Design Kit Infrarot LEDs & Phototransistoren

Artikel Nr. 154150

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λPeak typ. (nm)
λCentroid max.
Ie typ. (mW/sr)
VF typ. (V)
50% typ. (°)
Chiptechnologie
Muster
WL-TIRW THT Infrared Round Waterclear, 850 nm, 845.0
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0 
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 85 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.5 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 35 °
Chiptechnologie AlGaAs 
WL-TIRW THT Infrared Round Waterclear, 850 nm, 845.0
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0 
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 60 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.5 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 35 °
Chiptechnologie AlGaAs 
WL-SISW SMT Infrared Sideview LED Waterclear, 850 nm, 845.0
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0 
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 2 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.4 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 130 °
Chiptechnologie AlGaAs 
WL-SIRW SMT Infrared Reverse Mount Waterclear Dome, 850 nm, 845.0
Simu­lation
Downloads 26 Dateien
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0 
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 20 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.4 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 30 °
Chiptechnologie AlGaAs 
WL-SICW SMT Chip LED Infrared Waterclear, 850 nm, 845.0
Simu­lation
Downloads 26 Dateien
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0 
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 2 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.4 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 130 °
Chiptechnologie AlGaAs 
WL-SITW SMT Infrared TOP LED Waterclear, 850 nm, 845.0
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 850 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 845.0 
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 9 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.5 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 120 °
Chiptechnologie AlGaAs 
WL-SIMW SMT Infrared Ceramic Waterclear, 855 nm, 850.0
Simu­lation
Downloads 26 Dateien
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 855 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 850.0 
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 350 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 2 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 90 °
Chiptechnologie AlGaAs 
WL-SIMW SMT Infrared Ceramic Waterclear, 855 nm, 850.0
Simu­lation
Downloads 26 Dateien
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 855 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 850.0 
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 250 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 2 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 130 °
Chiptechnologie AlGaAs 
WL-TIRW THT Infrared Round Waterclear, 940 nm, 940.0
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0 
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 75 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.3 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 35 °
Chiptechnologie AlGaAs 
WL-TIRW THT Infrared Round Waterclear, 940 nm, 940.0
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0 
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 30 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.3 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 35 °
Chiptechnologie AlGaAs 
WL-SISW SMT Infrared Sideview LED Waterclear, 940 nm, 940.0
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0 
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 1 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.2 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 150 °
Chiptechnologie AlGaAs 
WL-SIRW SMT Infrared Reverse Mount Waterclear Dome, 940 nm, 940.0
Simu­lation
Downloads 26 Dateien
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0 
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 5 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.2 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 30 °
Chiptechnologie AlGaAs 
WL-SICW SMT Chip LED Infrared Waterclear, 940 nm, 940.0
Simu­lation
Downloads 26 Dateien
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0 
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 0.8 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.2 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 150 °
Chiptechnologie AlGaAs 
WL-SITW SMT Infrared TOP LED Waterclear, 940 nm, 940.0
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 940 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0 
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 8 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.4 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 120 °
Chiptechnologie AlGaAs 
WL-SIMW SMT Infrared Ceramic Waterclear, 945 nm, 940.0
Simu­lation
Downloads 26 Dateien
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 945 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0 
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 300 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.9 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 90 °
Chiptechnologie AlGaAs 
WL-SIMW SMT Infrared Ceramic Waterclear, 945 nm, 940.0
Simu­lation
Downloads 26 Dateien
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Spitzen-Wellenlänge [typ.] 945 nm
Schwerpunktwellenlänge [max.] 940.0 
(Ab)Strahlungsintensität [typ.] 220 mW/sr
Durchlassspannung [typ.] 1.9 V
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.] 130 °
Chiptechnologie AlGaAs 

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