2 1000 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 12 A
Nennstrom 2 12 A
Sättigungsstrom 1 30.2 A
Sättigungsstrom 2 30.2 A
Gleichstromwiderstand 1 6.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 6.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 7.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 7.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 1200 nH, 1200 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 1200 nH
Induktivität 2 1200 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 3.05 A
Nennstrom 2 3.05 A
Sättigungsstrom [1] 7.5 A
Sättigungsstrom 1 7.5 A
Sättigungsstrom 2 7.5 A
Gleichstromwiderstand 1 20.2 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 20.2 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 26 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 26 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 90 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 1200 nH, 1200 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 1200 nH
Induktivität 2 1200 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 23 A
Nennstrom 2 23 A
Sättigungsstrom 1 47 A
Sättigungsstrom 2 47 A
Gleichstromwiderstand 1 2.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 2.4 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 1300 nH
Induktivität 2 1300 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 4.4 A
Nennstrom 2 4.4 A
Sättigungsstrom [1] 6.3 A
Gleichstromwiderstand 1 27 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 27 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 35 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 35 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 60 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 1500 nH, 1500 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 1500 nH
Induktivität 2 1500 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 5.85 A
Nennstrom 2 5.85 A
Sättigungsstrom [1] 14 A
Gleichstromwiderstand 1 12 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 12 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 16 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 16 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 70 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 1500 nH, 1500 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 1500 nH
Induktivität 2 1500 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 6.25 A
Nennstrom 2 6.25 A
Sättigungsstrom [1] 18 A
Gleichstromwiderstand 1 11 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 11 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 15 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 15 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 75 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 1500 nH, 1500 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 1500 nH
Induktivität 2 1500 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 8.6 A
Nennstrom 2 8.6 A
Sättigungsstrom [1] 17.5 A
Gleichstromwiderstand 1 12 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 12 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 16 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 16 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 60 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 1500 nH, 1500 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 1500 nH
Induktivität 2 1500 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 12.5 A
Nennstrom 2 12.5 A
Sättigungsstrom 1 34 A
Sättigungsstrom 2 34 A
Gleichstromwiderstand 1 8.8 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 8.8 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 9.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 9.4 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 1500 nH, 1500 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 1500 nH
Induktivität 2 1500 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 11.1 A
Nennstrom 2 11.1 A
Sättigungsstrom 1 28.1 A
Sättigungsstrom 2 28.1 A
Gleichstromwiderstand 1 8.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 8.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 10 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 10 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 1700 nH, 1700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 1700 nH
Induktivität 2 1700 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 21 A
Nennstrom 2 21 A
Sättigungsstrom 1 39 A
Sättigungsstrom 2 39 A
Gleichstromwiderstand 1 3.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 3.3 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 1800 nH, 1800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 1800 nH
Induktivität 2 1800 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 2.85 A
Nennstrom 2 2.85 A
Sättigungsstrom [1] 5.8 A
Sättigungsstrom 1 5.8 A
Sättigungsstrom 2 5.8 A
Gleichstromwiderstand 1 25.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 25.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 31 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 31 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 60 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 1800 nH
Induktivität 2 1800 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 4.7 A
Nennstrom 2 4.7 A
Sättigungsstrom [1] 6.5 A
Gleichstromwiderstand 1 25 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 25 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 34 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 34 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 58 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 2200 nH, 2200 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 2200 nH
Induktivität 2 2200 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 1.9 A
Nennstrom 2 1.9 A
Sättigungsstrom [1] 3.5 A
Sättigungsstrom 1 3.5 A
Sättigungsstrom 2 3.5 A
Gleichstromwiderstand 1 49.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 49.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 58 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 58 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 85 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 2200 nH, 2200 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 2200 nH
Induktivität 2 2200 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 4.1 A
Nennstrom 2 4.1 A
Sättigungsstrom [1] 19 A
Gleichstromwiderstand 1 15 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 15 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 17 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 17 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 45 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 2200 nH, 2200 nH, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 2200 nH
Induktivität 2 2200 nH
Nennstrom 1 8.6 A
Nennstrom 2 8.6 A
Sättigungsstrom [1] 17 A
Gleichstromwiderstand 1 7.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 7.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 8.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 8.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 2200 nH, 2200 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 2200 nH
Induktivität 2 2200 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 18 A
