WE-MCRI Umpresste Doppeldrossel. Magnetisch geschirmt. Bessere Streuinduktivität (Lk) und Nennstrom (Ir) als vergleichbare Komponenten.
BauformMaßeL
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
1040
11 10 4
1090
11 10 9

Merkmale

  • Komposit-Kernmaterial ermöglicht einen hohen Sättigungsstrom und eine kompakte Bauweise
  • Bessere Streuinduktivität (Lk) und Nennstrom (Ir) als vergleichbare Komponenten
  • Magnetisch geschirmt
  • 1:1 Übertrager
  • Betriebstemperatur: -40 °C bis + 125 °C

Anwendung

  • Isolierte Konverter-Anwendung, (wie z.B. Flyback-Konverter)
  • Buck, Boost, Sepic, Zeta, CUK Converter
  • Schaltregler mit zweiter, ungeregelter Ausgangsspannung

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Simu­lation
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L1(µH)
L2(µH)
n
IR 1(A)
IR 2(A)
ISAT1(A)
ISAT2(A)
RDC1 max(mΩ)
RDC2 max(mΩ)
LS(µH)
Muster
7448990010
1 µH, 1 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11 µH
Induktivität 21 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 117 A
Nennstrom 217 A
Sättigungsstrom 143.5 A
Sättigungsstrom 243.5 A
Gleichstromwiderstand 15.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 25.6 mΩ
Streuinduktivität0.17 µH
7448991010
1 µH, 1 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11 µH
Induktivität 21 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 112 A
Nennstrom 212 A
Sättigungsstrom 130.2 A
Sättigungsstrom 230.2 A
Gleichstromwiderstand 17.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 27.5 mΩ
Streuinduktivität0.16 µH
7448990015
1.5 µH, 1.5 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11.5 µH
Induktivität 21.5 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 112.5 A
Nennstrom 212.5 A
Sättigungsstrom 134 A
Sättigungsstrom 234 A
Gleichstromwiderstand 19.4 mΩ
Gleichstromwiderstand 29.4 mΩ
Streuinduktivität0.18 µH
7448991015
1.5 µH, 1.5 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11.5 µH
Induktivität 21.5 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 111.1 A
Nennstrom 211.1 A
Sättigungsstrom 128.1 A
Sättigungsstrom 228.1 A
Gleichstromwiderstand 110 mΩ
Gleichstromwiderstand 210 mΩ
Streuinduktivität0.17 µH
7448990022
2.2 µH, 2.2 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12.2 µH
Induktivität 22.2 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 111.5 A
Nennstrom 211.5 A
Sättigungsstrom 129.5 A
Sättigungsstrom 229.5 A
Gleichstromwiderstand 112.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 212.5 mΩ
Streuinduktivität0.19 µH
7448991022
2.2 µH, 2.2 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12.2 µH
Induktivität 22.2 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 18.2 A
Nennstrom 28.2 A
Sättigungsstrom 120.6 A
Sättigungsstrom 220.6 A
Gleichstromwiderstand 116.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 216.5 mΩ
Streuinduktivität0.18 µH
7448991027
2.7 µH, 2.7 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12.7 µH
Induktivität 22.7 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 17.4 A
Nennstrom 27.4 A
Sättigungsstrom 116.5 A
Sättigungsstrom 216.5 A
Gleichstromwiderstand 116.8 mΩ
Gleichstromwiderstand 216.8 mΩ
Streuinduktivität0.2 µH
7448990033
3.3 µH, 3.3 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13.3 µH
Induktivität 23.3 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 17.5 A
Nennstrom 27.5 A
Sättigungsstrom 128.2 A
Sättigungsstrom 228.2 A
Gleichstromwiderstand 126 mΩ
Gleichstromwiderstand 226 mΩ
Streuinduktivität0.22 µH
7448991033
3.3 µH, 3.3 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13.3 µH
Induktivität 23.3 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 16.8 A
Nennstrom 26.8 A
Sättigungsstrom 114.3 A
Sättigungsstrom 214.3 A
Gleichstromwiderstand 123.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 223.5 mΩ
Streuinduktivität0.21 µH
7448990047
4.7 µH, 4.7 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14.7 µH
Induktivität 24.7 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 15.9 A
Nennstrom 25.9 A
Sättigungsstrom 124.2 A
Sättigungsstrom 224.2 A
Gleichstromwiderstand 140 mΩ
Gleichstromwiderstand 240 mΩ
Streuinduktivität0.235 µH
7448991047
4.7 µH, 4.7 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14.7 µH
Induktivität 24.7 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 16.2 A
Nennstrom 26.2 A
Sättigungsstrom 113.8 A
Sättigungsstrom 213.8 A
Gleichstromwiderstand 129 mΩ
