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Details
| Topologie | HDBaseT |
| IC-Revision | A0 |
Beschreibung
The only solution for long-range distribution of uncompressed HDMI 2.0, with zero latency. The Valens Stello VS3000 chipset family includes highly integrated ICs for the convergence and extension of A/V signals over a single standard Category cable.The Stello chipsets enable the extension of uncompressed HDMI 2.0 (18Gbps – 4K@60 4:4:4), high fidelity audio, 1Gbps ethernet, USB2.0, controls, and power, over a CAT cable for up to 100 meters (328 feet), with zero latency. They implement the HDBaseT 3.0 spec and are backwards compatible with HDBaseT spec 2.0 and spec 1.0 products, providing interoperability with existing installations.
Eigenschaften
- Convergence of multiple native interfaces over a single Cat 6a cable (U/FTP), including:
- Video: Uncompressed HDMI 2.0 4K@60Hz 4:4:4, 8-bit resolution
- Audio: I2S-4 and S/PDIF
- Ethernet: 1Gbps - USB: High speed USB 2.0
- Controls: I2C, UART and CIR
- Power: PoH (power over HDBaseT), based on IEEE 802.3a/bt
- Highly integrated chipset
- Concurrent ‘HDMI in’ and ‘HDMI out’ native ports
- Audio Extract and Insert functionality on ‘HDMI in’, ‘HDMI out,’ and the HDBaseT port
- HDCP2.3 repeater
- Internal HDBaseT packet switching core
- HDBaseT port duality, enabling a single hardware design to support both Tx and Rx
- Backwards compatible with VS100 and Colligo VS2000 Valens product families
Typische Anwendungen
- Transmission of medical AV data
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | Tab | LED | PHY-Chipmodus | Shield Tabs | C | Tol. C | DF(%) | RISO | Keramiktyp | L(mm) | B(mm) | Fl(mm) | Verpackung | ISAT(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | LS(µH) | Interface typ | Ausführung | Gender | Pins | Arbeitsspannung(V (AC)) | H(mm) | Betätigungskraft(g) | Elektrische Lebensdauer(Cycles) | Actuator-Farbe | Waschbar | Dampfphasenprozess | Z @ 100 MHz(Ω) | Zmax(Ω) | Testbedingung Zmax | IR 2(mA) | RDC max.(Ω) | Typ | IR(mA) | Z @ 1 GHz(Ω) | Wicklungstyp | Wicklungsanzahl | L1(µH) | Z(Ω) | IR 1(mA) | RDC1 max.(Ω) | VR(V) | Version | Vin | VOut1(V) | IOut1(A) | VOut2(V) | IOut2(A) | Vaux(V) | n | LSmin.(nH) | VT(V (DC)) | Bauform | Datenrate | Ports | PoE | Improved CMRR | Betriebstemperatur | USB | Montageart | L(µH) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | WE-RJ45 LAN Through Hole Reflow, Oben, grün/gelb-grün/gelb | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-RJ45 LAN Through Hole Reflow | Tab PositionOben | LED (Links-Rechts)grün/gelb-grün/gelb | PHY-Chipmoduscurrent & voltage | Shield TabsNein | – | – | – | – | – | Länge22 mm | Breite16 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Höhe14 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Übersetzungsverhältnis1:1 | – | Prüfspannung2250 V (DC) | – | Datenrate100BASE-TX | Ports1 | PoEkein-PoE | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | USBNein | MontageartTHR | Induktivität350 µH | ||||
 | WE-RJ45 LAN Through Hole Reflow, Oben, grün/gelb-grün/gelb | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-RJ45 LAN Through Hole Reflow | Tab PositionOben | LED (Links-Rechts)grün/gelb-grün/gelb | PHY-Chipmoduscurrent | Shield TabsNein | – | – | – | – | – | Länge21.5 mm | Breite16 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Höhe13.6 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Übersetzungsverhältnis1:1 | – | Prüfspannung2250 V (DC) | – | Datenrate1000BASE-T | Ports1x1 | PoEkein-PoE | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | USBNein | MontageartTHR | Induktivität350 µH | ||||
 | WE-CBF SMT-Ferrit, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge1.6 mm | Breite0.8 mm | Pad Dimension0.3 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Höhe0.8 mm | – | – | – | – | – | Impedanz @ 100 MHz1000 Ω | Maximale Impedanz1050 Ω | Maximale Impedanz120 MHz | Nennstrom 2830 mA | Gleichstromwiderstand0.3 Ω | TypBreitband | Nennstrom600 mA | Impedanz @ 1 GHz186 Ω | – | Wicklungsanzahl1 | – | – | Nennstrom [1]600 mA | Gleichstromwiderstand [1]0.3 Ω | – | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Bauform0603 | – | – | – | – | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | – | MontageartSMT | – | ||||
| WE-CBF SMT-Ferrit, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge1.6 mm | Breite0.8 mm | Pad Dimension0.3 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Höhe0.8 mm | – | – | – | – | – | Impedanz @ 100 MHz470 Ω | Maximale Impedanz600 Ω | Maximale Impedanz230 MHz | Nennstrom 21000 mA | Gleichstromwiderstand0.2 Ω | TypHochstrom | Nennstrom800 mA | – | – | Wicklungsanzahl1 | – | – | Nennstrom [1]1000 mA | Gleichstromwiderstand [1]0.2 Ω | – | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Bauform0603 | – | – | – | – | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | – | MontageartSMT | – | ||||
 | WE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge1.6 mm | Breite0.8 mm | Pad Dimension0.3 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Höhe0.8 mm | – | – | – | – | – | Impedanz @ 100 MHz60 Ω | Maximale Impedanz99 Ω | Maximale Impedanz458 MHz | Nennstrom 25100 mA | Gleichstromwiderstand0.015 Ω | TypHochstrom | Nennstrom5100 mA | Impedanz @ 1 GHz74 Ω | – | Wicklungsanzahl1 | – | – | – | – | – | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Bauform0603 | – | – | – | – | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | – | MontageartSMT | – | ||||
