WL-STSB SMT Phototransistor Chip Black | Optoelektronik | Würth Elektronik Produktkatalog

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WL-STSB SMT Phototransistor Chip Black

Bauform	Maße	L (mm)	W (mm)	H (mm)
1002		2.4	0.6	1.4

Merkmale

Flaches Sideview Package
Weiter Abstrahlwinkel
Hohe Empfindlichkeit
Mit Tageslichtfilter
Perfekt in Kombination mit IR LEDs

Anwendung

Screens und Touchscreens
Zähler und Encoder
Pulsmessung
Automatisch-öffnende Türen
Fitness Tracking
Automatische Schalter (z.B. Wasserhahn)

Artikeldaten

1002

Artikel Nr.	Datenblatt	Simulation	Downloads	Status	λ_{Peak typ.} (nm)	λ_min. (nm)	λ_max. (nm)	Testbedingung I_CE.P	I_{CE.P min.} (mA)	I_{CE.P typ.} (mA)	Testbedingung I_CEO.Dark	I_{CEO.Dark max.} (nA)	Chiptechnologie	2θ_{50% typ.} (°)	Muster
1541021NCA170	SPEC		5 Dateien EDA-Modelle: Bauteile ZIP ALT Altium_WL-STSB (rev22b).IntLib \| 49 KB CDS Cadence_WL-STSB (rev20a).zip \| 160.4 KB EAG Eagle_WL-STSB (rev23a).lbr \| 15 KB CAD-Dateien ZIP IGS Download_IGS_1541021NCA170 (rev1).igs \| 605.6 KB STP Download_STEP_1541021NCA170 (rev1).stp \| 142.4 KB Alle 5 Dateien als ZIP herunterladen ZIP	Aktiv i\| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.	940	700	1100	V_CE = 5 V Ee = 1 mW/cm² λ = 940 nm	0.5	1	V_CE = 20 V Ee = 0 mW/cm²	100	Si	110

Artikel Nr.	Datenblatt	Simulation
1541021NCA170	SPEC

Muster

Artikel Nr.	Datenblatt	Simulation	Downloads	Status	λ_{Peak typ.} (nm)	λ_min. (nm)	λ_max. (nm)	Testbedingung I_CE.P	I_{CE.P min.} (mA)	I_{CE.P typ.} (mA)	Testbedingung I_CEO.Dark	I_{CEO.Dark max.} (nA)	Chiptechnologie	2θ_{50% typ.} (°)	Muster

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