744032001
1 µH, 0.75 A, 3.2 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
1 µH
Nennstrom
0.75 A
Sättigungsstrom
3.2 A
Gleichstromwiderstand
0.1 Ω
Eigenresonanzfrequenz
100 MHz
Güte
20 %
744045001
1 µH, 1.8 A, 4.4 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
1 µH
Nennstrom
1.8 A
Sättigungsstrom
4.4 A
Gleichstromwiderstand
0.08 Ω
Eigenresonanzfrequenz
165 MHz
Güte
40 %
7440320015
1.5 µH, 0.66 A, 2.1 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
1.5 µH
Nennstrom
0.66 A
Sättigungsstrom
2.1 A
Gleichstromwiderstand
0.13 Ω
Eigenresonanzfrequenz
75 MHz
Güte
20 %
7440450015
1.5 µH, 1.75 A, 4 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
1.5 µH
Nennstrom
1.75 A
Sättigungsstrom
4 A
Gleichstromwiderstand
0.09 Ω
Eigenresonanzfrequenz
130 MHz
Güte
42 %
7440320018
1.8 µH, 0.64 A, 2 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
1.8 µH
Nennstrom
0.64 A
Sättigungsstrom
2 A
Gleichstromwiderstand
0.14 Ω
Eigenresonanzfrequenz
60 MHz
Güte
20 %
7440450018
1.8 µH, 1.7 A, 3.5 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
1.8 µH
Nennstrom
1.7 A
Sättigungsstrom
3.5 A
Gleichstromwiderstand
0.1 Ω
Eigenresonanzfrequenz
100 MHz
Güte
45 %
744032002
2.2 µH, 0.62 A, 1.8 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
0.62 A
Sättigungsstrom
1.8 A
Gleichstromwiderstand
0.15 Ω
Eigenresonanzfrequenz
50 MHz
Güte
20 %
744045002
2.2 µH, 1.6 A, 2.75 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
1.6 A
Sättigungsstrom
2.75 A
Gleichstromwiderstand
0.11 Ω
Eigenresonanzfrequenz
80 MHz
Güte
40 %
7440320027
2.7 µH, 0.6 A, 1.6 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
2.7 µH
Nennstrom
0.6 A
Sättigungsstrom
1.6 A
Gleichstromwiderstand
0.18 Ω
Eigenresonanzfrequenz
43 MHz
Güte
20 %
7440450027
2.7 µH, 1.5 A, 2.7 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
2.7 µH
Nennstrom
1.5 A
Sättigungsstrom
2.7 A
Gleichstromwiderstand
0.12 Ω
Eigenresonanzfrequenz
63 MHz
Güte
40 %
744032003
3.3 µH, 0.58 A, 1.5 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
0.58 A
Sättigungsstrom
1.5 A
Gleichstromwiderstand
0.2 Ω
Eigenresonanzfrequenz
38 MHz
Güte
20 %
744045003
3.3 µH, 1.4 A, 2.7 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
1.4 A
Sättigungsstrom
2.7 A
Gleichstromwiderstand
0.13 Ω
Eigenresonanzfrequenz
58 MHz
Güte
45 %
7440320039
3.9 µH, 0.54 A, 1.35 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
3.9 µH
Nennstrom
0.54 A
Sättigungsstrom
1.35 A
Gleichstromwiderstand
0.25 Ω
Eigenresonanzfrequenz
35 MHz
Güte
20 %
7440450039
3.9 µH, 1.32 A, 2.5 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
3.9 µH
Nennstrom
1.32 A
Sättigungsstrom
2.5 A
Gleichstromwiderstand
0.14 Ω
Eigenresonanzfrequenz
54 MHz
Güte
40 %
744032004
4.7 µH, 0.49 A, 1.25 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
0.49 A
Sättigungsstrom
1.25 A
Gleichstromwiderstand
0.28 Ω
Eigenresonanzfrequenz
31 MHz
Güte
20 %
744045004
4.7 µH, 1.24 A, 2 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
1.24 A
Sättigungsstrom
2 A
Gleichstromwiderstand
0.15 Ω
Eigenresonanzfrequenz
45 MHz
Güte
36 %
7440320056
5.6 µH, 0.44 A, 1.15 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
5.6 µH
Nennstrom
0.44 A
Sättigungsstrom
1.15 A
Gleichstromwiderstand
0.36 Ω
Eigenresonanzfrequenz
28 MHz
Güte
20 %
7440450056
5.6 µH, 1.18 A, 1.9 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
5.6 µH
Nennstrom
1.18 A
Sättigungsstrom
1.9 A
Gleichstromwiderstand
0.18 Ω
Eigenresonanzfrequenz
41 MHz
Güte
36 %
