| 850 nm, 400 nm, 1100 nm | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.]850 nm | spektrale Bandbreite [min.]400 nm | spektrale Bandbreite [max.]1100 nm | Kollektorstrom [min.]5 mA | Kollektorstrom [typ.]15 mA | Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.]300 nA | ChiptechnologieSi | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]30 ° | | |
| 850 nm, 400 nm, 1100 nm | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.]850 nm | spektrale Bandbreite [min.]400 nm | spektrale Bandbreite [max.]1100 nm | Kollektorstrom [min.]6 mA | Kollektorstrom [typ.]15 mA | Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.]300 nA | ChiptechnologieSi | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]30 ° | | |
| 940 nm, 700 nm, 1100 nm | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.]940 nm | spektrale Bandbreite [min.]700 nm | spektrale Bandbreite [max.]1100 nm | Kollektorstrom [min.]0.6 mA | Kollektorstrom [typ.]2.8 mA | Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.]100 nA | ChiptechnologieSi | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 ° | | |
| 940 nm, 400 nm, 1100 nm | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.]940 nm | spektrale Bandbreite [min.]400 nm | spektrale Bandbreite [max.]1100 nm | Kollektorstrom [min.]0.9 mA | Kollektorstrom [typ.]1.6 mA | Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.]100 nA | ChiptechnologieSi | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]150 ° | | |
| 940 nm, 400 nm, 1100 nm | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.]940 nm | spektrale Bandbreite [min.]400 nm | spektrale Bandbreite [max.]1100 nm | Kollektorstrom [min.]0.9 mA | Kollektorstrom [typ.]2.5 mA | Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.]100 nA | ChiptechnologieSi | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]150 ° | | |
| 940 nm, 400 nm, 1100 nm | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.]940 nm | spektrale Bandbreite [min.]400 nm | spektrale Bandbreite [max.]1100 nm | Kollektorstrom [min.]0.6 mA | Kollektorstrom [typ.]3.1 mA | Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.]100 nA | ChiptechnologieSi | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 ° | | |
| 940 nm, 700 nm, 1100 nm | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.]940 nm | spektrale Bandbreite [min.]700 nm | spektrale Bandbreite [max.]1100 nm | Kollektorstrom [min.]0.1 mA | Kollektorstrom [typ.]1.2 mA | Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.]100 nA | ChiptechnologieSi | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 ° | | |
| 940 nm, 700 nm, 1100 nm | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.]940 nm | spektrale Bandbreite [min.]700 nm | spektrale Bandbreite [max.]1100 nm | Kollektorstrom [min.]0.6 mA | Kollektorstrom [typ.]4.4 mA | Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.]100 nA | ChiptechnologieSi | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]30 ° | | |
| 940 nm, 700 nm, 1100 nm | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.]940 nm | spektrale Bandbreite [min.]700 nm | spektrale Bandbreite [max.]1100 nm | Kollektorstrom [min.]0.5 mA | Kollektorstrom [typ.]1 mA | Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.]30 nA | ChiptechnologieSi | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 ° | | |
| 940 nm, 700 nm, 1100 nm | Simulation– | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.]940 nm | spektrale Bandbreite [min.]700 nm | spektrale Bandbreite [max.]1100 nm | Kollektorstrom [min.]0.5 mA | Kollektorstrom [typ.]7 mA | Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.]300 nA | ChiptechnologieSi | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]60 ° | | |
| 940 nm, 700 nm, 1100 nm | Simulation– | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.]940 nm | spektrale Bandbreite [min.]700 nm | spektrale Bandbreite [max.]1100 nm | Kollektorstrom [min.]1.5 mA | Kollektorstrom [typ.]10 mA | Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.]100 nA | ChiptechnologieSi | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]25 ° | | |
| 940 nm, 400 nm, 1100 nm | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.]940 nm | spektrale Bandbreite [min.]400 nm | spektrale Bandbreite [max.]1100 nm | Kollektorstrom [min.]0.1 mA | Kollektorstrom [typ.]1 mA | Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.]100 nA | ChiptechnologieSi | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]130 ° | | |
| 940 nm, 400 nm, 1100 nm | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.]940 nm | spektrale Bandbreite [min.]400 nm | spektrale Bandbreite [max.]1100 nm | Kollektorstrom [min.]0.1 mA | Kollektorstrom [typ.]1 mA | Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.]100 nA | ChiptechnologieSi | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]130 ° | | |
| 940 nm, 700 nm, 1100 nm | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.]940 nm | spektrale Bandbreite [min.]700 nm | spektrale Bandbreite [max.]1100 nm | Kollektorstrom [min.]0.5 mA | Kollektorstrom [typ.]1 mA | Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.]100 nA | ChiptechnologieSi | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]110 ° | | |
| 940 nm, 700 nm, 1100 nm | Simulation– | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit [typ.]940 nm | spektrale Bandbreite [min.]700 nm | spektrale Bandbreite [max.]1100 nm | Kollektorstrom [min.]0.6 mA | Kollektorstrom [typ.]4.4 mA | Kollektor-Emitter Dunkelstrom [max.]100 nA | ChiptechnologieSi | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]30 ° | | |