 | WE-SL5 HC Stromkompensierter SMT Line Filter, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-SL5 HC Stromkompensierter SMT Line Filter | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge9.5 mm | Breite8.3 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Pins4 | – | Höhe5 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand0.03 Ω | – | Nennstrom2500 mA | – | WicklungstypSektional | Wicklungsanzahl2 | Induktivität [1]11 µH | Impedanz1000 Ω | Nennstrom [1]2500 mA | Gleichstromwiderstand [1]0.03 Ω | Nennspannung80 V | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | Streuinduktivität [min.]1300 nH | Prüfspannung500 V (DC) | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | MontageartSMT | Induktivität11 µH | ||||
 | WE-LQS SMT-Speicherdrossel, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge2.5 mm | Breite2 mm | – | – | Sättigungsstrom3.5 A | Gleichstromwiderstand35 mΩ | Eigenresonanzfrequenz176 MHz | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Höhe1.2 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Nennstrom2500 mA | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Bauform2512 | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | MontageartSMT | Induktivität0.68 µH | ||||
 | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge5.8 mm | Breite5.8 mm | – | – | Sättigungsstrom2.2 A | – | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | – | – | – | – | – | – | – | Pins2 | – | Höhe2.8 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand0.035 Ω | – | Nennstrom2500 mA | – | – | Wicklungsanzahl8.5 | – | – | – | – | – | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Bauform5828 | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | MontageartSMT | Induktivität4.2 µH | ||||
 | WE-LHMI SMT Speicherdrossel, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge7.3 mm | Breite6.6 mm | – | – | – | – | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | Performance Nennstrom12.4 A | Sättigungsstrom 112 A | Sättigungsstrom @ 30%24 A | – | – | – | – | – | – | Höhe4.8 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand0.0075 Ω | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Bauform7050 | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | MontageartSMT | Induktivität1.2 µH | ||||
 | WE-PoEH Übertrager für Power over Ethernet High Power, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge14 mm | Breite17.65 mm | – | – | Sättigungsstrom3.6 A | – | – | – | – | – | Streuinduktivität0.7 µH | – | – | – | – | – | Höhe14.5 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | VersionFlyback | Input Voltage 33 - 57 V (DC) | Ausgangsspannung 15 V | Ausgangsstrom 13 A | Ausgangsspannung 25 V | Ausgangsstrom 23 A | Hilfsspannung10 V | Übersetzungsverhältnis5.33:1:1:2 | – | Prüfspannung1500 V (DC) | BauformEPQ13 | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | MontageartSMT | Induktivität48 µH | ||||
 | WR-USB Mini/Micro Connectors, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWR-USB Mini/Micro Connectors | – | – | – | – | – | – | – | Isolationswiderstand1000 MΩ | – | – | – | – | VerpackungTape and Reel | – | – | – | – | – | – | – | Interface typType B | AusführungMit Pads & Pegs | GenderBuchse | Pins5 | Arbeitsspannung30 V (AC) | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | TypHorizontal | Nennstrom1000 mA | – | – | – | – | – | Nennstrom [1]1000 mA | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | – | MontageartSMT | – | |||
 | WS-TASV J-Bend SMT Tact Switch 3.5x2.9 mm, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWS-TASV J-Bend SMT Tact Switch 3.5x2.9 mm | – | – | – | – | – | – | – | Isolationswiderstand100 MΩ | – | – | – | – | VerpackungTape and Reel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Höhe1.7 mm | Betätigungskraft350 g | Elektrische Lebensdauer200000 Cycles | Actuator farbeBlau | WaschbarNein | Dampfphasenprozessnicht spezifiziert | – | – | – | – | – | – | Nennstrom50 mA | – | – | – | – | – | – | – | Nennspannung12 V | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | – | – | – | |||
 | WE-FLYTI MID-FLYTI Flyback Transformers for Texas Instruments, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge23.11 mm | Breite29.65 mm | – | VerpackungTape and Reel | Sättigungsstrom8.75 A | – | – | – | – | – | Streuinduktivität0.1 µH | – | – | – | – | – | Höhe11.43 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | VersionFlyback | Input Voltage 9 - 57 V (DC) | Ausgangsspannung 156 V | Ausgangsstrom 10.35 A | – | – | Hilfsspannung12 V | Übersetzungsverhältnis1:5:1.13 | – | Prüfspannung1500 V (DC) | BauformEFD20 | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | MontageartSMT | Induktivität10 µH | |||||
 | WCAP-CSMH Mid and High Voltage, –, – | Downloads8 Dateien | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-CSMH Mid and High Voltage | – | – | – | – | Kapazität10 nF | Kapazität±10% | Verlustfaktor2.5 % | Isolationswiderstand10 GΩ | KeramiktypX7R Klasse II | Länge1.6 mm | Breite0.8 mm | Pad Dimension0.4 mm | Verpackung7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Höhe0.8 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Nennspannung250 V | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Bauform0603 | – | – | – | – | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | – | – | – | |||
| WE-LAN 10G Übertrager 10Gbit Base-T, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LAN 10G Übertrager 10Gbit Base-T | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge18.5 mm | Breite15.34 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Höhe10.02 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Übersetzungsverhältnis1:1 | – | Prüfspannung4000 V (DC) | – | Datenrate10G Base-T | Ports1 | PoEPoE (bis zu 350 mA) | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | – | MontageartSMT | Induktivität120 µH |