SPEC 850 nm, 400 nm, 1100 nm Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.] 850 nm
spektrale Bandbreite [min.] 400 nm
spektrale Bandbreite [max.] 1100 nm
Kollektorstrom [min.] 5 mA
Kollektorstrom [typ.] 15 mA
Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.] 300 nA
Chiptechnologie Si
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 30 °
SPEC 850 nm, 400 nm, 1100 nm Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.] 850 nm
spektrale Bandbreite [min.] 400 nm
spektrale Bandbreite [max.] 1100 nm
Kollektorstrom [min.] 6 mA
Kollektorstrom [typ.] 15 mA
Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.] 300 nA
Chiptechnologie Si
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 30 °
SPEC 940 nm, 700 nm, 1100 nm Anstehende PCN Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.] 940 nm
spektrale Bandbreite [min.] 700 nm
spektrale Bandbreite [max.] 1100 nm
Kollektorstrom [min.] 0.6 mA
Kollektorstrom [typ.] 2.8 mA
Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.] 100 nA
Chiptechnologie Si
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 120 °
SPEC 940 nm, 400 nm, 1100 nm Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.] 940 nm
spektrale Bandbreite [min.] 400 nm
spektrale Bandbreite [max.] 1100 nm
Kollektorstrom [min.] 0.9 mA
Kollektorstrom [typ.] 1.6 mA
Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.] 100 nA
Chiptechnologie Si
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 150 °
SPEC 940 nm, 400 nm, 1100 nm Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.] 940 nm
spektrale Bandbreite [min.] 400 nm
spektrale Bandbreite [max.] 1100 nm
Kollektorstrom [min.] 0.9 mA
Kollektorstrom [typ.] 2.5 mA
Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.] 100 nA
Chiptechnologie Si
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 150 °
SPEC 940 nm, 400 nm, 1100 nm Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.] 940 nm
spektrale Bandbreite [min.] 400 nm
spektrale Bandbreite [max.] 1100 nm
Kollektorstrom [min.] 0.6 mA
Kollektorstrom [typ.] 3.1 mA
Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.] 100 nA
Chiptechnologie Si
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 120 °
SPEC 940 nm, 700 nm, 1100 nm Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.] 940 nm
spektrale Bandbreite [min.] 700 nm
spektrale Bandbreite [max.] 1100 nm
Kollektorstrom [min.] 0.1 mA
Kollektorstrom [typ.] 1.2 mA
Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.] 100 nA
Chiptechnologie Si
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 140 °
SPEC 940 nm, 700 nm, 1100 nm Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.] 940 nm
spektrale Bandbreite [min.] 700 nm
spektrale Bandbreite [max.] 1100 nm
Kollektorstrom [min.] 0.6 mA
Kollektorstrom [typ.] 4.4 mA
Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.] 100 nA
Chiptechnologie Si
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 30 °
SPEC 940 nm, 700 nm, 1100 nm Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.] 940 nm
spektrale Bandbreite [min.] 700 nm
spektrale Bandbreite [max.] 1100 nm
Kollektorstrom [min.] 0.5 mA
Kollektorstrom [typ.] 1 mA
Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.] 30 nA
Chiptechnologie Si
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 120 °
SPEC 940 nm, 700 nm, 1100 nm Simulation –
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.] 940 nm
spektrale Bandbreite [min.] 700 nm
spektrale Bandbreite [max.] 1100 nm
Kollektorstrom [min.] 0.5 mA
Kollektorstrom [typ.] 7 mA
Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.] 300 nA
Chiptechnologie Si
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 60 °
SPEC 940 nm, 700 nm, 1100 nm Simulation –
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.] 940 nm
spektrale Bandbreite [min.] 700 nm
spektrale Bandbreite [max.] 1100 nm
Kollektorstrom [min.] 1.5 mA
Kollektorstrom [typ.] 10 mA
Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.] 100 nA
Chiptechnologie Si
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 25 °
SPEC 940 nm, 400 nm, 1100 nm Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.] 940 nm
spektrale Bandbreite [min.] 400 nm
spektrale Bandbreite [max.] 1100 nm
Kollektorstrom [min.] 0.1 mA
Kollektorstrom [typ.] 1 mA
Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.] 100 nA
Chiptechnologie Si
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 130 °
SPEC 940 nm, 400 nm, 1100 nm Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.] 940 nm
spektrale Bandbreite [min.] 400 nm
spektrale Bandbreite [max.] 1100 nm
Kollektorstrom [min.] 0.1 mA
Kollektorstrom [typ.] 1 mA
Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.] 100 nA
Chiptechnologie Si
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 130 °
SPEC 940 nm, 700 nm, 1100 nm Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.] 940 nm
spektrale Bandbreite [min.] 700 nm
spektrale Bandbreite [max.] 1100 nm
Kollektorstrom [min.] 0.5 mA
Kollektorstrom [typ.] 1 mA
Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.] 100 nA
Chiptechnologie Si
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 110 °
SPEC 940 nm, 700 nm, 1100 nm Simulation –
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.] 940 nm
spektrale Bandbreite [min.] 700 nm
spektrale Bandbreite [max.] 1100 nm
Kollektorstrom [min.] 0.6 mA
Kollektorstrom [typ.] 4.4 mA
Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.] 100 nA
Chiptechnologie Si
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 30 °