Nennstrom 2 18 A
Sättigungsstrom 1 35 A
Sättigungsstrom 2 35 A
Gleichstromwiderstand 1 4.2 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 4.2 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 2200 nH, 2200 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 2200 nH
Induktivität 2 2200 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 3.9 A
Nennstrom 2 3.9 A
Sättigungsstrom [1] 3.4 A
Sättigungsstrom 1 3.4 A
Gleichstromwiderstand 1 33 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 33 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 47 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 47 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 80 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 2200 nH
Induktivität 2 2200 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 2.5 A
Nennstrom 2 2.5 A
Sättigungsstrom [1] 3.2 A
Gleichstromwiderstand 1 50 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 50 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 72 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 72 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 95 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 2200 nH, 2200 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 2200 nH
Induktivität 2 2200 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 11.5 A
Nennstrom 2 11.5 A
Sättigungsstrom 1 29.5 A
Sättigungsstrom 2 29.5 A
Gleichstromwiderstand 1 10.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 10.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 12.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 12.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 2200 nH, 2200 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 2200 nH
Induktivität 2 2200 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 8.2 A
Nennstrom 2 8.2 A
Sättigungsstrom 1 20.6 A
Sättigungsstrom 2 20.6 A
Gleichstromwiderstand 1 14 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 14 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 16.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 16.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 2400 nH
Induktivität 2 2400 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 3.6 A
Nennstrom 2 3.6 A
Sättigungsstrom [1] 4.8 A
Gleichstromwiderstand 1 42 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 42 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 52 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 52 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 53 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 2400 nH
Induktivität 2 2400 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 4.2 A
Nennstrom 2 4.2 A
Sättigungsstrom [1] 5.6 A
Gleichstromwiderstand 1 31 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 31 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 42 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 42 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 50 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 2400 nH, 2400 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 2400 nH
Induktivität 2 2400 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 5.5 A
Nennstrom 2 5.5 A
Sättigungsstrom [1] 11.5 A
Gleichstromwiderstand 1 13 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 13 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 17 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 17 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 54 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 2400 nH, 2400 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 2400 nH
Induktivität 2 2400 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 6 A
Nennstrom 2 6 A
Sättigungsstrom [1] 14 A
Gleichstromwiderstand 1 12 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 12 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 16 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 16 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 54 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 2400 nH, 2400 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 2400 nH
Induktivität 2 2400 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 7.8 A
Nennstrom 2 7.8 A
Sättigungsstrom [1] 15 A
Gleichstromwiderstand 1 14 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 14 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 18 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 18 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 40 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 2700 nH, 2700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 2700 nH
Induktivität 2 2700 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 1.85 A
Nennstrom 2 1.85 A
Sättigungsstrom [1] 3 A
Sättigungsstrom 1 3 A
Sättigungsstrom 2 3 A
Gleichstromwiderstand 1 69.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 69.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 80.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 80.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 65 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 2700 nH, 2700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 2700 nH
Induktivität 2 2700 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 2.5 A
Nennstrom 2 2.5 A
Sättigungsstrom [1] 5.1 A
Sättigungsstrom 1 5.1 A
Sättigungsstrom 2 5.1 A
Gleichstromwiderstand 1 34.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 34.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 40 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 40 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 55 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 2700 nH, 2700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 2700 nH
Induktivität 2 2700 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 7.4 A
Nennstrom 2 7.4 A
Sättigungsstrom 1 16.5 A
Sättigungsstrom 2 16.5 A
Gleichstromwiderstand 1 16.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 16.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 16.8 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 16.8 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 2900 nH, 2900 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 2900 nH
Induktivität 2 2900 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 17 A
Nennstrom 2 17 A
Sättigungsstrom 1 29 A
Sättigungsstrom 2 29 A
Gleichstromwiderstand 1 5.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 5.6 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 3300 nH
Induktivität 2 3300 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 3.3 A
Nennstrom 2 3.3 A
Sättigungsstrom [1] 4 A
Gleichstromwiderstand 1 52 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 52 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 64 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 49 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 3300 nH
Induktivität 2 3300 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 3.7 A
Nennstrom 2 3.7 A
Sättigungsstrom [1] 5 A
Gleichstromwiderstand 1 40 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 40 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 52 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 52 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 46 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 3300 nH, 3300 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 3300 nH
