WL-STCB SMT Phototransistor Chip Black
| Bauform | Maße | L (mm) | B (mm) | H (mm) | Montageart | |
|---|---|---|---|---|---|---|
0603 | 1.6 | 0.8 | 0.7 | - | ||
1206 | 3.2 | 1.6 | 1.1 | SMT |
Merkmale
- 1206 Standardbauform mit rechteckiger Linse
- Perfekt geeignet in Kombination mit Infrarotemitter
- Phototransistor mit Tagessperrlichtfilter
- Hohe Empfindlichkeit
Anwendung
- Encoder
- Zähler
- Sicherheitssysteme
- Positionssensoren
- Rauchmelder
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0603
1206
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Artikel in 2 Produktserien
Alle zurücksetzenArtikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | λPeak typ.(nm) | λmin.(nm) | λmax.(nm) | ICE.P min.(mA) | ICE.P typ.(mA) | ICEO.Dark max.(nA) | Chiptechnologie | 2θ50% typ.(°) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1541201NEA400 | 940 nm, 700 nm, 1100 nm | Downloads5 Dateien | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.]940 nm | spektrale Bandbreite [min.]700 nm | spektrale Bandbreite [max.]1100 nm | Kollektorstrom [min.]0.1 mA | Kollektorstrom [typ.]1.2 mA | Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.]100 nA | ChiptechnologieSi | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 ° | ||
 | 1540601NEA200 | 940 nm, 700 nm, 1100 nm | Downloads5 Dateien | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.]940 nm | spektrale Bandbreite [min.]700 nm | spektrale Bandbreite [max.]1100 nm | Kollektorstrom [min.]0.5 mA | Kollektorstrom [typ.]1 mA | Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.]30 nA | ChiptechnologieSi | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 ° |
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