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L1 (µH)
IR 1 (A)
RDC1 typ (Ω)
ISAT 1 (A)
Bauform
Muster
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 1.3 µH
Nennstrom 1 4.4 A
Gleichstromwiderstand 1 0.027 Ω
Sättigungsstrom [1] 6.3 A
Bauform 7332 
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 1.8 µH
Nennstrom 1 4.7 A
Gleichstromwiderstand 1 0.025 Ω
Sättigungsstrom [1] 6.5 A
Bauform 7345 
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 2.4 µH
Nennstrom 1 3.6 A
Gleichstromwiderstand 1 0.042 Ω
Sättigungsstrom [1] 4.8 A
Bauform 7332 
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 2.4 µH
Nennstrom 1 4.2 A
Gleichstromwiderstand 1 0.031 Ω
Sättigungsstrom [1] 5.6 A
Bauform 7345 
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 3.3 µH
Nennstrom 1 3.7 A
Gleichstromwiderstand 1 0.04 Ω
Sättigungsstrom [1] 5 A
Bauform 7345 
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 4.7 µH
Nennstrom 1 1.3 A
Gleichstromwiderstand 1 0.065 Ω
Sättigungsstrom [1] 3 A
Bauform 7332 
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 4.7 µH
Nennstrom 1 2.55 A
Gleichstromwiderstand 1 0.052 Ω
Sättigungsstrom [1] 4 A
Bauform 7345 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 4.7 µH, 4.22 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 4.7 µH
Nennstrom 1 4.22 A
Gleichstromwiderstand 1 0.023 Ω
Sättigungsstrom [1] 8 A
Bauform 1260 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 4.7 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 4.7 µH
Nennstrom 1 3 A
Gleichstromwiderstand 1 0.023 Ω
Sättigungsstrom [1] 8 A
Bauform 1260 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 4.7 µH, 4.87 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 4.7 µH
Nennstrom 1 4.87 A
Gleichstromwiderstand 1 0.019 Ω
Sättigungsstrom [1] 10 A
Bauform 1280 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 4.7 µH, 3.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 4.7 µH
Nennstrom 1 3.6 A
Gleichstromwiderstand 1 0.025 Ω
Sättigungsstrom [1] 10 A
Bauform 1280 
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 10 µH
Nennstrom 1 1 A
Gleichstromwiderstand 1 0.125 Ω
Sättigungsstrom [1] 2 A
Bauform 7332 
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 10 µH
Nennstrom 1 1.1 A
Gleichstromwiderstand 1 0.11 Ω
Sättigungsstrom [1] 2.8 A
Bauform 7345 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 10 µH, 3.28 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 10 µH
Nennstrom 1 3.28 A
Gleichstromwiderstand 1 0.038 Ω
Sättigungsstrom [1] 5.25 A
Bauform 1260 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 10 µH, 2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 10 µH
Nennstrom 1 2 A
Gleichstromwiderstand 1 0.044 Ω
Sättigungsstrom [1] 5 A
Bauform 1260 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 10 µH, 4.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 10 µH
Nennstrom 1 4.2 A
Gleichstromwiderstand 1 0.031 Ω
Sättigungsstrom [1] 7.5 A
Bauform 1280 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 10 µH, 2.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 10 µH
Nennstrom 1 2.7 A
Gleichstromwiderstand 1 0.038 Ω
Sättigungsstrom [1] 7 A
Bauform 1280 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 10 µH, 3.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 10 µH
Nennstrom 1 3.2 A
Gleichstromwiderstand 1 0.033 Ω
Sättigungsstrom [1] 8 A
Bauform 1210 
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 22 µH
Nennstrom 1 0.8 A
Gleichstromwiderstand 1 0.215 Ω
Sättigungsstrom [1] 1.8 A
Bauform 7345 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 22 µH, 2.47 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 22 µH
Nennstrom 1 2.47 A
Gleichstromwiderstand 1 0.067 Ω
Sättigungsstrom [1] 3.3 A
Bauform 1260 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 22 µH, 1.85 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 22 µH
Nennstrom 1 1.85 A
Gleichstromwiderstand 1 0.067 Ω
Sättigungsstrom [1] 3 A
Bauform 1260 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 22 µH, 2.79 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 22 µH
Nennstrom 1 2.79 A
Gleichstromwiderstand 1 0.058 Ω
Sättigungsstrom [1] 5 A
Bauform 1280 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 22 µH, 2.45 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 22 µH
Nennstrom 1 2.45 A
Gleichstromwiderstand 1 0.062 Ω
Sättigungsstrom [1] 5.2 A
Bauform 1280 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 22 µH, 3.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 22 µH
Nennstrom 1 3.5 A
Gleichstromwiderstand 1 0.064 Ω
Sättigungsstrom [1] 5 A
Bauform 1210 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 33 µH, 2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 33 µH
Nennstrom 1 2 A
Gleichstromwiderstand 1 0.08 Ω
Sättigungsstrom [1] 4.4 A
Bauform 1210 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 47 µH, 1.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 47 µH
Nennstrom 1 1.8 A
Gleichstromwiderstand 1 0.13 Ω
Sättigungsstrom [1] 2.75 A
Bauform 1260 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 47 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 47 µH
Nennstrom 1 1.1 A
Gleichstromwiderstand 1 0.145 Ω
Sättigungsstrom [1] 2.4 A
Bauform 1260 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 47 µH, 2.02 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 47 µH
Nennstrom 1 2.02 A
Gleichstromwiderstand 1 0.11 Ω
Sättigungsstrom [1] 3.1 A
Bauform 1280 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 47 µH, 1.45 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 47 µH
Nennstrom 1 1.45 A
Gleichstromwiderstand 1 0.125 Ω
Sättigungsstrom [1] 3.1 A
Bauform 1280 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 100 µH, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 100 µH
Nennstrom 1 1.2 A
Gleichstromwiderstand 1 0.285 Ω
Sättigungsstrom [1] 1.7 A
Bauform 1260 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 100 µH, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 100 µH
Nennstrom 1 1.5 A
Gleichstromwiderstand 1 0.293 Ω
Sättigungsstrom [1] 1.8 A
Bauform 1260 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 100 µH, 1.38 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 100 µH
Nennstrom 1 1.38 A
Gleichstromwiderstand 1 0.235 Ω
Sättigungsstrom [1] 2.2 A
Bauform 1280 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 100 µH, 1.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 100 µH
Nennstrom 1 1.4 A
Gleichstromwiderstand 1 0.23 Ω
Sättigungsstrom [1] 2 A
Bauform 1280 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 220 µH, 0.91 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 220 µH
Nennstrom 1 0.91 A
Gleichstromwiderstand 1 0.54 Ω
Sättigungsstrom [1] 1.6 A
Bauform 1280 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, 220 µH, 0.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 220 µH
Nennstrom 1 0.9 A
Gleichstromwiderstand 1 0.53 Ω
Sättigungsstrom [1] 1.4 A
Bauform 1280