Gleichstromwiderstand 229 mΩ
Streuinduktivität0.225 µH
7448990068
6.8 µH, 6.8 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16.8 µH
Induktivität 26.8 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 15 A
Nennstrom 25 A
Sättigungsstrom 121.2 A
Sättigungsstrom 221.2 A
Gleichstromwiderstand 151.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 251.5 mΩ
Streuinduktivität0.245 µH
7448991068
6.8 µH, 6.8 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16.8 µH
Induktivität 26.8 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 15 A
Nennstrom 25 A
Sättigungsstrom 112 A
Sättigungsstrom 212 A
Gleichstromwiderstand 144 mΩ
Gleichstromwiderstand 244 mΩ
Streuinduktivität0.24 µH
7448990082
8.2 µH, 8.2 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18.2 µH
Induktivität 28.2 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14.8 A
Nennstrom 24.8 A
Sättigungsstrom 118.5 A
Sättigungsstrom 218.5 A
Gleichstromwiderstand 163 mΩ
Gleichstromwiderstand 263 mΩ
Streuinduktivität0.26 µH
7448991082
8.2 µH, 8.2 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18.2 µH
Induktivität 28.2 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14.7 A
Nennstrom 24.7 A
Sättigungsstrom 111.3 A
Sättigungsstrom 211.3 A
Gleichstromwiderstand 146 mΩ
Gleichstromwiderstand 246 mΩ
Streuinduktivität0.25 µH
7448990100
10 µH, 10 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 110 µH
Induktivität 210 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14.5 A
Nennstrom 24.5 A
Sättigungsstrom 117 A
Sättigungsstrom 217 A
Gleichstromwiderstand 169 mΩ
Gleichstromwiderstand 269 mΩ
Streuinduktivität0.27 µH
7448991100
10 µH, 10 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 110 µH
Induktivität 210 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.7 A
Nennstrom 23.7 A
Sättigungsstrom 19.8 A
Sättigungsstrom 29.8 A
Gleichstromwiderstand 162 mΩ
Gleichstromwiderstand 262 mΩ
Streuinduktivität0.3 µH
7448990150
15 µH, 15 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 115 µH
Induktivität 215 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.9 A
Nennstrom 23.9 A
Sättigungsstrom 19.5 A
Sättigungsstrom 29.5 A
Gleichstromwiderstand 187 mΩ
Gleichstromwiderstand 287 mΩ
Streuinduktivität0.3 µH
7448991150
15 µH, 15 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 115 µH
Induktivität 215 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.25 A
Nennstrom 23.25 A
Sättigungsstrom 17.8 A
Sättigungsstrom 27.8 A
Gleichstromwiderstand 195 mΩ
Gleichstromwiderstand 295 mΩ
Streuinduktivität0.32 µH
7448990220
22 µH, 22 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 122 µH
Induktivität 222 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.4 A
Nennstrom 23.4 A
Sättigungsstrom 18.1 A
Sättigungsstrom 28.1 A
Gleichstromwiderstand 1106 mΩ
Gleichstromwiderstand 2106 mΩ
Streuinduktivität0.335 µH
7448991220
22 µH, 22 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 122 µH
Induktivität 222 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.2 A
Nennstrom 22.2 A
Sättigungsstrom 16.1 A
Sättigungsstrom 26.1 A
Gleichstromwiderstand 1160 mΩ
Gleichstromwiderstand 2160 mΩ
Streuinduktivität0.33 µH
7448990330
33 µH, 33 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 133 µH
Induktivität 233 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.9 A
Nennstrom 22.9 A
Sättigungsstrom 16.8 A
Sättigungsstrom 26.8 A
Gleichstromwiderstand 1145 mΩ
Gleichstromwiderstand 2145 mΩ
Streuinduktivität0.35 µH
7448991330
33 µH, 33 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 133 µH
Induktivität 233 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.05 A
Nennstrom 22.05 A
Sättigungsstrom 15 A
Sättigungsstrom 25 A
Gleichstromwiderstand 1230 mΩ
Gleichstromwiderstand 2230 mΩ
Streuinduktivität0.34 µH
7448990470
47 µH, 47 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 147 µH
Induktivität 247 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.3 A
Nennstrom 22.3 A
Sättigungsstrom 16 A
Sättigungsstrom 26 A
Gleichstromwiderstand 1240 mΩ
Gleichstromwiderstand 2240 mΩ
Streuinduktivität0.37 µH
7448991470
47 µH, 47 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 147 µH
Induktivität 247 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.5 A
Nennstrom 21.5 A
Sättigungsstrom 14.4 A
Sättigungsstrom 24.4 A
Gleichstromwiderstand 1340 mΩ
Gleichstromwiderstand 2340 mΩ
Streuinduktivität0.35 µH

Duett der Meisterklasse!

