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6 Produktkategorien
WE-GF SMT-Induktivität
WE-GF SMT-Induktivität
UngeschirmtL 0.1 bis 1000 µHIR 30 bis 450 mA
WE-GFH SMT-Hochfrequenzdrossel
WE-GFH SMT-Hochfrequenzdrossel
UngeschirmtL 1 bis 220 µHIR 160 bis 1900 mA
WE-LQ SMT-Induktivität
WE-LQ SMT-Induktivität
UngeschirmtL 1 bis 2200 µHIR 0.04 bis 1.8 A
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel
UngeschirmtL 1 bis 2200 µHIR 0.18 bis 6 A
WE-PD4 SMT-Speicherdrossel
WE-PD4 SMT-Speicherdrossel
UngeschirmtL 0.47 bis 10000 µHIR 0.07 bis 18 A
WE-TI Tonneninduktivität
WE-TI Tonneninduktivität
UngeschirmtL1 1500 µHL 1 bis 68000 µH
Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
L(µH)
IR(mA)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
Material
fres(MHz)
Montageart
Produktserie
Design Kit
Muster
WE-GF SMT-Induktivität0.1 µH, 450 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Nennstrom450 mA
Gleichstromwiderstand440 mΩ
Eigenresonanzfrequenz780 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität0.22 µH, 450 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nennstrom450 mA
Gleichstromwiderstand320 mΩ
Eigenresonanzfrequenz660 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität0.27 µH, 450 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.27 µH
Nennstrom450 mA
Gleichstromwiderstand360 mΩ
Eigenresonanzfrequenz630 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität0.33 µH, 450 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.33 µH
Nennstrom450 mA
Gleichstromwiderstand400 mΩ
Eigenresonanzfrequenz580 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität0.33 µH, 450 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.33 µH
Nennstrom450 mA
Gleichstromwiderstand400 mΩ
Eigenresonanzfrequenz440 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität0.39 µH, 450 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.39 µH
Nennstrom450 mA
Gleichstromwiderstand450 mΩ
Eigenresonanzfrequenz520 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität0.39 µH, 450 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.39 µH
Nennstrom450 mA
Gleichstromwiderstand450 mΩ
Eigenresonanzfrequenz390 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität0.47 µH, 450 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Nennstrom450 mA
Gleichstromwiderstand500 mΩ
Eigenresonanzfrequenz480 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität0.47 µH, 18000 mA, 38 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Nennstrom18000 mA
Sättigungsstrom38 A
Gleichstromwiderstand2 mΩ
Eigenresonanzfrequenz120 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität0.56 µH, 450 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.56 µH
Nennstrom450 mA
Gleichstromwiderstand550 mΩ
Eigenresonanzfrequenz420 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität0.68 µH, 450 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Nennstrom450 mA
Gleichstromwiderstand600 mΩ
Eigenresonanzfrequenz400 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität0.68 µH, 450 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Nennstrom450 mA
Gleichstromwiderstand600 mΩ
Eigenresonanzfrequenz310 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität0.8 µH, 16000 mA, 35 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.8 µH
Nennstrom16000 mA
Sättigungsstrom35 A
Gleichstromwiderstand3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz92 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität0.82 µH, 450 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.82 µH
Nennstrom450 mA
Gleichstromwiderstand650 mΩ
Eigenresonanzfrequenz370 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität0.82 µH, 450 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.82 µH
Nennstrom450 mA
Gleichstromwiderstand670 mΩ
Eigenresonanzfrequenz300 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1 µH, 400 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom400 mA
Gleichstromwiderstand700 mΩ
Eigenresonanzfrequenz340 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1 µH, 450 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom450 mA
Gleichstromwiderstand500 mΩ
Eigenresonanzfrequenz275 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1 µH, 850 mA, –
Simu­lation
Status NRNDi| Produktion ist aktiv. Der Artikel ist nicht empfohlen für neue Designs. Erwartete Lebenszeit: 2-5 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom850 mA
Gleichstromwiderstand408 mΩ
Eigenresonanzfrequenz290 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1 µH, 1550 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom1550 mA
Gleichstromwiderstand156 mΩ
Eigenresonanzfrequenz175 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1 µH, 1900 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom1900 mA
Gleichstromwiderstand110 mΩ
Eigenresonanzfrequenz265 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1 µH, 750 mA, 3.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom750 mA
Sättigungsstrom3.2 A
Gleichstromwiderstand100 mΩ
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1 µH, 1800 mA, 4.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom1800 mA
Sättigungsstrom4.4 A
Gleichstromwiderstand80 mΩ
Eigenresonanzfrequenz165 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1 µH, 4000 mA, 5.72 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom4000 mA
