IC-Hersteller Microchip

IC-Hersteller (103)

Microchip LAN7800 | Demoboard RD016

Gigabit Ethernet Front End

Details

TopologieLAN / POE
IC-Revisiona

Beschreibung

The electronics board has two interfaces, one USB C (USB 3.1) and one Gigabit RJ45/Ethernet interface. The GB-EthernetUSB adapter was developed on the basis of the EVBLAN7800LC Evaluation Board from Microchip. The circuit is built on a 4-layer PCB and in the present design is supplied with voltage via the USB interface. The first part of this Application Note presents the technical basics necessary for understanding the reference design. The second part details the 1 GB Ethernet interface up to the physical layer (PHY in the OSI model). EMC aspects are dealt with in detail in Application Note ANP116.

Eigenschaften

  • Single Chip SuperSpeed(SS) USB 3.1 Gen 1 to 10/100/1000 Ethernet Controller
  • Integrated Gigabit PHY WITH HP Auto-MDIX
  • Integrated 10/100/1000 Ethernet MAC(Full-Duplex Support)
  • Integrated USB 3.1 Gen 1 SS Device Controller and PHY
  • Low Power Consumption
  • Compliant with Energy Efficient Ethernet IEEE 802.3az
  • Wake on LAN support(WOL)
  • Configuration via One Time Programmable(OTP) Memory
  • Net Detach provides automatic USB attach/detach when Ethernet cable is connected/removed