Induktivität 2 3300 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 4.91 A
Nennstrom 2 4.91 A
Sättigungsstrom [1] 8.9 A
Gleichstromwiderstand 1 17 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 17 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 21 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 21 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 45 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 3300 nH, 3300 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 3300 nH
Induktivität 2 3300 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 5.14 A
Nennstrom 2 5.14 A
Sättigungsstrom [1] 11 A
Gleichstromwiderstand 1 17 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 17 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 22 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 22 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 41 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 3300 nH, 3300 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 3300 nH
Induktivität 2 3300 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 7.1 A
Nennstrom 2 7.1 A
Sättigungsstrom [1] 12 A
Gleichstromwiderstand 1 16 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 16 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 21 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 21 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 30 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 3300 nH, 3300 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 3300 nH
Induktivität 2 3300 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 3.7 A
Nennstrom 2 3.7 A
Sättigungsstrom [1] 15.5 A
Gleichstromwiderstand 1 17 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 17 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 20 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 20 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 35 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 3300 nH, 3300 nH, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 3300 nH
Induktivität 2 3300 nH
Nennstrom 1 7.7 A
Nennstrom 2 7.7 A
Sättigungsstrom [1] 13.5 A
Gleichstromwiderstand 1 9 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 9 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 12 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 12 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 3300 nH, 3300 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 3300 nH
Induktivität 2 3300 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 3.5 A
Nennstrom 2 3.5 A
Sättigungsstrom [1] 2.5 A
Sättigungsstrom 1 2.5 A
Gleichstromwiderstand 1 40 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 40 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 57 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 57 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 56 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 3300 nH, 3300 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 3300 nH
Induktivität 2 3300 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 7.5 A
Nennstrom 2 7.5 A
Sättigungsstrom 1 28.2 A
Sättigungsstrom 2 28.2 A
Gleichstromwiderstand 1 23.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 23.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 26 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 26 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 3300 nH, 3300 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 3300 nH
Induktivität 2 3300 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 6.8 A
Nennstrom 2 6.8 A
Sättigungsstrom 1 14.3 A
Sättigungsstrom 2 14.3 A
Gleichstromwiderstand 1 20.7 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 20.7 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 23.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 23.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 3500 nH, 3500 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 3500 nH
Induktivität 2 3500 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 14 A
Nennstrom 2 14 A
Sättigungsstrom 1 27 A
Sättigungsstrom 2 27 A
Gleichstromwiderstand 1 7.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 7.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 3600 nH, 3600 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 3600 nH
Induktivität 2 3600 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 2.3 A
Nennstrom 2 2.3 A
Sättigungsstrom [1] 4.6 A
Sättigungsstrom 1 4.6 A
Sättigungsstrom 2 4.6 A
Gleichstromwiderstand 1 47 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 47 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 53 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 53 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 45 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 3900 nH, 3900 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 3900 nH
Induktivität 2 3900 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 1.6 A
Nennstrom 2 1.6 A
Sättigungsstrom [1] 2.55 A
Sättigungsstrom 1 2.55 A
Sättigungsstrom 2 2.55 A
Gleichstromwiderstand 1 82 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 82 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 94 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 94 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 60 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 4400 nH, 4400 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 4400 nH
Induktivität 2 4400 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 12 A
Nennstrom 2 12 A
Sättigungsstrom 1 24 A
Sättigungsstrom 2 24 A
Gleichstromwiderstand 1 9.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 9.6 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 4700 nH, 4700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 4700 nH
Induktivität 2 4700 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 1.85 A
Nennstrom 2 1.85 A
Sättigungsstrom [1] 4.2 A
Sättigungsstrom 1 4.2 A
Sättigungsstrom 2 4.2 A
Gleichstromwiderstand 1 54.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 54.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 64 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 30 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 4700 nH
Induktivität 2 4700 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 1.3 A
Nennstrom 2 1.3 A
Sättigungsstrom [1] 3 A
Gleichstromwiderstand 1 65 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 65 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 75 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 75 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 46 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 4700 nH
Induktivität 2 4700 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 2.55 A
Nennstrom 2 2.55 A
Sättigungsstrom [1] 4 A
Gleichstromwiderstand 1 52 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 52 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 64 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 42 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 4700 nH, 4700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 4700 nH
