Design Kit WE-GF SMT-Induktivitäten
Artikel Nr. 744766
Anwendung
- HF-Schaltung wie z.B. Tuner, Transponder
- HF-Verstärkerschaltungen (Antennenverstärker)
- Oszillatoren
- Anpassungsnetzwerke
- HF-Filterschaltungen
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Artikel Nr.
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Datenblatt
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Status
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Produktserie
|
L
(µH)
|
RDC max.
(mΩ)
|
IR
(mA)
|
fres
(MHz)
|
Bauform
|
Muster
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WE-GF SMT-Induktivität, 0.1 µH, 440 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
0.1 µH
|
Gleichstromwiderstand
440 mΩ
|
Nennstrom
450 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
780 MHz
|
Bauform
4532
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 0.22 µH, 320 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
0.22 µH
|
Gleichstromwiderstand
320 mΩ
|
Nennstrom
450 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
660 MHz
|
Bauform
3225
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 0.33 µH, 400 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
0.33 µH
|
Gleichstromwiderstand
400 mΩ
|
Nennstrom
450 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
580 MHz
|
Bauform
3225
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 0.33 µH, 400 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
0.33 µH
|
Gleichstromwiderstand
400 mΩ
|
Nennstrom
450 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
440 MHz
|
Bauform
4532
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 0.47 µH, 500 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
0.47 µH
|
Gleichstromwiderstand
500 mΩ
|
Nennstrom
450 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
480 MHz
|
Bauform
3225
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 0.68 µH, 600 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
0.68 µH
|
Gleichstromwiderstand
600 mΩ
|
Nennstrom
450 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
400 MHz
|
Bauform
3225
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 0.68 µH, 600 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
0.68 µH
|
Gleichstromwiderstand
600 mΩ
|
Nennstrom
450 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
310 MHz
|
Bauform
4532
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 1 µH, 700 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
1 µH
|
Gleichstromwiderstand
700 mΩ
|
Nennstrom
400 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
340 MHz
|
Bauform
3225
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 1 µH, 500 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
1 µH
|
Gleichstromwiderstand
500 mΩ
|
Nennstrom
450 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
275 MHz
|
Bauform
4532
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 2.2 µH, 1000 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
2.2 µH
|
Gleichstromwiderstand
1000 mΩ
|
Nennstrom
320 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
100 MHz
|
Bauform
3225
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 2.2 µH, 700 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
2.2 µH
|
Gleichstromwiderstand
700 mΩ
|
Nennstrom
380 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
185 MHz
|
Bauform
4532
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 3.3 µH, 1200 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
3.3 µH
|
Gleichstromwiderstand
1200 mΩ
|
Nennstrom
260 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
60 MHz
|
Bauform
3225
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 3.3 µH, 800 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
3.3 µH
|
Gleichstromwiderstand
800 mΩ
|
Nennstrom
355 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
155 MHz
|
Bauform
4532
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 4.7 µH, 1500 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
4.7 µH
|
Gleichstromwiderstand
1500 mΩ
|
Nennstrom
220 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
45 MHz
|
Bauform
3225
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 4.7 µH, 1000 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
4.7 µH
|
Gleichstromwiderstand
1000 mΩ
|
Nennstrom
315 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
95 MHz
|
Bauform
4532
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 6.8 µH, 1800 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
6.8 µH
|
Gleichstromwiderstand
1800 mΩ
|
Nennstrom
180 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
38 MHz
|
Bauform
3225
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 6.8 µH, 1200 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
6.8 µH
|
Gleichstromwiderstand
1200 mΩ
|
Nennstrom
285 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
35 MHz
|
Bauform
4532
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 10 µH, 2100 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
10 µH
|
Gleichstromwiderstand
2100 mΩ
|
Nennstrom
150 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
32 MHz
|
Bauform
3225
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 10 µH, 1600 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
10 µH
|
Gleichstromwiderstand
1600 mΩ
|
Nennstrom
250 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
25 MHz
|
Bauform
4532
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 15 µH, 2500 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
15 µH
|
Gleichstromwiderstand
2500 mΩ
|
Nennstrom
200 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
20 MHz
|
Bauform
4532
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 22 µH, 3700 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
22 µH
|
Gleichstromwiderstand
3700 mΩ
|
Nennstrom
110 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
20 MHz
|
Bauform
3225
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 22 µH, 3200 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
22 µH
|
Gleichstromwiderstand
3200 mΩ
|
Nennstrom
180 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
18 MHz
|
Bauform
4532
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 33 µH, 5600 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
33 µH
|
Gleichstromwiderstand
5600 mΩ
|
Nennstrom
70 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
17 MHz
|
Bauform
3225
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 33 µH, 4000 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
33 µH
|
Gleichstromwiderstand
4000 mΩ
|
Nennstrom
160 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
14 MHz
|
Bauform
4532
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 47 µH, 7000 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
47 µH
|
Gleichstromwiderstand
7000 mΩ
|
Nennstrom
60 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
15 MHz
|
Bauform
3225
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 47 µH, 5000 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
47 µH
|
Gleichstromwiderstand
5000 mΩ
|
Nennstrom
140 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
12 MHz
|
Bauform
4532
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 68 µH, 9000 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
68 µH
|
Gleichstromwiderstand
9000 mΩ
|
Nennstrom
50 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
12.5 MHz
|
Bauform
3225
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 68 µH, 6000 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
68 µH
|
Gleichstromwiderstand
6000 mΩ
|
Nennstrom
130 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
10 MHz
|
Bauform
4532
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 100 µH, 11000 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
100 µH
|
Gleichstromwiderstand
11000 mΩ
|
Nennstrom
40 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
11 MHz
|
Bauform
3225
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 100 µH, 8000 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
100 µH
|
Gleichstromwiderstand
8000 mΩ
|
Nennstrom
110 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
8.5 MHz
|
Bauform
4532
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 150 µH, 9000 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
150 µH
|
Gleichstromwiderstand
9000 mΩ
|
Nennstrom
105 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
6 MHz
|
Bauform
4532
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 220 µH, 10000 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
220 µH
|
Gleichstromwiderstand
10000 mΩ
|
Nennstrom
100 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
5 MHz
|
Bauform
4532
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 330 µH, 14000 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
330 µH
|
Gleichstromwiderstand
14000 mΩ
|
Nennstrom
85 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
4.5 MHz
|
Bauform
4532
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 470 µH, 26000 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
470 µH
|
Gleichstromwiderstand
26000 mΩ
|
Nennstrom
62 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
3.4 MHz
|
Bauform
4532
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 680 µH, 30000 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
680 µH
|
Gleichstromwiderstand
30000 mΩ
|
Nennstrom
50 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
3 MHz
|
Bauform
4532
|
|
||
| WE-GF SMT-Induktivität, 1000 µH, 50000 mΩ |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-GF SMT-Induktivität
|
Induktivität
1000 µH
|
Gleichstromwiderstand
50000 mΩ
|
Nennstrom
30 mA
|
Eigenresonanzfrequenz
2.5 MHz
|
Bauform
4532
|
|