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|
WL-TIRW THT Infrared Round Waterclear, 850 nm, 845.0
|
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Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
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Spitzen-Wellenlänge [typ.]
850 nm
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Schwerpunktwellenlänge [max.]
845.0
|
(Ab)Strahlungsintensität [typ.]
85 mW/sr
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Durchlassspannung [typ.]
1.5 V
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Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]
35 °
|
Chiptechnologie
AlGaAs
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|
WL-TIRW THT Infrared Round Waterclear, 850 nm, 845.0
|
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|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Spitzen-Wellenlänge [typ.]
850 nm
|
Schwerpunktwellenlänge [max.]
845.0
|
(Ab)Strahlungsintensität [typ.]
60 mW/sr
|
Durchlassspannung [typ.]
1.5 V
|
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]
35 °
|
Chiptechnologie
AlGaAs
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|
WL-SISW SMT Infrared Sideview LED Waterclear, 850 nm, 845.0
|
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|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Spitzen-Wellenlänge [typ.]
850 nm
|
Schwerpunktwellenlänge [max.]
845.0
|
(Ab)Strahlungsintensität [typ.]
2 mW/sr
|
Durchlassspannung [typ.]
1.4 V
|
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]
130 °
|
Chiptechnologie
AlGaAs
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WL-SIRW SMT Infrared Reverse Mount Waterclear Dome, 850 nm, 845.0
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Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Spitzen-Wellenlänge [typ.]
850 nm
|
Schwerpunktwellenlänge [max.]
845.0
|
(Ab)Strahlungsintensität [typ.]
20 mW/sr
|
Durchlassspannung [typ.]
1.4 V
|
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]
30 °
|
Chiptechnologie
AlGaAs
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|
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|
WL-SICW SMT Chip LED Infrared Waterclear, 850 nm, 845.0
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Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
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|
Spitzen-Wellenlänge [typ.]
850 nm
|
Schwerpunktwellenlänge [max.]
845.0
|
(Ab)Strahlungsintensität [typ.]
2 mW/sr
|
Durchlassspannung [typ.]
1.4 V
|
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]
130 °
|
Chiptechnologie
AlGaAs
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|
WL-SITW SMT Infrared TOP LED Waterclear, 850 nm, 845.0
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|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Spitzen-Wellenlänge [typ.]
850 nm
|
Schwerpunktwellenlänge [max.]
845.0
|
(Ab)Strahlungsintensität [typ.]
9 mW/sr
|
Durchlassspannung [typ.]
1.5 V
|
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]
120 °
|
Chiptechnologie
AlGaAs
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|
|
|
WL-SIMW SMT Infrared Ceramic Waterclear, 855 nm, 850.0
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|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Spitzen-Wellenlänge [typ.]
855 nm
|
Schwerpunktwellenlänge [max.]
850.0
|
(Ab)Strahlungsintensität [typ.]
350 mW/sr
|
Durchlassspannung [typ.]
2 V
|
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]
90 °
|
Chiptechnologie
AlGaAs
|
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|
WL-SIMW SMT Infrared Ceramic Waterclear, 855 nm, 850.0
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Spitzen-Wellenlänge [typ.]
855 nm
|
Schwerpunktwellenlänge [max.]
850.0
|
(Ab)Strahlungsintensität [typ.]
250 mW/sr
|
Durchlassspannung [typ.]
2 V
|
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]
130 °
|
Chiptechnologie
AlGaAs
|
|
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|
WL-TIRW THT Infrared Round Waterclear, 940 nm, 940.0
|
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|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Spitzen-Wellenlänge [typ.]
940 nm
|
Schwerpunktwellenlänge [max.]
940.0
|
(Ab)Strahlungsintensität [typ.]
75 mW/sr
|
Durchlassspannung [typ.]
1.3 V
|
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]
35 °
|
Chiptechnologie
AlGaAs
|
|
|
|
WL-TIRW THT Infrared Round Waterclear, 940 nm, 940.0
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Spitzen-Wellenlänge [typ.]
940 nm
|
Schwerpunktwellenlänge [max.]
940.0
|
(Ab)Strahlungsintensität [typ.]
30 mW/sr
|
Durchlassspannung [typ.]
1.3 V
|
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]
35 °
|
Chiptechnologie
AlGaAs
|
|
|
|
WL-SISW SMT Infrared Sideview LED Waterclear, 940 nm, 940.0
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Spitzen-Wellenlänge [typ.]
940 nm
|
Schwerpunktwellenlänge [max.]
940.0
|
(Ab)Strahlungsintensität [typ.]
1 mW/sr
|
Durchlassspannung [typ.]
1.2 V
|
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]
150 °
|
Chiptechnologie
AlGaAs
|
|
|
|
WL-SIRW SMT Infrared Reverse Mount Waterclear Dome, 940 nm, 940.0
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Spitzen-Wellenlänge [typ.]
940 nm
|
Schwerpunktwellenlänge [max.]
940.0
|
(Ab)Strahlungsintensität [typ.]
5 mW/sr
|
Durchlassspannung [typ.]
1.2 V
|
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]
30 °
|
Chiptechnologie
AlGaAs
|
|
|
|
WL-SICW SMT Chip LED Infrared Waterclear, 940 nm, 940.0
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Spitzen-Wellenlänge [typ.]
940 nm
|
Schwerpunktwellenlänge [max.]
940.0
|
(Ab)Strahlungsintensität [typ.]
0.8 mW/sr
|
Durchlassspannung [typ.]
1.2 V
|
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]
150 °
|
Chiptechnologie
AlGaAs
|
|
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|
WL-SITW SMT Infrared TOP LED Waterclear, 940 nm, 940.0
|
|
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Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Spitzen-Wellenlänge [typ.]
940 nm
|
Schwerpunktwellenlänge [max.]
940.0
|
(Ab)Strahlungsintensität [typ.]
8 mW/sr
|
Durchlassspannung [typ.]
1.4 V
|
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]
120 °
|
Chiptechnologie
AlGaAs
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|
|
|
WL-SIMW SMT Infrared Ceramic Waterclear, 945 nm, 940.0
|
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|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Spitzen-Wellenlänge [typ.]
945 nm
|
Schwerpunktwellenlänge [max.]
940.0
|
(Ab)Strahlungsintensität [typ.]
300 mW/sr
|
Durchlassspannung [typ.]
1.9 V
|
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]
90 °
|
Chiptechnologie
AlGaAs
|
|
|
|
WL-SIMW SMT Infrared Ceramic Waterclear, 945 nm, 940.0
|
|
|
Status
Aktiv
i
| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
|
|
Spitzen-Wellenlänge [typ.]
945 nm
|
Schwerpunktwellenlänge [max.]
940.0
|
(Ab)Strahlungsintensität [typ.]
220 mW/sr
|
Durchlassspannung [typ.]
1.9 V
|
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]
130 °
|
Chiptechnologie
AlGaAs
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