IC-Hersteller Valens Semiconductor

IC-Hersteller (103)

Valens Semiconductor VS3000 | Demoboard VS3-EVK2

Details

TopologieHDBaseT
IC-RevisionB0

Beschreibung

The Valens' VS3000 integrated circuit, the first chipset in the Valens Stellofamily, leverages the HDBaseT Spec 3.0 standard technology, enablingtransmission of uncompressed HDMI 2.0 (18Gbps - 4K@60 4:4:4) overa single, standard Catx cable. The VS3000 converges ultra-high-definitionvideo, high-fidelity digital audio interfaces (I2S-4; S/PDIF), 1000BaseTX Ethernet,control/data formats (I2C, UART/RS-232, MSIO, CIR), USB 2.0 configurable toHost or Device, and up to 100W of power (Power over HDBaseT – PoH) overa single cable, while supporting point-to-point and networking topologies.

Typische Anwendungen

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
Datenrate
PoE
Ports
Tab
Improved CMRR
Betriebstemperatur
LED
PHY-Chipmodus
Montageart
USB
Shield Tabs
C
Tol. C
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
Fl(mm)
Verpackung
L(µH)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
LS(µH)
Interface typ
Ausführung
Gender
Pins
Arbeitsspannung(V (AC))
H(mm)
Betätigungskraft(g)
Elektrische Lebensdauer(Cycles)
Actuator-Farbe
Waschbar
Dampfphasenprozess
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(Ω)
Typ
IR(mA)
Z @ 1 GHz(Ω)
Wicklungstyp
Wicklungsanzahl
L1(µH)
Z(Ω)
IR 1(mA)
RDC1 max.(Ω)
VR(V)
Version
Vin
VOut1(V)
IOut1(A)
VOut2(V)
IOut2(A)
Vaux(V)
n
LSmin.(nH)
VT(V (DC))
Bauform
Muster
WE-RJ45 LAN Through Hole Reflow, 100BASE-TX, kein-PoE
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Datenrate100BASE-TX 
PoEkein-PoE 
Ports
Tab PositionOben 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
LED (Links-Rechts)grün/gelb-grün/gelb 
PHY-Chipmoduscurrent & voltage 
MontageartTHR 
USBNein 
Shield TabsNein 
Länge22 mm
Breite16 mm
Induktivität350 µH
Höhe14 mm
Übersetzungsverhältnis1:1 
Prüfspannung2250 V (DC)
WE-RJ45 LAN Through Hole Reflow, 1000BASE-T, kein-PoE
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Datenrate1000BASE-T 
PoEkein-PoE 
Ports1x1 
Tab PositionOben 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
LED (Links-Rechts)grün/gelb-grün/gelb 
PHY-Chipmoduscurrent 
MontageartTHR 
USBNein 
Shield TabsNein 
Länge21.5 mm
Breite16 mm
Induktivität350 µH
Höhe13.6 mm
Übersetzungsverhältnis1:1 
Prüfspannung2250 V (DC)
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Pad Dimension0.3 mm
Höhe0.8 mm
Impedanz @ 100 MHz1000 Ω
Maximale Impedanz1050 Ω
Maximale Impedanz120 MHz 
Nennstrom 2830 mA
Gleichstromwiderstand0.3 Ω
TypBreitband 
Nennstrom600 mA
Impedanz @ 1 GHz186 Ω
Wicklungsanzahl
Nennstrom [1]600 mA
Gleichstromwiderstand [1]0.3 Ω
VersionSMT 
Bauform0603 
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Pad Dimension0.3 mm
Höhe0.8 mm
Impedanz @ 100 MHz470 Ω
Maximale Impedanz600 Ω
Maximale Impedanz230 MHz 
Nennstrom 21000 mA
Gleichstromwiderstand0.2 Ω
TypHochstrom 
Nennstrom800 mA
Wicklungsanzahl
Nennstrom [1]1000 mA
Gleichstromwiderstand [1]0.2 Ω
VersionSMT 
Bauform0603 
WE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Pad Dimension0.3 mm
Höhe0.8 mm