Induktivität 2 4700 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 4.22 A
Nennstrom 2 4.22 A
Sättigungsstrom [1] 8 A
Gleichstromwiderstand 1 23 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 23 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 28 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 28 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 39 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 4700 nH, 4700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 4700 nH
Induktivität 2 4700 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 3 A
Nennstrom 2 3 A
Sättigungsstrom [1] 8 A
Gleichstromwiderstand 1 23 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 23 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 28 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 28 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 20 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 4700 nH, 4700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 4700 nH
Induktivität 2 4700 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 4.87 A
Nennstrom 2 4.87 A
Sättigungsstrom [1] 10 A
Gleichstromwiderstand 1 19 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 19 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 24 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 24 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 32 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 4700 nH, 4700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 4700 nH
Induktivität 2 4700 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 3.6 A
Nennstrom 2 3.6 A
Sättigungsstrom [1] 10 A
Gleichstromwiderstand 1 25 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 25 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 30 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 30 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 34 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 4700 nH, 4700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 4700 nH
Induktivität 2 4700 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 3.6 A
Nennstrom 2 3.6 A
Sättigungsstrom [1] 13 A
Gleichstromwiderstand 1 19 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 19 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 23 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 23 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 30 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 4700 nH, 4700 nH, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 4700 nH
Induktivität 2 4700 nH
Nennstrom 1 7.2 A
Nennstrom 2 7.2 A
Sättigungsstrom [1] 11 A
Gleichstromwiderstand 1 10.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 10.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 14 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 14 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 4700 nH, 4700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 4700 nH
Induktivität 2 4700 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 3.1 A
Nennstrom 2 3.1 A
Sättigungsstrom [1] 2.1 A
Sättigungsstrom 1 2.1 A
Gleichstromwiderstand 1 44 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 44 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 62 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 62 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 46 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 4700 nH, 4700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 4700 nH
Induktivität 2 4700 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 5.9 A
Nennstrom 2 5.9 A
Sättigungsstrom 1 24.2 A
Sättigungsstrom 2 24.2 A
Gleichstromwiderstand 1 36 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 36 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 40 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 40 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 4700 nH
Induktivität 2 4700 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 2.45 A
Nennstrom 2 2.45 A
Sättigungsstrom 1 4.7 A
Sättigungsstrom 2 4.7 A
Gleichstromwiderstand 1 85 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 85 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 110 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 110 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 43 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 4700 nH, 4700 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 4700 nH
Induktivität 2 4700 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 6.2 A
Nennstrom 2 6.2 A
Sättigungsstrom 1 13.8 A
Sättigungsstrom 2 13.8 A
Gleichstromwiderstand 1 24.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 24.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 29 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 29 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 5600 nH, 5600 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 5600 nH
Induktivität 2 5600 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 1.45 A
Nennstrom 2 1.45 A
Sättigungsstrom [1] 2.2 A
Sättigungsstrom 1 2.2 A
Sättigungsstrom 2 2.2 A
Gleichstromwiderstand 1 114 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 114 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 131 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 131 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 50 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 5600 nH
Induktivität 2 5600 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 1.5 A
Nennstrom 2 1.5 A
Sättigungsstrom [1] 3 A
Gleichstromwiderstand 1 95 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 95 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 120 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 120 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 26 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 5600 nH
Induktivität 2 5600 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 1.9 A
Nennstrom 2 1.9 A
Sättigungsstrom [1] 3.5 A
Gleichstromwiderstand 1 80 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 80 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 95 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 95 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 23 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 5600 nH
Induktivität 2 5600 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 1.4 A
Nennstrom 2 1.4 A
Sättigungsstrom 1 2 A
Sättigungsstrom 2 2 A
Gleichstromwiderstand 1 190 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 190 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 234 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 234 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 58 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 6800 nH, 6800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 6800 nH
Induktivität 2 6800 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 1.25 A
Nennstrom 2 1.25 A
Sättigungsstrom [1] 2 A
Sättigungsstrom 1 2 A
Sättigungsstrom 2 2 A
