|
749050010A
|
10G Base-T, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
0 °C up to +70 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
200 µH
|
Design Kit
–
|
|
|
749050010U
|
10G Base-T, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
0 °C up to +70 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
200 µH
|
|
|
|
749052011
|
10G Base-T, 1, PoE+ (bis zu 600 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE+ (bis zu 600 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
0 °C up to +70 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
120 µH
|
|
|
|
749052050
|
10G Base-T, 1, PoE+ (bis zu 1 A)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE+ (bis zu 1 A)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
0 °C up to +70 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
180 µH
|
|
|
|
749053010
|
10G Base-T, 1, PoE (bis zu 350 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE (bis zu 350 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
0 °C up to +70 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
120 µH
|
|
|
|
749050017
|
10G Base-T, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
120 µH
|
Design Kit
–
|
|
|
749050018
|
10G Base-T, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
120 µH
|
Design Kit
–
|
|
|
749053011
|
10G Base-T, 1, PoE (bis zu 350 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE (bis zu 350 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
0 °C up to +70 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
200 µH
|
Design Kit
–
|
|
|
749053012
|
10G Base-T, 1, PoE (bis zu 350 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE (bis zu 350 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
200 µH
|
Design Kit
–
|
|
|
749053013
|
10G Base-T, 1, PoE (bis zu 350 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE (bis zu 350 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
120 µH
|
Design Kit
–
|
|
|
749052012
|
10G Base-T, 1, PoE+ (bis zu 600 mA)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE+ (bis zu 600 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
0 up to +70 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
120 µH
|
Design Kit
–
|
|
|
749052051
|
10G Base-T, 1, PoE+ (bis zu 1 A)
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE+ (bis zu 1 A)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
120 µH
|
Design Kit
–
|
|
|
749052014
|
10G Base-T, 1, kein-PoE
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
kein-PoE
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +105 °C
|
Prüfspannung
1500 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
180 µH
|
Design Kit
–
|
|
|
749054010
|
10G Base-T, 1, PoE (bis zu 350 mA)
|
Simulation
–
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
Datenrate
10G Base-T
|
Ports
1
|
PoE
PoE (bis zu 350 mA)
|
Verbesserte Common Mode Entstörung
Nein
|
Betriebstemperatur
-40 °C up to +85 °C
|
Prüfspannung
4000 V (RMS)
|
Montageart
SMT
|
Induktivität
120 µH
|
Design Kit
–
|
|