Sättigungsstrom5.72 A
Gleichstromwiderstand49 mΩ
MaterialNiZn 
Eigenresonanzfrequenz110 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1 µH, 2900 mA, 2.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom2900 mA
Sättigungsstrom2.9 A
Gleichstromwiderstand50 mΩ
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1 µH, 8600 mA, 14.25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom8600 mA
Sättigungsstrom14.25 A
Gleichstromwiderstand7 mΩ
Eigenresonanzfrequenz95 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1 µH, 8600 mA, 25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom8600 mA
Sättigungsstrom25 A
Gleichstromwiderstand9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1 µH, 15000 mA, 32 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom15000 mA
Sättigungsstrom32 A
Gleichstromwiderstand4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz88 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1 µH, 8500 mA, 8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom8500 mA
Sättigungsstrom8 A
Gleichstromwiderstand15 mΩ
Eigenresonanzfrequenz140 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1 µH, 2550 mA, 3.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom2550 mA
Sättigungsstrom3.7 A
Gleichstromwiderstand50 mΩ
MaterialNiZn 
Eigenresonanzfrequenz160 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1 µH, 6900 mA, 15 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom6900 mA
Sättigungsstrom15 A
Gleichstromwiderstand13.5 mΩ
MaterialNiZn 
Eigenresonanzfrequenz195 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1.2 µH, 390 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom390 mA
Gleichstromwiderstand750 mΩ
Eigenresonanzfrequenz320 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1.2 µH, 430 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom430 mA
Gleichstromwiderstand550 mΩ
Eigenresonanzfrequenz250 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1.2 µH, 1800 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom1800 mA
Gleichstromwiderstand120 mΩ
Eigenresonanzfrequenz180 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1.2 µH, 6000 mA, 11 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom6000 mA
Sättigungsstrom11 A
Gleichstromwiderstand9 mΩ
MaterialNiZn 
Eigenresonanzfrequenz110 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1.2 µH, 15000 mA, 30 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom15000 mA
Sättigungsstrom30 A
Gleichstromwiderstand4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz64 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1.4 µH, 3400 mA, 5.04 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.4 µH
Nennstrom3400 mA
Sättigungsstrom5.04 A
Gleichstromwiderstand56 mΩ
MaterialNiZn 
Eigenresonanzfrequenz103 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1.5 µH, 370 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom370 mA
Gleichstromwiderstand850 mΩ
Eigenresonanzfrequenz250 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1.5 µH, 410 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom410 mA
Gleichstromwiderstand600 mΩ
Eigenresonanzfrequenz230 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1.5 µH, 750 mA, –
Simu­lation
Status NRNDi| Produktion ist aktiv. Der Artikel ist nicht empfohlen für neue Designs. Erwartete Lebenszeit: 2-5 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom750 mA
Gleichstromwiderstand504 mΩ
Eigenresonanzfrequenz220 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1.5 µH, 1400 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom1400 mA
Gleichstromwiderstand195 mΩ
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1.5 µH, 660 mA, 2.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom660 mA
Sättigungsstrom2.1 A
Gleichstromwiderstand130 mΩ
Eigenresonanzfrequenz75 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1.5 µH, 1750 mA, 4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom1750 mA
Sättigungsstrom4 A
Gleichstromwiderstand90 mΩ
Eigenresonanzfrequenz130 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1.5 µH, 2800 mA, 2.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom2800 mA
Sättigungsstrom2.6 A
Gleichstromwiderstand50 mΩ
Eigenresonanzfrequenz62 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1.5 µH, 7200 mA, 10.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom7200 mA
Sättigungsstrom10.7 A
Gleichstromwiderstand9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz73 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1.5 µH, 7000 mA, 9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom7000 mA
Sättigungsstrom9 A
Gleichstromwiderstand10 mΩ
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1.5 µH, 2080 mA, 3.05 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom2080 mA
Sättigungsstrom3.05 A
Gleichstromwiderstand70 mΩ
MaterialNiZn 
Eigenresonanzfrequenz130 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1.8 µH, 350 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Nennstrom350 mA
Gleichstromwiderstand900 mΩ
Eigenresonanzfrequenz170 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1.8 µH, 390 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Nennstrom390 mA
Gleichstromwiderstand650 mΩ
Eigenresonanzfrequenz210 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1.8 µH, 640 mA, 2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Nennstrom640 mA
