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  • DC/DC-Schaltregler von Linear Technology, National Semiconductor, Texas Instruments, Fairchild Semiconductor, ON Semiconductor, STMicroelectronics, Maxim, Semtech, MPS, Exar, Analogic Tech, Diodes und Cologne Chip
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L (µH)
IR (A)
ISAT (A)
RDC max. (Ω)
fres (MHz)
Bauform
Muster
WE-LQ SMT-Induktivität, 1 µH, 0.75 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 0.75 A
Sättigungsstrom 3.2 A
Gleichstromwiderstand 0.1 Ω
Eigenresonanzfrequenz 100 MHz
Bauform 1210 
WE-LQ SMT-Induktivität, 1 µH, 1.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 1.8 A
Sättigungsstrom 4.4 A
Gleichstromwiderstand 0.08 Ω
Eigenresonanzfrequenz 165 MHz
Bauform 1812 
WE-LQ SMT-Induktivität, 1.5 µH, 0.66 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Nennstrom 0.66 A
Sättigungsstrom 2.1 A
Gleichstromwiderstand 0.13 Ω
Eigenresonanzfrequenz 75 MHz
Bauform 1210 
WE-LQ SMT-Induktivität, 1.5 µH, 1.75 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Nennstrom 1.75 A
Sättigungsstrom 4 A
Gleichstromwiderstand 0.09 Ω
Eigenresonanzfrequenz 130 MHz
Bauform 1812 
WE-LQ SMT-Induktivität, 1.8 µH, 0.64 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.8 µH
Nennstrom 0.64 A
Sättigungsstrom 2 A
Gleichstromwiderstand 0.14 Ω
Eigenresonanzfrequenz 60 MHz
Bauform 1210 
WE-LQ SMT-Induktivität, 1.8 µH, 1.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.8 µH
Nennstrom 1.7 A
Sättigungsstrom 3.5 A
Gleichstromwiderstand 0.1 Ω
Eigenresonanzfrequenz 100 MHz
Bauform 1812 
WE-LQ SMT-Induktivität, 2.2 µH, 0.62 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 0.62 A
Sättigungsstrom 1.8 A
Gleichstromwiderstand 0.15 Ω
Eigenresonanzfrequenz 50 MHz
Bauform 1210 
WE-LQ SMT-Induktivität, 2.2 µH, 1.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 1.6 A
Sättigungsstrom 2.75 A
Gleichstromwiderstand 0.11 Ω
Eigenresonanzfrequenz 80 MHz
Bauform 1812 
WE-LQ SMT-Induktivität, 2.7 µH, 0.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.7 µH
Nennstrom 0.6 A
Sättigungsstrom 1.6 A
Gleichstromwiderstand 0.18 Ω
Eigenresonanzfrequenz 43 MHz
Bauform 1210 
WE-LQ SMT-Induktivität, 2.7 µH, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.7 µH
Nennstrom 1.5 A
Sättigungsstrom 2.7 A
Gleichstromwiderstand 0.12 Ω
Eigenresonanzfrequenz 63 MHz
Bauform 1812 
WE-LQ SMT-Induktivität, 3.3 µH, 0.58 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 0.58 A
Sättigungsstrom 1.5 A
Gleichstromwiderstand 0.2 Ω
Eigenresonanzfrequenz 38 MHz
Bauform 1210 
WE-LQ SMT-Induktivität, 3.3 µH, 1.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 1.4 A
Sättigungsstrom 2.7 A
Gleichstromwiderstand 0.13 Ω
Eigenresonanzfrequenz 58 MHz
Bauform 1812 
WE-LQ SMT-Induktivität, 3.9 µH, 0.54 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.9 µH
Nennstrom 0.54 A
Sättigungsstrom 1.35 A
Gleichstromwiderstand 0.25 Ω
Eigenresonanzfrequenz 35 MHz
Bauform 1210 
WE-LQ SMT-Induktivität, 3.9 µH, 1.32 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.9 µH
Nennstrom 1.32 A
Sättigungsstrom 2.5 A
Gleichstromwiderstand 0.14 Ω
Eigenresonanzfrequenz 54 MHz
Bauform 1812 
WE-LQ SMT-Induktivität, 4.7 µH, 0.49 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 0.49 A
Sättigungsstrom 1.25 A
Gleichstromwiderstand 0.28 Ω
Eigenresonanzfrequenz 31 MHz
Bauform 1210 
WE-LQ SMT-Induktivität, 4.7 µH, 1.24 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 1.24 A
Sättigungsstrom 2 A
Gleichstromwiderstand 0.15 Ω
Eigenresonanzfrequenz 45 MHz
Bauform 1812 
WE-LQ SMT-Induktivität, 5.6 µH, 0.44 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.6 µH
Nennstrom 0.44 A
