850 nm, 845.0, 85 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 85 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.5 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 35 °
Chiptechnologie AlGaAs
850 nm, 845.0, 60 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 60 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.5 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 35 °
Chiptechnologie AlGaAs
850 nm, 845.0, 2 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 2 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.4 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 130 °
Chiptechnologie AlGaAs
850 nm, 845.0, 20 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 20 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.4 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 30 °
Chiptechnologie AlGaAs
850 nm, 845.0, 2 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 2 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.4 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 130 °
Chiptechnologie AlGaAs
850 nm, 845.0, 9 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 9 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.5 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 120 °
Chiptechnologie AlGaAs
850 nm, 845.0, 5 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 5 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.4 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 90 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
850 nm, 845.0, 5 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 5 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.4 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 110 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
850 nm, 845.0, 11 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 11 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.4 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 45 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
850 nm, 845.0, 6 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 6 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.6 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 140 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
850 nm, 845.0, 1.5 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 1.5 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.6 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 140 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
850 nm, 845.0, 12 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 12 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.4 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 20 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
850 nm, 845.0, 20 mW/sr Simulation –
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 20 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.4 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 30 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
850 nm, 845.0, 1.2 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 1.2 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.4 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 140 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
850 nm, 845.0, 1.5 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 1.5 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.4 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 140 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
850 nm, 850.0, 2.5 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 850.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 2.5 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.4 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 140 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
850 nm, 845.0, 60 mW/sr Simulation –
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 60 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.5 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 30 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
850 nm, 845.0, 85 mW/sr Simulation –
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 85 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.5 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 30 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
850 nm, 845.0, 160 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 160 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.8 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 120 °
Chiptechnologie AlInGaAs
Design Kit –
850 nm, 845.0, 350 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 350 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 3.2 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 120 °
Chiptechnologie AlInGaAs
Design Kit –
850 nm, 845.0, 400 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 400 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.8 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 90 °
Chiptechnologie InAlGaAs
Design Kit –
850 nm, 845.0, 800 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 800 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 3.2 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 90 °
Chiptechnologie InAlGaAs
Design Kit –
850 nm, 855.0, 260 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 855.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 260 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 3.2 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 150 °
Chiptechnologie InAlGaAs
Design Kit –
850 nm, 855.0, 180 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 855.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 180 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.8 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 150 °
Chiptechnologie InAlGaAs
Design Kit –
850 nm, 845.0, 150 mW/sr Simulation –
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 150 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.5 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 30 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
850 nm, 845.0, 60 mW/sr Simulation –
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 60 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.5 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 60 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
850 nm, 845.0, 40 mW/sr Simulation –
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 40 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.5 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 120 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
850 nm, 845.0, 5 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 5 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.4 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 60 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
855 nm, 850.0, 350 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 855 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 850.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 350 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 2 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 90 °
Chiptechnologie AlGaAs
855 nm, 850.0, 250 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 855 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 850.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 250 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 2 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 130 °
Chiptechnologie AlGaAs
940 nm, 940.0, 75 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 75 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.3 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 35 °
Chiptechnologie AlGaAs
940 nm, 940.0, 30 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 30 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.3 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 35 °
Chiptechnologie AlGaAs
940 nm, 940.0, 1 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 1 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.2 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 150 °
Chiptechnologie AlGaAs
940 nm, 940.0, 5 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 5 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.2 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 30 °
Chiptechnologie AlGaAs
940 nm, 940.0, 0.8 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 0.8 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.2 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 150 °
Chiptechnologie AlGaAs
940 nm, 940.0, 8 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 8 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.4 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 120 °
Chiptechnologie AlGaAs
940 nm, 940.0, 5.5 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 5.5 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.2 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 90 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
940 nm, 940.0, 1.5 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 1.5 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.2 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 150 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
940 nm, 940.0, 6 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 6 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.2 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 60 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
940 nm, 940.0, 5 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 5 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.4 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 140 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
940 nm, 940.0, 1 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 1 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.4 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 140 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
940 nm, 940.0, 6 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 6 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.2 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 20 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
940 nm, 940.0, 5 mW/sr Simulation –
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 5 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.2 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 30 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
940 nm, 940.0, 1 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 1 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.2 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 140 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
940 nm, 940.0, 1 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 1 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.2 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 140 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
940 nm, 940.0, 1 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 1 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.2 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 140 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
940 nm, 940.0, 30 mW/sr Simulation –
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 30 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.3 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 30 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
940 nm, 940.0, 30 mW/sr Simulation –
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 30 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.3 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 30 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
940 nm, 940.0, 120 mW/sr Simulation –
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 120 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.4 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 30 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
940 nm, 940.0, 50 mW/sr Simulation –
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 50 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.4 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 60 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
940 nm, 940.0, 30 mW/sr Simulation –
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 30 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.4 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 120 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
940 nm, 940.0, 2 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 2 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.2 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 60 °
Chiptechnologie AlGaAs
Design Kit –
945 nm, 940.0, 300 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 945 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 300 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.9 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 90 °
Chiptechnologie AlGaAs
945 nm, 940.0, 220 mW/sr Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 945 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 220 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.9 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 130 °
Chiptechnologie AlGaAs