Sättigungsstrom2 A
Gleichstromwiderstand140 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1.8 µH, 1700 mA, 3.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Nennstrom1700 mA
Sättigungsstrom3.5 A
Gleichstromwiderstand100 mΩ
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1.8 µH, 2700 mA, 3.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Nennstrom2700 mA
Sättigungsstrom3.6 A
Gleichstromwiderstand64 mΩ
MaterialNiZn 
Eigenresonanzfrequenz95 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität1.8 µH, 13000 mA, 25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Nennstrom13000 mA
Sättigungsstrom25 A
Gleichstromwiderstand5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität2.2 µH, 320 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom320 mA
Gleichstromwiderstand1000 mΩ
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität2.2 µH, 380 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom380 mA
Gleichstromwiderstand700 mΩ
Eigenresonanzfrequenz185 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität2.2 µH, 650 mA, –
Simu­lation
Status NRNDi| Produktion ist aktiv. Der Artikel ist nicht empfohlen für neue Designs. Erwartete Lebenszeit: 2-5 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom650 mA
Gleichstromwiderstand600 mΩ
Eigenresonanzfrequenz115 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität2.2 µH, 1100 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom1100 mA
Gleichstromwiderstand260 mΩ
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität2.2 µH, 1450 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom1450 mA
Gleichstromwiderstand180 mΩ
Eigenresonanzfrequenz110 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität2.2 µH, 620 mA, 1.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom620 mA
Sättigungsstrom1.8 A
Gleichstromwiderstand150 mΩ
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität2.2 µH, 1600 mA, 2.75 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom1600 mA
Sättigungsstrom2.75 A
Gleichstromwiderstand110 mΩ
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität2.2 µH, 2500 mA, 3.38 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom2500 mA
Sättigungsstrom3.38 A
Gleichstromwiderstand71 mΩ
MaterialNiZn 
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität2.2 µH, 4600 mA, 8.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom4600 mA
Sättigungsstrom8.2 A
Gleichstromwiderstand41 mΩ
MaterialNiZn 
Eigenresonanzfrequenz54 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität2.2 µH, 2400 mA, 2.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom2400 mA
Sättigungsstrom2.3 A
Gleichstromwiderstand70 mΩ
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität2.2 µH, 6500 mA, 10.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom6500 mA
Sättigungsstrom10.2 A
Gleichstromwiderstand11 mΩ
Eigenresonanzfrequenz63 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität2.2 µH, 7100 mA, 20.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom7100 mA
Sättigungsstrom20.3 A
Gleichstromwiderstand14 mΩ
Eigenresonanzfrequenz42 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität2.2 µH, 6300 mA, 4.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom6300 mA
Sättigungsstrom4.3 A
Gleichstromwiderstand20 mΩ
Eigenresonanzfrequenz65 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität2.2 µH, 1710 mA, 2.54 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom1710 mA
Sättigungsstrom2.54 A
Gleichstromwiderstand90 mΩ
MaterialNiZn 
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität2.2 µH, 5300 mA, 10 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom5300 mA
Sättigungsstrom10 A
Gleichstromwiderstand18 mΩ
MaterialNiZn 
Eigenresonanzfrequenz120 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität2.5 µH, 5800 mA, 10 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.5 µH
Nennstrom5800 mA
Sättigungsstrom10 A
Gleichstromwiderstand12 mΩ
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität2.5 µH, 5300 mA, 8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.5 µH
Nennstrom5300 mA
Sättigungsstrom8 A
Gleichstromwiderstand12 mΩ
MaterialNiZn 
Eigenresonanzfrequenz65 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität2.7 µH, 290 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.7 µH
Nennstrom290 mA
Gleichstromwiderstand1100 mΩ
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität2.7 µH, 600 mA, 1.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.7 µH
Nennstrom600 mA
Sättigungsstrom1.6 A
Gleichstromwiderstand180 mΩ
Eigenresonanzfrequenz43 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität2.7 µH, 1500 mA, 2.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.7 µH
Nennstrom1500 mA
Sättigungsstrom2.7 A
Gleichstromwiderstand120 mΩ
Eigenresonanzfrequenz63 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität2.7 µH, 2250 mA, 2.97 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.7 µH
Nennstrom2250 mA
Sättigungsstrom2.97 A
Gleichstromwiderstand79 mΩ
MaterialNiZn 
Eigenresonanzfrequenz72 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität2.7 µH, 4000 mA, 8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.7 µH
Nennstrom4000 mA
Sättigungsstrom8 A
Gleichstromwiderstand45 mΩ
MaterialNiZn 