Typische Anwendungen

  • Gigabit Ethernet Front End

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
λDom typ.(nm)
Farbe
λPeak typ.(nm)
λPeak G typ.(nm)
λPeak Y typ.(nm)
IV typ.(mcd)
IV G typ.(mcd)
IV Y typ.(mcd)
VF typ.(V)
VF G typ.(V)
VF Y typ.(V)
Chiptechnologie
50% typ.(°)
C
Tol. C
Bauform
Qmin.
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
Fl(mm)
Verpackung
Q(%)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
IRP,40K(A)
ISAT,30%(A)
RDC typ.(mΩ)
VOP(V)
xPxC
Schirmung
EMI
Anwendungssystem
Arbeitsspannung(V (DC))
Interface typ
Gender
Pins
Leiterplattendicke(mm)
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(Ω)
Typ
IR(mA)
Z @ 1 GHz(Ω)
H(mm)
Wicklungstyp
L(µH)
fc(GHz)
VR(V)
VT(V (DC))
Kanäle
Polarität
VCh max.(V)
ICh Leak max.(µA)
VBR min.(V)
CCh typ.(pF)
IPeak(A)
VCh Clamp ESD typ.(V)
VESD Contact(kV)
Datenrate
Ports
PoE
Improved CMRR
Betriebstemperatur
USB
Montageart
Tab
LED
PHY-Chipmodus
Shield Tabs
Muster
WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, 570 nm, Hellgrün
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
dominante Wellenlänge [typ.]570 nm
FarbeHellgrün 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]572 nm
Lichtstärke [typ.]50 mcd
Durchlassspannung [typ.]2 V
ChiptechnologieAlInGaP 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 °
Bauform0603 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.25 mm
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
MontageartSMT 
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Bauform0603 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Pad Dimension0.3 mm
Impedanz @ 100 MHz120 Ω
Maximale Impedanz180 Ω
Maximale Impedanz400 MHz 
Nennstrom 22000 mA
Gleichstromwiderstand0.05 Ω
TypHochstrom 
Nennstrom1500 mA
Impedanz @ 1 GHz146 Ω
Höhe0.8 mm
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
WE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform1206 
Länge3.2 mm
Breite1.6 mm
Pad Dimension0.5 mm
Gleichstromwiderstand9.5 mΩ
Impedanz @ 100 MHz110 Ω
Maximale Impedanz118 Ω
Maximale Impedanz150 MHz 
Nennstrom 25400 mA
Gleichstromwiderstand0.015 Ω
TypHochstrom 
Nennstrom5400 mA
Impedanz @ 1 GHz44 Ω
Höhe1.1 mm
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
WE-CNSW Stromkompensierter SMT Line Filter, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform1206 
Länge3.2 mm
Breite1.6 mm
Pins
Impedanz @ 100 MHz90 Ω
Gleichstromwiderstand0.3 Ω
Nennstrom370 mA
Höhe1.8 mm
Wicklungstypbifilar 
Induktivität0.111 µH
Nennspannung50 V
Prüfspannung125 V (DC)
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
WE-CNSW HF Stromkompensierter SMT Line Filter, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform0504 
Länge1.2 mm
Breite1 mm
Pins
Impedanz @ 100 MHz60 Ω
Gleichstromwiderstand0.22 Ω
Nennstrom600 mA
Höhe0.9 mm
Wicklungstypbifilar 
Induktivität0.1 µH
Grenzfrequenz10 GHz
Nennspannung20 V
Prüfspannung125 V (DC)
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
MontageartSMT 
WE-LQS SMT-Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform3015 
Länge3 mm
Breite3 mm
Sättigungsstrom1.5 A
Gleichstromwiderstand70 mΩ
Eigenresonanzfrequenz72 MHz
Betriebsspannung120 V
Nennstrom1500 mA
Höhe1.5 mm
Induktivität3.3 µH
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform3020 
Länge3 mm
Breite3 mm
Sättigungsstrom4.75 A
Eigenresonanzfrequenz57 MHz
Performance Nennstrom5.65 A
Sättigungsstrom @ 30%6 A
Gleichstromwiderstand30 mΩ
Betriebsspannung80 V
Schirmunggeschirmt 
Pins
Gleichstromwiderstand0.036 Ω
Nennstrom3900 mA
Höhe2 mm
Wicklungstypbifilar 
Induktivität1.2 µH
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
WE-RJ45 LAN Übertrager, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge21.25 mm
Breite16 mm
EMI FingerJa 
Höhe13.5 mm
Induktivität350 µH
Prüfspannung1500 V (DC)
Datenrate1000BASE-T 
Ports1x1 
PoEkein-PoE 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
USBNein 
MontageartTHT 
Tab PositionUnten 
LED (Links-Rechts)gelb-grün 
PHY-Chipmoduscurrent 
Shield TabsJa 
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität15 pF
Kapazität±5% 
Bauform0402 
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypNP0 Klasse I 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Güte700 %
Höhe0.5 mm
Nennspannung50 V
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 nF
Kapazität±20% 
Bauform0402 
Güte [1]600 
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand5 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe0.5 mm
Nennspannung25 V
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
WCAP-CSGP MLCCs 16 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität1 µF
Kapazität±10% 
Bauform0603 
Güte [1]600 
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.1 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe0.8 mm
Nennspannung16 V
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität10 nF
Kapazität±10% 
Bauform0603 
