WL-STSB SMT Phototransistor Chip Black
BauformMaßeL
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
1002
2.4 0.6 1.4

Merkmale

  • Flaches Sideview Package
  • Weiter Abstrahlwinkel
  • Hohe Empfindlichkeit
  • Mit Tageslichtfilter
  • Perfekt in Kombination mit IR LEDs

Anwendung

  • Screens und Touchscreens
  • Zähler und Encoder
  • Pulsmessung
  • Automatisch-öffnende Türen
  • Fitness Tracking
  • Automatische Schalter (z.B. Wasserhahn)

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Daten­blatt
Simu­lation
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Status
λPeak typ.(nm)
λmin.(nm)
λmax.(nm)
Testbedingung ICE.P
ICE.P min.(mA)
ICE.P typ.(mA)
Testbedingung ICEO.Dark
ICEO.Dark max.(nA)
Chiptechnologie
50% typ.(°)
Muster
1541021NCA170
940 nm, 700 nm, 1100 nm
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.]940 nm
spektrale Bandbreite [min.]700 nm
spektrale Bandbreite [max.]1100 nm
VCE = 5 V
Ee = 1 mW/cm²
λ = 940 nm
Kollektorstrom [min.]0.5 mA
Kollektorstrom [typ.]1 mA
VCE = 20 V
Ee = 0 mW/cm²
Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.]100 nA
ChiptechnologieSi 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]110 °

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