Sättigungsstrom 1.15 A
Gleichstromwiderstand 0.36 Ω
Eigenresonanzfrequenz 28 MHz
Bauform 1210 
WE-LQ SMT-Induktivität, 5.6 µH, 1.18 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.6 µH
Nennstrom 1.18 A
Sättigungsstrom 1.9 A
Gleichstromwiderstand 0.18 Ω
Eigenresonanzfrequenz 41 MHz
Bauform 1812 
WE-LQ SMT-Induktivität, 6.8 µH, 0.42 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 0.42 A
Sättigungsstrom 1.1 A
Gleichstromwiderstand 0.4 Ω
Eigenresonanzfrequenz 25 MHz
Bauform 1210 
WE-LQ SMT-Induktivität, 6.8 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 1.1 A
Sättigungsstrom 1.6 A
Gleichstromwiderstand 0.2 Ω
Eigenresonanzfrequenz 37 MHz
Bauform 1812 
WE-LQ SMT-Induktivität, 8.2 µH, 0.39 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Nennstrom 0.39 A
Sättigungsstrom 0.95 A
Gleichstromwiderstand 0.45 Ω
Eigenresonanzfrequenz 23 MHz
Bauform 1210 
WE-LQ SMT-Induktivität, 8.2 µH, 1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Nennstrom 1 A
Sättigungsstrom 1.6 A
Gleichstromwiderstand 0.25 Ω
Eigenresonanzfrequenz 34 MHz
Bauform 1812 
WE-LQ SMT-Induktivität, 10 µH, 0.32 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 0.32 A
Sättigungsstrom 0.85 A
Gleichstromwiderstand 0.65 Ω
Eigenresonanzfrequenz 20 MHz
Bauform 1210 
WE-LQ SMT-Induktivität, 10 µH, 0.95 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 0.95 A
Sättigungsstrom 1.5 A
Gleichstromwiderstand 0.3 Ω
Eigenresonanzfrequenz 30 MHz
Bauform 1812 
WE-LQ SMT-Induktivität, 12 µH, 0.29 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12 µH
Nennstrom 0.29 A
Sättigungsstrom 0.78 A
Gleichstromwiderstand 0.7 Ω
Eigenresonanzfrequenz 18 MHz
Bauform 1210 
WE-LQ SMT-Induktivität, 12 µH, 0.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12 µH
Nennstrom 0.8 A
Sättigungsstrom 1.4 A
Gleichstromwiderstand 0.42 Ω
Eigenresonanzfrequenz 28 MHz
Bauform 1812 
WE-LQ SMT-Induktivität, 15 µH, 0.27 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 0.27 A
Sättigungsstrom 0.7 A
Gleichstromwiderstand 1 Ω
Eigenresonanzfrequenz 16 MHz
Bauform 1210 
WE-LQ SMT-Induktivität, 15 µH, 0.73 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 0.73 A
Sättigungsstrom 1.24 A
Gleichstromwiderstand 0.5 Ω
Eigenresonanzfrequenz 26 MHz
Bauform 1812 
WE-LQ SMT-Induktivität, 18 µH, 0.24 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18 µH
Nennstrom 0.24 A
Sättigungsstrom 0.65 A
Gleichstromwiderstand 1.1 Ω
Eigenresonanzfrequenz 15 MHz
Bauform 1210 
WE-LQ SMT-Induktivität, 18 µH, 0.68 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18 µH
Nennstrom 0.68 A
Sättigungsstrom 1.1 A
Gleichstromwiderstand 0.6 Ω
Eigenresonanzfrequenz 22 MHz
Bauform 1812 
WE-LQ SMT-Induktivität, 22 µH, 0.22 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 0.22 A
Sättigungsstrom 0.6 A
Gleichstromwiderstand 1.3 Ω
Eigenresonanzfrequenz 14 MHz
Bauform 1210 
WE-LQ SMT-Induktivität, 22 µH, 0.63 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 0.63 A
Sättigungsstrom 1 A
Gleichstromwiderstand 0.7 Ω
Eigenresonanzfrequenz 20 MHz
Bauform 1812 
WE-LQ SMT-Induktivität, 68 µH, 0.13 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 68 µH
Nennstrom 0.13 A
Sättigungsstrom 0.3 A
Gleichstromwiderstand 3.8 Ω
Eigenresonanzfrequenz 9 MHz
Bauform 1210 
WE-LQ SMT-Induktivität, 100 µH, 0.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Nennstrom 0.1 A
Sättigungsstrom 0.25 A
Gleichstromwiderstand 6.5 Ω
Eigenresonanzfrequenz 8 MHz
Bauform 1210 
WE-LQ SMT-Induktivität, 120 µH, 0.095 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 120 µH
Nennstrom 0.095 A
Sättigungsstrom 0.18 A
Gleichstromwiderstand 7 Ω
Eigenresonanzfrequenz 7 MHz
Bauform 1210