Güte [1]600 
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe0.8 mm
Nennspannung25 V
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 nF
Kapazität±10% 
Bauform0603 
Güte [1]600 
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand5 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe0.8 mm
Nennspannung25 V
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 nF
Kapazität±10% 
Bauform0805 
Güte [1]600 
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand5 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge2 mm
Breite1.25 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe0.8 mm
Nennspannung50 V
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSGP MLCCs 6.3 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität22 µF
Kapazität±20% 
Bauform0805 
Verlustfaktor15 %
Isolationswiderstand0.005 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge2 mm
Breite1.25 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe1.25 mm
Nennspannung6.3 V
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität4.7 µF
Kapazität±20% 
Bauform0805 
Güte [1]600 
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.02 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge2 mm
Breite1.25 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe1.25 mm
Nennspannung25 V
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
WR-USB Type C Connectors, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Isolationswiderstand1000 MΩ
VerpackungTape and Reel 
Arbeitsspannung48 V (DC)
Interface typType C 
GenderBuchse 
Pins24 
Leiterplattendicke1.6 mm
TypHorizontal 
Nennstrom5000 mA
Polarität24 
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
MontageartTHR 
WCAP-CSGP MLCCs 100 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität10 nF
Kapazität±10% 
Bauform0805 
Güte [1]600 
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge2 mm
Breite1.25 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe0.8 mm
Nennspannung100 V
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSMH Mid and High Voltage, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 pF
Kapazität±10% 
Bauform1206 
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge3.2 mm
Breite1.6 mm
Pad Dimension0.6 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Güte600 %
Höhe1.25 mm
Nennspannung2000 V
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WR-MJ Cat 3 Modular Jacks – THT, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge (Grün) [typ.]570 nm
Spitzen-Wellenlänge (Gelb) [typ.]590 nm
Lichtstärke (Grün) [typ.]13 mcd
Lichtstärke (Gelb) [typ.]8 mcd
Durchlassspannung (Grün) [typ.]2.3 V
Durchlassspannung (Gelb) [typ.]2.3 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 °
Isolationswiderstand1000 MΩ
VerpackungTray 
Anzahl der Pins (xPxC)8P8C 
Schirmunggeschirmt 
EMI FingerJa 
AnwendungssystemCAT 3 
Arbeitsspannung125 V (DC)
TypHorizontal 
Nennstrom1500 mA
Ports1x1 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
MontageartTHT 
Tab PositionUnten 
LED (Links-Rechts)gelb-grün 
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge17.53 mm
Breite14.6 mm
Pad Dimension13.97 mm
Gleichstromwiderstand1200 mΩ
Pins24 
Höhe4.5 mm
Induktivität350 µH
Prüfspannung1500 V (DC)
Datenrate10/100/1000BASE-T 
Ports
PoEkein-PoE 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
MontageartSMT 
WE-TVS TVS Diode – Super Speed Series, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Durchlassspannung [typ.]0.9 V
BauformDFN3810-9L 
Länge3.8 mm
Breite1 mm
Höhe0.5 mm
Kanäle
PolaritätUnidirectional 
Kanal Betriebsspannung [max.]5 V
(Rückwärts-) Durchbruchspannung [min.]6 V
(Kanal) Eingangskapazität [typ.]0.5 pF
(Reverse) Peak Pulse Current5 A
Kanal ESD Klemmspannung [typ.]10.5 V
ESD Kontact-Entladungsfähigkeit15 kV
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
MontageartSMT 
WE-TVS TVS Diode – Super Speed Series, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Durchlassspannung [typ.]0.9 V
BauformDFN1210-6L 
Länge1.2 mm
Breite1 mm
Höhe0.45 mm
Kanäle
PolaritätUnidirectional 
Kanal Betriebsspannung [max.]3.3 V
Kanal (Rück) Leckstrom [max.]0.5 µA
(Rückwärts-) Durchbruchspannung [min.]4.5 V
(Kanal) Eingangskapazität [typ.]0.18 pF
(Reverse) Peak Pulse Current3 A
Kanal ESD Klemmspannung [typ.]13 V
ESD Kontact-Entladungsfähigkeit8 kV
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
MontageartSMT 
WE-TVS TVS Diode – Standard Series, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Durchlassspannung [typ.]0.8 V
BauformDFN1610-2L 
Länge1.6 mm
Breite1 mm
Höhe0.5 mm
Kanäle
PolaritätUnidirectional 
Kanal Betriebsspannung [max.]20 V
(Rückwärts-) Durchbruchspannung [min.]22.8 V
(Kanal) Eingangskapazität [typ.]240 pF
(Reverse) Peak Pulse Current24 A
Kanal ESD Klemmspannung [typ.]25.5 V
ESD Kontact-Entladungsfähigkeit30 kV
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
MontageartSMT