Design Kit WE-LQ SMT-Induktivitäten
Artikel Nr. 744032
Anwendung
- DC/DC-Schaltregler von Linear Technology, National Semiconductor, Texas Instruments, Fairchild Semiconductor, ON Semiconductor, STMicroelectronics, Maxim, Semtech, MPS, Exar, Analogic Tech, Diodes und Cologne Chip
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Produktserie
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L
(µH)
|
IR
(A)
|
ISAT
(A)
|
RDC max.
(Ω)
|
fres
(MHz)
|
Bauform
|
Muster
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WE-LQ SMT-Induktivität, 1 µH, 0.75 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
1 µH
|
Nennstrom
0.75 A
|
Sättigungsstrom
3.2 A
|
Gleichstromwiderstand
0.1 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
100 MHz
|
Bauform
1210
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 1 µH, 1.8 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
1 µH
|
Nennstrom
1.8 A
|
Sättigungsstrom
4.4 A
|
Gleichstromwiderstand
0.08 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
165 MHz
|
Bauform
1812
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 1.5 µH, 0.66 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
1.5 µH
|
Nennstrom
0.66 A
|
Sättigungsstrom
2.1 A
|
Gleichstromwiderstand
0.13 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
75 MHz
|
Bauform
1210
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 1.5 µH, 1.75 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
1.5 µH
|
Nennstrom
1.75 A
|
Sättigungsstrom
4 A
|
Gleichstromwiderstand
0.09 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
130 MHz
|
Bauform
1812
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 1.8 µH, 0.64 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
1.8 µH
|
Nennstrom
0.64 A
|
Sättigungsstrom
2 A
|
Gleichstromwiderstand
0.14 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
60 MHz
|
Bauform
1210
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 1.8 µH, 1.7 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
1.8 µH
|
Nennstrom
1.7 A
|
Sättigungsstrom
3.5 A
|
Gleichstromwiderstand
0.1 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
100 MHz
|
Bauform
1812
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 2.2 µH, 0.62 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
2.2 µH
|
Nennstrom
0.62 A
|
Sättigungsstrom
1.8 A
|
Gleichstromwiderstand
0.15 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
50 MHz
|
Bauform
1210
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 2.2 µH, 1.6 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
2.2 µH
|
Nennstrom
1.6 A
|
Sättigungsstrom
2.75 A
|
Gleichstromwiderstand
0.11 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
80 MHz
|
Bauform
1812
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 2.7 µH, 0.6 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
2.7 µH
|
Nennstrom
0.6 A
|
Sättigungsstrom
1.6 A
|
Gleichstromwiderstand
0.18 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
43 MHz
|
Bauform
1210
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 2.7 µH, 1.5 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
2.7 µH
|
Nennstrom
1.5 A
|
Sättigungsstrom
2.7 A
|
Gleichstromwiderstand
0.12 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
63 MHz
|
Bauform
1812
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 3.3 µH, 0.58 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
3.3 µH
|
Nennstrom
0.58 A
|
Sättigungsstrom
1.5 A
|
Gleichstromwiderstand
0.2 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
38 MHz
|
Bauform
1210
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 3.3 µH, 1.4 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
3.3 µH
|
Nennstrom
1.4 A
|
Sättigungsstrom
2.7 A
|
Gleichstromwiderstand
0.13 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
58 MHz
|
Bauform
1812
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 3.9 µH, 0.54 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
3.9 µH
|
Nennstrom
0.54 A
|
Sättigungsstrom
1.35 A
|
Gleichstromwiderstand
0.25 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
35 MHz
|
Bauform
1210
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 3.9 µH, 1.32 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
3.9 µH
|
Nennstrom
1.32 A
|
Sättigungsstrom
2.5 A
|
Gleichstromwiderstand
0.14 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
54 MHz
|
Bauform
1812
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 4.7 µH, 0.49 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
4.7 µH
|
Nennstrom
0.49 A
|
Sättigungsstrom
1.25 A
|
Gleichstromwiderstand
0.28 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
31 MHz
|
Bauform
1210
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 4.7 µH, 1.24 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
4.7 µH
|
Nennstrom
1.24 A
|
Sättigungsstrom
2 A
|
Gleichstromwiderstand
0.15 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
45 MHz
|
Bauform
1812
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 5.6 µH, 0.44 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
5.6 µH
|
Nennstrom
0.44 A
|
Sättigungsstrom
1.15 A