Gekoppelte Speicherdrosseln

Die WE-MCRI ist eine innovative, gemoldete Doppeldrossel. Der vollautomatische Produktionsprozess mit Bifilarwicklung ermöglicht einen fast idealen Kopplungskoeffizienten von bis zu 0,995. Eine weitere Eigenschaften der WE-MCRI Baureihe ist ein weiches Sättigungsverhalten, das durch das Kernmaterial und den darin enthaltenen verteilten Luftspalt erreicht wird.

Die Produktfamilie der Doppeldrosseln beinhaltet Varianten mit hoher Isolationsspannung bis zu 2 kV, “Low Profile” Typen und Drosseln mit unterschiedlichen Übersetzungsverhältnissen.

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Das innovative Design im Detail

Der verteilte Luftspalt innerhalb der kristallinen Kernstruktur

Der verteilte Luftspalt innerhalb der kristallinen Kernstruktur

WE-MCRI Bauteil von innen mit hohem Kopplungskoeffizient

Hoher Kopplungs­koeffizient

Weiche Sättigung Induktivität & Stromstärke bei WE-MRCI bei Bauteilen

Weiche Sättigung

Übersicht typischer Anwendungen

Schematic WE-MCRI Multi Output Buck
Multi Output Buck
  • Isolation: Isolated/Non-isolated
  • Multiple Output: Yes
  • Output: Non-inverted
  • Complexity: Low
  • Cost: Low
  • Product Series Recommendation: WE-DPC HVWE-TDC HVWE-MTCI

 

Schmatic Flyback WE-MCRI
Flyback
  • Isolation: Isoliert/nicht isoliert
  • Mehrere Ausgänge: Ja
  • Ausgang: Non-inverted
  • Komplexität: Moderat
  • Kosten: Moderat
  • Empfohlene Produktserien: WE-TDC HVWE-MTCI
Schematic SEPIC WE-MCRI
SEPIC
  • Isolation: Nicht isoliert
  • Mehrere Ausgänge: Nein
  • Ausgang: Non-inverted
  • Komplexität: Moderat
  • Kosten: Moderat
  • Empfohlene Produktserien: WE-DDWE-CFWIWE-MTCI, WE-MCRI
Schematic ZETA WE-MCRI
ZETA
  • Isolation: Nicht isoliert
  • Mehrere Ausgänge: Nein
  • Ausgang: Non-inverted
  • Komplexität: Moderat
  • Kosten: Moderat
  • Empfohlene Produktserien: WE-DPCWE-CFWIWE-DCT
Schematic Cuk WE-MCRI
Cuk
  • Isolation: Nicht isoliert
  • Mehrere Ausgänge: Nein
  • Ausgang: Non-inverted
  • Komplexität: Moderat
  • Kosten: Moderat
  • Empfohlene Produktserien: WE-CFWIWE-DD, WE-MCRI

 

Schematic High Step-up Boost WE-MCRI
High Step-up Boost
  • Isolation: Nicht isoliert
  • Mehrere Ausgänge: Nein
  • Ausgang: Non-inverted
  • Komplexität: Moderat
  • Kosten: Niedrig
  • Empfohlene Produktserien: WE-EHPIWE-MTCI

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Die wichtigsten Features auf einen Blick

  • Weltweit genauestes AC-Verlustmodel
  • Simulation der Induktivität und Auswahl für DC/DC-Schaltregler
  • Vergleich von Induktitätsabfall und Erwärmung über DC-Current mit interaktiven Schaubildern
  • Filtereinstellung für mehr als 20 elektrische und mechanische Parameter
  • Messwertbasierte Online-Plattform
  • Kostenlose Musterbestellung
  • Direkter Zugriff auf Produktdatenblätter
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Demo Board

Abwärtswandler mit 1 oder 2 Ausgängen

Demo Board

Abwärtswandler mit 1 oder 2 Ausgängen

Mit der Hochspannungsvariante von der gekoppelten Speicherdrossel WE-CPIB HV kann mit minimaler Baugröße und minimalem Konstruktionsaufwand ein zusätzlicher isolierter Ausgang in einem Abwärtswandler erreicht werden.

Demo Board Eigenschaften:

  • USB-Stromversorgung
  • Abwärtswandler mit 1 oder 2 Ausgängen
  • LED Anzeige
Demoboard von WE-MCRI

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Schematische Darstellungen des Redexpert Verlust-Simulators