Gleichstromwiderstand 1 128 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 128 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 146 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 146 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 46 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 6800 nH, 6800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 6800 nH
Induktivität 2 6800 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 1.45 A
Nennstrom 2 1.45 A
Sättigungsstrom [1] 3.2 A
Sättigungsstrom 1 3.2 A
Sättigungsstrom 2 3.2 A
Gleichstromwiderstand 1 88 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 88 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 100 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 100 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 25 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 6800 nH
Induktivität 2 6800 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 1.4 A
Nennstrom 2 1.4 A
Sättigungsstrom [1] 2.8 A
Gleichstromwiderstand 1 110 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 110 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 135 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 135 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 25 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 6800 nH
Induktivität 2 6800 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 1.8 A
Nennstrom 2 1.8 A
Sättigungsstrom [1] 3.2 A
Gleichstromwiderstand 1 85 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 85 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 102 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 102 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 20 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 6800 nH, 6800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 6800 nH
Induktivität 2 6800 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 3.9 A
Nennstrom 2 3.9 A
Sättigungsstrom [1] 6.8 A
Gleichstromwiderstand 1 27 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 27 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 32 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 32 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 33 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 6800 nH, 6800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 6800 nH
Induktivität 2 6800 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 2.8 A
Nennstrom 2 2.8 A
Sättigungsstrom [1] 6.5 A
Gleichstromwiderstand 1 35 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 35 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 40 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 40 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 20 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 6800 nH, 6800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 6800 nH
Induktivität 2 6800 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 3.2 A
Nennstrom 2 3.2 A
Sättigungsstrom [1] 8 A
Gleichstromwiderstand 1 27 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 27 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 35 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 35 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 18 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 6800 nH, 6800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 6800 nH
Induktivität 2 6800 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 3.3 A
Nennstrom 2 3.3 A
Sättigungsstrom [1] 11.5 A
Gleichstromwiderstand 1 26 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 26 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 31 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 31 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 23 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 6800 nH, 6800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 6800 nH
Induktivität 2 6800 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 2.3 A
Nennstrom 2 2.3 A
Sättigungsstrom [1] 1.8 A
Sättigungsstrom 1 1.8 A
Gleichstromwiderstand 1 60 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 60 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 85 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 85 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 42 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 6800 nH, 6800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 6800 nH
Induktivität 2 6800 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 14 A
Nennstrom 2 14 A
Sättigungsstrom 1 16 A
Sättigungsstrom 2 16 A
Gleichstromwiderstand 1 11.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 11.3 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 6800 nH, 6800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 6800 nH
Induktivität 2 6800 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 13.5 A
Nennstrom 2 13.5 A
Sättigungsstrom 1 26 A
Sättigungsstrom 2 26 A
Gleichstromwiderstand 1 6.1 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 6.1 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 6800 nH, 6800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 6800 nH
Induktivität 2 6800 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 5 A
Nennstrom 2 5 A
Sättigungsstrom 1 21.2 A
Sättigungsstrom 2 21.2 A
Gleichstromwiderstand 1 46 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 46 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 51.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 51.5 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 6800 nH, 6800 nH, 1:1
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 6800 nH
Induktivität 2 6800 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 5 A
Nennstrom 2 5 A
Sättigungsstrom 1 12 A
Sättigungsstrom 2 12 A
Gleichstromwiderstand 1 38 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 38 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 44 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 44 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung 7000 nH, 70000000 nH, 1 : 100
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 7000 nH
Induktivität 2 70000000 nH
Übersetzungsverhältnis 1 : 100 
Nennstrom [1] 1.9 A
Nennstrom 1 1.9 A
Sättigungsstrom [1] 1.3 A
Sättigungsstrom 1 1.3 A
Gleichstromwiderstand 1 85 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 205000 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 95 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 240000 mΩ
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 8200 nH
Induktivität 2 8200 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 1.3 A
Nennstrom 2 1.3 A
Sättigungsstrom [1] 2.7 A
Gleichstromwiderstand 1 115 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 115 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 140 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 140 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 22 MHz
Design Kit
WE-HCMD Hochstrominduktivität für TLVR-Anwendung
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 8200 nH
Induktivität 2 8200 nH
Übersetzungsverhältnis 1:1 
Nennstrom 1 1.7 A
Nennstrom 2 1.7 A
Sättigungsstrom [1] 2.9 A
Gleichstromwiderstand 1 91 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 91 mΩ
Gleichstromwiderstand 1 110 mΩ
Gleichstromwiderstand 2 110 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1] 17 MHz
Design Kit