|
Gleichstromwiderstand
0.36 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
28 MHz
|
Bauform
1210
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 5.6 µH, 1.18 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
5.6 µH
|
Nennstrom
1.18 A
|
Sättigungsstrom
1.9 A
|
Gleichstromwiderstand
0.18 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
41 MHz
|
Bauform
1812
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 6.8 µH, 0.42 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
6.8 µH
|
Nennstrom
0.42 A
|
Sättigungsstrom
1.1 A
|
Gleichstromwiderstand
0.4 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
25 MHz
|
Bauform
1210
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 6.8 µH, 1.1 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
6.8 µH
|
Nennstrom
1.1 A
|
Sättigungsstrom
1.6 A
|
Gleichstromwiderstand
0.2 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
37 MHz
|
Bauform
1812
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 8.2 µH, 0.39 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
8.2 µH
|
Nennstrom
0.39 A
|
Sättigungsstrom
0.95 A
|
Gleichstromwiderstand
0.45 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
23 MHz
|
Bauform
1210
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 8.2 µH, 1 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
8.2 µH
|
Nennstrom
1 A
|
Sättigungsstrom
1.6 A
|
Gleichstromwiderstand
0.25 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
34 MHz
|
Bauform
1812
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 10 µH, 0.32 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
10 µH
|
Nennstrom
0.32 A
|
Sättigungsstrom
0.85 A
|
Gleichstromwiderstand
0.65 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
20 MHz
|
Bauform
1210
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 10 µH, 0.95 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
10 µH
|
Nennstrom
0.95 A
|
Sättigungsstrom
1.5 A
|
Gleichstromwiderstand
0.3 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
30 MHz
|
Bauform
1812
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 12 µH, 0.29 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
12 µH
|
Nennstrom
0.29 A
|
Sättigungsstrom
0.78 A
|
Gleichstromwiderstand
0.7 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
18 MHz
|
Bauform
1210
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 12 µH, 0.8 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
12 µH
|
Nennstrom
0.8 A
|
Sättigungsstrom
1.4 A
|
Gleichstromwiderstand
0.42 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
28 MHz
|
Bauform
1812
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 15 µH, 0.27 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
15 µH
|
Nennstrom
0.27 A
|
Sättigungsstrom
0.7 A
|
Gleichstromwiderstand
1 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
16 MHz
|
Bauform
1210
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 15 µH, 0.73 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
15 µH
|
Nennstrom
0.73 A
|
Sättigungsstrom
1.24 A
|
Gleichstromwiderstand
0.5 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
26 MHz
|
Bauform
1812
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 18 µH, 0.24 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
18 µH
|
Nennstrom
0.24 A
|
Sättigungsstrom
0.65 A
|
Gleichstromwiderstand
1.1 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
15 MHz
|
Bauform
1210
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 18 µH, 0.68 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
18 µH
|
Nennstrom
0.68 A
|
Sättigungsstrom
1.1 A
|
Gleichstromwiderstand
0.6 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
22 MHz
|
Bauform
1812
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 22 µH, 0.22 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
22 µH
|
Nennstrom
0.22 A
|
Sättigungsstrom
0.6 A
|
Gleichstromwiderstand
1.3 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
14 MHz
|
Bauform
1210
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 22 µH, 0.63 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
22 µH
|
Nennstrom
0.63 A
|
Sättigungsstrom
1 A
|
Gleichstromwiderstand
0.7 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
20 MHz
|
Bauform
1812
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 68 µH, 0.13 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
68 µH
|
Nennstrom
0.13 A
|
Sättigungsstrom
0.3 A
|
Gleichstromwiderstand
3.8 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
9 MHz
|
Bauform
1210
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 100 µH, 0.1 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
100 µH
|
Nennstrom
0.1 A
|
Sättigungsstrom
0.25 A
|
Gleichstromwiderstand
6.5 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
8 MHz
|
Bauform
1210
|
|
|||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 120 µH, 0.095 A |
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Produktserie
WE-LQ SMT-Induktivität
|
Induktivität
120 µH
|
Nennstrom
0.095 A
|
Sättigungsstrom
0.18 A
|
Gleichstromwiderstand
7 Ω
|
Eigenresonanzfrequenz
7 MHz
|
Bauform
1210
|
|