WL-STSB SMT Phototransistor Chip Black
| Bauform | Maße | L (mm) | B (mm) | H (mm) | |
|---|---|---|---|---|---|
1002 | 2.4 | 0.6 | 1.4 |
Merkmale
- Flaches Sideview Package
- Weiter Abstrahlwinkel
- Hohe Empfindlichkeit
- Mit Tageslichtfilter
- Perfekt in Kombination mit IR LEDs
Anwendung
- Screens und Touchscreens
- Zähler und Encoder
- Pulsmessung
- Automatisch-öffnende Türen
- Fitness Tracking
- Automatische Schalter (z.B. Wasserhahn)
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Alle zurücksetzenArtikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | λPeak typ.(nm) | λmin.(nm) | λmax.(nm) | Testbedingung ICE.P | ICE.P min.(mA) | ICE.P typ.(mA) | Testbedingung ICEO.Dark | ICEO.Dark max.(nA) | Chiptechnologie | 2θ50% typ.(°) | Muster |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1541021NCA170 | 940 nm, 700 nm, 1100 nm | Downloads5 Dateien | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.]940 nm | spektrale Bandbreite [min.]700 nm | spektrale Bandbreite [max.]1100 nm | VCE = 5 V Ee = 1 mW/cm² λ = 940 nm | Kollektorstrom [min.]0.5 mA | Kollektorstrom [typ.]1 mA | VCE = 20 V Ee = 0 mW/cm² | Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.]100 nA | ChiptechnologieSi | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]110 ° |
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