Impedanz @ 100 MHz60 Ω
Maximale Impedanz99 Ω
Maximale Impedanz458 MHz 
Nennstrom 25100 mA
Gleichstromwiderstand0.015 Ω
TypHochstrom 
Nennstrom5100 mA
Impedanz @ 1 GHz74 Ω
Wicklungsanzahl
VersionSMT 
Bauform0603 
WE-SL5 HC Stromkompensierter SMT Line Filter, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
Länge9.5 mm
Breite8.3 mm
Induktivität11 µH
Pins
Höhe5 mm
Gleichstromwiderstand0.03 Ω
Nennstrom2500 mA
WicklungstypSektional 
Wicklungsanzahl
Induktivität [1]11 µH
Impedanz1000 Ω
Nennstrom [1]2500 mA
Gleichstromwiderstand [1]0.03 Ω
Nennspannung80 V
VersionSMT 
Streuinduktivität [min.]1300 nH
Prüfspannung500 V (DC)
WE-LQS SMT-Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
Länge2.5 mm
Breite2 mm
Induktivität0.68 µH
Sättigungsstrom3.5 A
Gleichstromwiderstand35 mΩ
Eigenresonanzfrequenz176 MHz
Höhe1.2 mm
Nennstrom2500 mA
Bauform2512 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
Länge5.8 mm
Breite5.8 mm
Induktivität4.2 µH
Sättigungsstrom2.2 A
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
Pins
Höhe2.8 mm
Gleichstromwiderstand0.035 Ω
Nennstrom2500 mA
Wicklungsanzahl8.5 
VersionSMT 
Bauform5828 
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
Länge7.3 mm
Breite6.6 mm
Induktivität1.2 µH
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
Performance Nennstrom12.4 A
Sättigungsstrom 112 A
Sättigungsstrom @ 30%24 A
Höhe4.8 mm
Gleichstromwiderstand0.0075 Ω
VersionSMT 
Bauform7050 
WE-PoEH Übertrager für Power over Ethernet High Power, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
Länge14 mm
Breite17.65 mm
Induktivität48 µH
Sättigungsstrom3.6 A
Streuinduktivität0.7 µH
Höhe14.5 mm
VersionFlyback 
Input Voltage 33 - 57 V (DC)
Ausgangsspannung 15 V
Ausgangsstrom 13 A
Ausgangsspannung 25 V
Ausgangsstrom 23 A
Hilfsspannung10 V
Übersetzungsverhältnis5.33:1:1:2 
Prüfspannung1500 V (DC)
BauformEPQ13 
WR-USB Mini/Micro Connectors, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
MontageartSMT 
Isolationswiderstand1000 MΩ
VerpackungTape and Reel 
Interface typType B 
AusführungMit Pads & Pegs 
GenderBuchse 
Pins
Arbeitsspannung30 V (AC)
TypHorizontal 
Nennstrom1000 mA
Nennstrom [1]1000 mA
WS-TASV J-Bend SMT Tact Switch 3.5x2.9 mm, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Isolationswiderstand100 MΩ
VerpackungTape and Reel 
Höhe1.7 mm
Betätigungskraft350 g
Elektrische Lebensdauer200000 Cycles
Actuator farbeBlau 
WaschbarNein 
Dampfphasenprozessnicht spezifiziert 
Nennstrom50 mA
Nennspannung12 V
WE-FLYTI MID-FLYTI Flyback Transformers for Texas Instruments, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
Länge23.11 mm
Breite29.65 mm
VerpackungTape and Reel 
Induktivität10 µH
Sättigungsstrom8.75 A
Streuinduktivität0.1 µH
Höhe11.43 mm
VersionFlyback 
Input Voltage 9 - 57 V (DC)
Ausgangsspannung 156 V
Ausgangsstrom 10.35 A
Hilfsspannung12 V
Übersetzungsverhältnis1:5:1.13 
Prüfspannung1500 V (DC)
BauformEFD20 
WCAP-CSMH Mid and High Voltage, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Kapazität10 nF
Kapazität±10% 
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe0.8 mm
Nennspannung250 V
Bauform0603