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität2.7 µH, 10000 mA, 20 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.7 µH
Nennstrom10000 mA
Sättigungsstrom20 A
Gleichstromwiderstand8 mΩ
Eigenresonanzfrequenz44 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität3.3 µH, 260 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom260 mA
Gleichstromwiderstand1200 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität3.3 µH, 355 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom355 mA
Gleichstromwiderstand800 mΩ
Eigenresonanzfrequenz155 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität3.3 µH, 600 mA, –
Simu­lation
Status NRNDi| Produktion ist aktiv. Der Artikel ist nicht empfohlen für neue Designs. Erwartete Lebenszeit: 2-5 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom600 mA
Gleichstromwiderstand780 mΩ
Eigenresonanzfrequenz84 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität3.3 µH, 1050 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom1050 mA
Gleichstromwiderstand325 mΩ
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität3.3 µH, 1300 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom1300 mA
Gleichstromwiderstand220 mΩ
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität3.3 µH, 580 mA, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom580 mA
Sättigungsstrom1.5 A
Gleichstromwiderstand200 mΩ
Eigenresonanzfrequenz38 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität3.3 µH, 1400 mA, 2.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom1400 mA
Sättigungsstrom2.7 A
Gleichstromwiderstand130 mΩ
Eigenresonanzfrequenz58 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität3.3 µH, 2000 mA, 2.88 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom2000 mA
Sättigungsstrom2.88 A
Gleichstromwiderstand86 mΩ
MaterialNiZn 
Eigenresonanzfrequenz65 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität3.3 µH, 4000 mA, 7.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom4000 mA
Sättigungsstrom7.5 A
Gleichstromwiderstand60 mΩ
Eigenresonanzfrequenz43 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität3.3 µH, 5000 mA, 7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom5000 mA
Sättigungsstrom7 A
Gleichstromwiderstand14 mΩ
MaterialNiZn 
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität3.3 µH, 2000 mA, 2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom2000 mA
Sättigungsstrom2 A
Gleichstromwiderstand80 mΩ
Eigenresonanzfrequenz39 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität3.3 µH, 5300 mA, 7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom5300 mA
Sättigungsstrom7 A
Gleichstromwiderstand15 mΩ
Eigenresonanzfrequenz41 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität3.3 µH, 6200 mA, 15.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom6200 mA
Sättigungsstrom15.8 A
Gleichstromwiderstand18 mΩ
Eigenresonanzfrequenz34 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität3.3 µH, 9000 mA, 17 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom9000 mA
Sättigungsstrom17 A
Gleichstromwiderstand9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz39 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität3.3 µH, 4700 mA, 4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom4700 mA
Sättigungsstrom4 A
Gleichstromwiderstand25 mΩ
Eigenresonanzfrequenz48 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität3.3 µH, 1390 mA, 2.09 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom1390 mA
Sättigungsstrom2.09 A
Gleichstromwiderstand120 mΩ
MaterialNiZn 
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität3.3 µH, 5000 mA, 8.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom5000 mA
Sättigungsstrom8.5 A
Gleichstromwiderstand24 mΩ
MaterialNiZn 
Eigenresonanzfrequenz95 MHz
MontageartTHT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität3.9 µH, 250 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 µH
Nennstrom250 mA
Gleichstromwiderstand1300 mΩ
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität3.9 µH, 330 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 µH
Nennstrom330 mA
Gleichstromwiderstand900 mΩ
Eigenresonanzfrequenz120 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität3.9 µH, 1250 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 µH
Nennstrom1250 mA
Gleichstromwiderstand240 mΩ
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität3.9 µH, 540 mA, 1.35 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 µH
Nennstrom540 mA
Sättigungsstrom1.35 A
Gleichstromwiderstand250 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität3.9 µH, 1320 mA, 2.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 µH
Nennstrom1320 mA
Sättigungsstrom2.5 A
Gleichstromwiderstand140 mΩ
Eigenresonanzfrequenz54 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität3.9 µH, 1880 mA, 2.57 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 µH
Nennstrom1880 mA
Sättigungsstrom2.57 A
Gleichstromwiderstand94 mΩ
MaterialNiZn 
Eigenresonanzfrequenz61 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität4.7 µH, 220 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom220 mA
Gleichstromwiderstand1500 mΩ
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MontageartSMT 
Design Kit
WE-GF SMT-Induktivität4.7 µH, 315 mA, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom315 mA
Gleichstromwiderstand1000 mΩ
Eigenresonanzfrequenz95 MHz
MontageartSMT 
Design Kit