744032006
6.8 µH, 0.42 A, 1.1 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
0.42 A
Sättigungsstrom
1.1 A
Gleichstromwiderstand
0.4 Ω
Eigenresonanzfrequenz
25 MHz
Güte
20 %
744045006
6.8 µH, 1.1 A, 1.6 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
1.1 A
Sättigungsstrom
1.6 A
Gleichstromwiderstand
0.2 Ω
Eigenresonanzfrequenz
37 MHz
Güte
36 %
744032008
8.2 µH, 0.39 A, 0.95 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
8.2 µH
Nennstrom
0.39 A
Sättigungsstrom
0.95 A
Gleichstromwiderstand
0.45 Ω
Eigenresonanzfrequenz
23 MHz
Güte
20 %
744045008
8.2 µH, 1 A, 1.6 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
8.2 µH
Nennstrom
1 A
Sättigungsstrom
1.6 A
Gleichstromwiderstand
0.25 Ω
Eigenresonanzfrequenz
34 MHz
Güte
36 %
744032100
10 µH, 0.32 A, 0.85 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
10 µH
Nennstrom
0.32 A
Sättigungsstrom
0.85 A
Gleichstromwiderstand
0.65 Ω
Eigenresonanzfrequenz
20 MHz
Güte
35 %
744045100
10 µH, 0.95 A, 1.5 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
10 µH
Nennstrom
0.95 A
Sättigungsstrom
1.5 A
Gleichstromwiderstand
0.3 Ω
Eigenresonanzfrequenz
30 MHz
Güte
48 %
744032120
12 µH, 0.29 A, 0.78 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
12 µH
Nennstrom
0.29 A
Sättigungsstrom
0.78 A
Gleichstromwiderstand
0.7 Ω
Eigenresonanzfrequenz
18 MHz
Güte
35 %
744045120
12 µH, 0.8 A, 1.4 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
12 µH
Nennstrom
0.8 A
Sättigungsstrom
1.4 A
Gleichstromwiderstand
0.42 Ω
Eigenresonanzfrequenz
28 MHz
Güte
48 %
744032150
15 µH, 0.27 A, 0.7 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
15 µH
Nennstrom
0.27 A
Sättigungsstrom
0.7 A
Gleichstromwiderstand
1 Ω
Eigenresonanzfrequenz
16 MHz
Güte
35 %
744045150
15 µH, 0.73 A, 1.24 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
15 µH
Nennstrom
0.73 A
Sättigungsstrom
1.24 A
Gleichstromwiderstand
0.5 Ω
Eigenresonanzfrequenz
26 MHz
Güte
45 %
744032180
18 µH, 0.24 A, 0.65 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
18 µH
Nennstrom
0.24 A
Sättigungsstrom
0.65 A
Gleichstromwiderstand
1.1 Ω
Eigenresonanzfrequenz
15 MHz
Güte
35 %
744045180
18 µH, 0.68 A, 1.1 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
18 µH
Nennstrom
0.68 A
Sättigungsstrom
1.1 A
Gleichstromwiderstand
0.6 Ω
Eigenresonanzfrequenz
22 MHz
Güte
42 %
744032220
22 µH, 0.22 A, 0.6 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
22 µH
Nennstrom
0.22 A
Sättigungsstrom
0.6 A
Gleichstromwiderstand
1.3 Ω
Eigenresonanzfrequenz
14 MHz
Güte
35 %
744045220
22 µH, 0.63 A, 1 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
22 µH
Nennstrom
0.63 A
Sättigungsstrom
1 A
Gleichstromwiderstand
0.7 Ω
Eigenresonanzfrequenz
20 MHz
Güte
50 %
744045330
33 µH, 0.43 A, 0.85 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
33 µH
Nennstrom
0.43 A
Sättigungsstrom
0.85 A
Gleichstromwiderstand
1.1 Ω
Eigenresonanzfrequenz
18 MHz
Güte
55 %
Design Kit
–
744045470
47 µH, 0.39 A, 0.73 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
47 µH
Nennstrom
0.39 A
Sättigungsstrom
0.73 A
Gleichstromwiderstand
1.5 Ω
Eigenresonanzfrequenz
16 MHz
Güte
55 %
Design Kit
–
744032470
47 µH, 0.146 A, 0.4 A
Simulation
–
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
47 µH
Nennstrom
0.146 A
Sättigungsstrom
0.4 A
Gleichstromwiderstand
3 Ω
Eigenresonanzfrequenz
11 MHz
Güte
40 %
Design Kit
–
744032680
68 µH, 0.13 A, 0.3 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
68 µH
Nennstrom
0.13 A
