| WL-TIRW THT Infrared Round Waterclear, 850 nm, 845.0 | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Spitzen-Wellenlänge [typ.]850 nm | Schwerpunktwellenlänge [max.]845.0 | (Ab)Strahlungsintensität [typ.]85 mW/sr | Durchlassspannung [typ.]1.5 V | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]35 ° | ChiptechnologieAlGaAs | |
| WL-TIRW THT Infrared Round Waterclear, 850 nm, 845.0 | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Spitzen-Wellenlänge [typ.]850 nm | Schwerpunktwellenlänge [max.]845.0 | (Ab)Strahlungsintensität [typ.]60 mW/sr | Durchlassspannung [typ.]1.5 V | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]35 ° | ChiptechnologieAlGaAs | |
| WL-SISW SMT Infrared Sideview LED Waterclear, 850 nm, 845.0 | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Spitzen-Wellenlänge [typ.]850 nm | Schwerpunktwellenlänge [max.]845.0 | (Ab)Strahlungsintensität [typ.]2 mW/sr | Durchlassspannung [typ.]1.4 V | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]130 ° | ChiptechnologieAlGaAs | |
| WL-SIRW SMT Infrared Reverse Mount Waterclear Dome, 850 nm, 845.0 | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Spitzen-Wellenlänge [typ.]850 nm | Schwerpunktwellenlänge [max.]845.0 | (Ab)Strahlungsintensität [typ.]20 mW/sr | Durchlassspannung [typ.]1.4 V | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]30 ° | ChiptechnologieAlGaAs | |
| WL-SICW SMT Chip LED Infrared Waterclear, 850 nm, 845.0 | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Spitzen-Wellenlänge [typ.]850 nm | Schwerpunktwellenlänge [max.]845.0 | (Ab)Strahlungsintensität [typ.]2 mW/sr | Durchlassspannung [typ.]1.4 V | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]130 ° | ChiptechnologieAlGaAs | |
| WL-SITW SMT Infrared TOP LED Waterclear, 850 nm, 845.0 | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Spitzen-Wellenlänge [typ.]850 nm | Schwerpunktwellenlänge [max.]845.0 | (Ab)Strahlungsintensität [typ.]9 mW/sr | Durchlassspannung [typ.]1.5 V | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 ° | ChiptechnologieAlGaAs | |
| WL-SIMW SMT Infrared Ceramic Waterclear, 855 nm, 850.0 | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Spitzen-Wellenlänge [typ.]855 nm | Schwerpunktwellenlänge [max.]850.0 | (Ab)Strahlungsintensität [typ.]350 mW/sr | Durchlassspannung [typ.]2 V | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]90 ° | ChiptechnologieAlGaAs | |
| WL-SIMW SMT Infrared Ceramic Waterclear, 855 nm, 850.0 | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Spitzen-Wellenlänge [typ.]855 nm | Schwerpunktwellenlänge [max.]850.0 | (Ab)Strahlungsintensität [typ.]250 mW/sr | Durchlassspannung [typ.]2 V | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]130 ° | ChiptechnologieAlGaAs | |
| WL-TIRW THT Infrared Round Waterclear, 940 nm, 940.0 | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Spitzen-Wellenlänge [typ.]940 nm | Schwerpunktwellenlänge [max.]940.0 | (Ab)Strahlungsintensität [typ.]75 mW/sr | Durchlassspannung [typ.]1.3 V | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]35 ° | ChiptechnologieAlGaAs | |
| WL-TIRW THT Infrared Round Waterclear, 940 nm, 940.0 | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Spitzen-Wellenlänge [typ.]940 nm | Schwerpunktwellenlänge [max.]940.0 | (Ab)Strahlungsintensität [typ.]30 mW/sr | Durchlassspannung [typ.]1.3 V | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]35 ° | ChiptechnologieAlGaAs | |
| WL-SISW SMT Infrared Sideview LED Waterclear, 940 nm, 940.0 | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Spitzen-Wellenlänge [typ.]940 nm | Schwerpunktwellenlänge [max.]940.0 | (Ab)Strahlungsintensität [typ.]1 mW/sr | Durchlassspannung [typ.]1.2 V | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]150 ° | ChiptechnologieAlGaAs | |
| WL-SIRW SMT Infrared Reverse Mount Waterclear Dome, 940 nm, 940.0 | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Spitzen-Wellenlänge [typ.]940 nm | Schwerpunktwellenlänge [max.]940.0 | (Ab)Strahlungsintensität [typ.]5 mW/sr | Durchlassspannung [typ.]1.2 V | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]30 ° | ChiptechnologieAlGaAs | |
| WL-SICW SMT Chip LED Infrared Waterclear, 940 nm, 940.0 | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Spitzen-Wellenlänge [typ.]940 nm | Schwerpunktwellenlänge [max.]940.0 | (Ab)Strahlungsintensität [typ.]0.8 mW/sr | Durchlassspannung [typ.]1.2 V | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]150 ° | ChiptechnologieAlGaAs | |
| WL-SITW SMT Infrared TOP LED Waterclear, 940 nm, 940.0 | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Spitzen-Wellenlänge [typ.]940 nm | Schwerpunktwellenlänge [max.]940.0 | (Ab)Strahlungsintensität [typ.]8 mW/sr | Durchlassspannung [typ.]1.4 V | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]120 ° | ChiptechnologieAlGaAs | |
| WL-SIMW SMT Infrared Ceramic Waterclear, 945 nm, 940.0 | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Spitzen-Wellenlänge [typ.]945 nm | Schwerpunktwellenlänge [max.]940.0 | (Ab)Strahlungsintensität [typ.]300 mW/sr | Durchlassspannung [typ.]1.9 V | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]90 ° | ChiptechnologieAlGaAs | |
| WL-SIMW SMT Infrared Ceramic Waterclear, 945 nm, 940.0 | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | | Spitzen-Wellenlänge [typ.]945 nm | Schwerpunktwellenlänge [max.]940.0 | (Ab)Strahlungsintensität [typ.]220 mW/sr | Durchlassspannung [typ.]1.9 V | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]130 ° | ChiptechnologieAlGaAs | |