WE-TDC HV SMT Doppeldrossel
BauformMaßeL
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
8018
8 8 1.8
8038
8 8 3.8

Merkmale

  • Flache Bauform Doppeldrossel mit 2.0kV Isolationsspannung
  • Geringere Verluste und geringe Streuinduktivität
  • Magnetisch geschirmt
  • 1:1 Übertrager
  • Betriebstemperatur: -40 °C bis + 125 °C
  • Funktionsisolierung für eine Arbeitsspannung von 250 VRMS
  • Referenzdesigns
  • RD006 3 W Dual-output isolated auxiliary supply for communication interfaces and measurement systems

Anwendung

  • Isolierte Konverter-Anwendung, (wie z.B. Flyback-Konverter) mit hoher Verpackungsdichte
  • Buck, Boost, Sepic, Zeta, CUK Converter
  • Schaltregler mit zweiter, ungeregelter Ausgangsspannung

Duett der Meisterklasse!

Die WE-MCRI ist eine innovative, gemoldete Doppeldrossel. Der vollautomatische Produktionsprozess mit Bifilarwicklung ermöglicht einen fast idealen Kopplungskoeffizienten von bis zu 0,995.

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Daten­blatt
Simu­lation
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Status
L1(µH)
L2(µH)
n
IR 1(A)
IR 2(A)
ISAT1(A)
ISAT2(A)
RDC1 typ(mΩ)
RDC2 typ(mΩ)
RDC1 max(mΩ)
RDC2 max(mΩ)
fres 1(MHz)
Muster
76889440047
4.7 µH, 4.7 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14.7 µH
Induktivität 24.7 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.45 A
Nennstrom 22.45 A
Sättigungsstrom 14.7 A
Sättigungsstrom 24.7 A
Gleichstromwiderstand 185 mΩ
Gleichstromwiderstand 285 mΩ
Gleichstromwiderstand 1110 mΩ
Gleichstromwiderstand 2110 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]43 MHz
76889430056
5.6 µH, 5.6 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15.6 µH
Induktivität 25.6 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.4 A
Nennstrom 21.4 A
Sättigungsstrom 12 A
Sättigungsstrom 22 A
Gleichstromwiderstand 1190 mΩ
Gleichstromwiderstand 2190 mΩ
Gleichstromwiderstand 1234 mΩ
Gleichstromwiderstand 2234 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]58 MHz
76889430100
10 µH, 10 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 110 µH
Induktivität 210 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.1 A
Nennstrom 21.1 A
Sättigungsstrom 11.67 A
Sättigungsstrom 21.67 A
Gleichstromwiderstand 1280 mΩ
Gleichstromwiderstand 2280 mΩ
Gleichstromwiderstand 1321 mΩ
Gleichstromwiderstand 2321 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]47.5 MHz
76889440100
10 µH, 10 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 110 µH
Induktivität 210 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.6 A
Nennstrom 21.6 A
Sättigungsstrom 13 A
Sättigungsstrom 23 A
Gleichstromwiderstand 1160 mΩ
Gleichstromwiderstand 2160 mΩ
Gleichstromwiderstand 1200 mΩ
Gleichstromwiderstand 2200 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]29 MHz
76889430150
15 µH, 15 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 115 µH
Induktivität 215 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 10.95 A
Nennstrom 20.95 A
Sättigungsstrom 11.3 A
Sättigungsstrom 21.3 A
Gleichstromwiderstand 1380 mΩ
Gleichstromwiderstand 2380 mΩ
Gleichstromwiderstand 1422 mΩ
Gleichstromwiderstand 2422 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]35 MHz
76889440150
15 µH, 15 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 115 µH
Induktivität 215 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.25 A
Nennstrom 21.25 A
Sättigungsstrom 12.8 A
Sättigungsstrom 22.8 A
Gleichstromwiderstand 1300 mΩ
Gleichstromwiderstand 2300 mΩ
Gleichstromwiderstand 1355 mΩ
Gleichstromwiderstand 2355 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]21 MHz
76889430220
22 µH, 22 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 122 µH
Induktivität 222 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 10.75 A
Nennstrom 20.75 A
Sättigungsstrom 11 A
Sättigungsstrom 21 A
Gleichstromwiderstand 1700 mΩ
Gleichstromwiderstand 2700 mΩ
Gleichstromwiderstand 1780 mΩ
Gleichstromwiderstand 2780 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]26 MHz
76889440220
22 µH, 22 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 122 µH
Induktivität 222 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11 A
Nennstrom 21 A
Sättigungsstrom 12.1 A
Sättigungsstrom 22.1 A
Gleichstromwiderstand 1390 mΩ
Gleichstromwiderstand 2390 mΩ
Gleichstromwiderstand 1455 mΩ
Gleichstromwiderstand 2455 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]15.5 MHz
76889440330
33 µH, 33 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 133 µH
Induktivität 233 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 10.85 A
Nennstrom 20.85 A
Sättigungsstrom 11.85 A
Sättigungsstrom 21.85 A
Gleichstromwiderstand 1575 mΩ
Gleichstromwiderstand 2575 mΩ
Gleichstromwiderstand 1640 mΩ
Gleichstromwiderstand 2640 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]14 MHz

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Schematische Darstellungen des Redexpert Verlust-Simulators

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WE-MCRI – Innovative Molded Coupled Inductor by Würth Elektronik eiSos