Sättigungsstrom
0.3 A
Gleichstromwiderstand
3.8 Ω
Eigenresonanzfrequenz
9 MHz
Güte
35 %
744045680
68 µH, 0.33 A, 0.61 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
68 µH
Nennstrom
0.33 A
Sättigungsstrom
0.61 A
Gleichstromwiderstand
2.1 Ω
Eigenresonanzfrequenz
15 MHz
Güte
55 %
Design Kit
–
744045820
82 µH, 0.3 A, 0.57 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
82 µH
Nennstrom
0.3 A
Sättigungsstrom
0.57 A
Gleichstromwiderstand
2.3 Ω
Eigenresonanzfrequenz
12 MHz
Güte
55 %
Design Kit
–
744032101
100 µH, 0.1 A, 0.25 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
100 µH
Nennstrom
0.1 A
Sättigungsstrom
0.25 A
Gleichstromwiderstand
6.5 Ω
Eigenresonanzfrequenz
8 MHz
Güte
40 %
744045210
100 µH, 0.27 A, 0.45 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
100 µH
Nennstrom
0.27 A
Sättigungsstrom
0.45 A
Gleichstromwiderstand
2.5 Ω
Eigenresonanzfrequenz
10 MHz
Güte
60 %
Design Kit
–
744032121
120 µH, 0.095 A, 0.18 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
120 µH
Nennstrom
0.095 A
Sättigungsstrom
0.18 A
Gleichstromwiderstand
7 Ω
Eigenresonanzfrequenz
7 MHz
Güte
40 %
744045215
150 µH, 0.22 A, 0.42 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
150 µH
Nennstrom
0.22 A
Sättigungsstrom
0.42 A
Gleichstromwiderstand
3.7 Ω
Eigenresonanzfrequenz
8 MHz
Güte
55 %
Design Kit
–
744032221
220 µH, 0.075 A, 0.24 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
220 µH
Nennstrom
0.075 A
Sättigungsstrom
0.24 A
Gleichstromwiderstand
11.8 Ω
Eigenresonanzfrequenz
5 MHz
Güte
40 %
Design Kit
–
744032331
330 µH, 0.065 A, 0.18 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
330 µH
Nennstrom
0.065 A
Sättigungsstrom
0.18 A
Gleichstromwiderstand
16.5 Ω
Eigenresonanzfrequenz
5 MHz
Güte
40 %
Design Kit
–
744045391
390 µH, 0.11 A, 0.27 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
390 µH
Nennstrom
0.11 A
Sättigungsstrom
0.27 A
Gleichstromwiderstand
13 Ω
Eigenresonanzfrequenz
5 MHz
Güte
50 %
Design Kit
–
744032471
470 µH, 0.055 A, 0.12 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
470 µH
Nennstrom
0.055 A
Sättigungsstrom
0.12 A
Gleichstromwiderstand
25 Ω
Eigenresonanzfrequenz
5 MHz
Güte
46 %
Design Kit
–
744045471
470 µH, 0.105 A, 0.18 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
470 µH
Nennstrom
0.105 A
Sättigungsstrom
0.18 A
Gleichstromwiderstand
14.2 Ω
Eigenresonanzfrequenz
5 MHz
Güte
50 %
Design Kit
–
744045681
680 µH, 0.09 A, 0.2 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
680 µH
Nennstrom
0.09 A
Sättigungsstrom
0.2 A
Gleichstromwiderstand
16.8 Ω
Eigenresonanzfrequenz
3 MHz
Güte
45 %
Design Kit
–
744045821
820 µH, 0.085 A, 0.15 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
820 µH
Nennstrom
0.085 A
Sättigungsstrom
0.15 A
Gleichstromwiderstand
20 Ω
Eigenresonanzfrequenz
2 MHz
Güte
50 %
Design Kit
–
744045102
1000 µH, 0.07 A, 0.16 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
1000 µH
Nennstrom
0.07 A
Sättigungsstrom
0.16 A
Gleichstromwiderstand
30 Ω
Eigenresonanzfrequenz
2 MHz
Güte
28 %
Design Kit
–
744045152
1500 µH, 0.055 A, 0.095 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
1500 µH
Nennstrom
0.055 A
Sättigungsstrom
0.095 A
Gleichstromwiderstand
38.5 Ω
Eigenresonanzfrequenz
2 MHz
Güte
35 %
Design Kit
–
744045222
2200 µH, 0.04 A, 0.078 A
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität
2200 µH
Nennstrom
0.04 A
Sättigungsstrom
0.078 A
Gleichstromwiderstand
47 Ω
Eigenresonanzfrequenz
1 MHz
Güte
30 %
Design Kit
–