| Topologie | HDBaseT |
| IC-Revision | B0 |
The Valens' VS3000 integrated circuit, the first chipset in the Valens Stellofamily, leverages the HDBaseT Spec 3.0 standard technology, enablingtransmission of uncompressed HDMI 2.0 (18Gbps - 4K@60 4:4:4) overa single, standard Catx cable. The VS3000 converges ultra-high-definitionvideo, high-fidelity digital audio interfaces (I2S-4; S/PDIF), 1000BaseTX Ethernet,control/data formats (I2C, UART/RS-232, MSIO, CIR), USB 2.0 configurable toHost or Device, and up to 100W of power (Power over HDBaseT – PoH) overa single cable, while supporting point-to-point and networking topologies.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | Datenrate | PoE | Ports | Tab | Improved CMRR | Betriebstemperatur | LED | PHY-Chipmodus | Montageart | USB | Shield Tabs | C | Tol. C | DF(%) | RISO | Keramiktyp | L(mm) | B(mm) | Fl(mm) | Verpackung | L(µH) | ISAT(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | LS(µH) | Interface typ | Ausführung | Gender | Pins | Arbeitsspannung(V (AC)) | H(mm) | Betätigungskraft(g) | Elektrische Lebensdauer(Cycles) | Actuator-Farbe | Waschbar | Dampfphasenprozess | Z @ 100 MHz(Ω) | Zmax(Ω) | Testbedingung Zmax | IR 2(mA) | RDC max.(Ω) | Typ | IR(mA) | Z @ 1 GHz(Ω) | Wicklungstyp | Wicklungsanzahl | L1(µH) | Z(Ω) | IR 1(mA) | RDC1 max.(Ω) | VR(V) | Version | Vin | VOut1(V) | IOut1(A) | VOut2(V) | IOut2(A) | Vaux(V) | n | LSmin.(nH) | VT(V (DC)) | Bauform | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-RJ45 LAN Through Hole Reflow, 100BASE-TX, kein-PoE | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-RJ45 LAN Through Hole Reflow | Datenrate100BASE-TX | PoEkein-PoE | Ports1 | Tab PositionOben | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | LED (Links-Rechts)grün/gelb-grün/gelb | PHY-Chipmoduscurrent & voltage | MontageartTHR | USBNein | Shield TabsNein | – | – | – | – | – | Länge22 mm | Breite16 mm | – | – | Induktivität350 µH | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Höhe14 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Übersetzungsverhältnis1:1 | – | Prüfspannung2250 V (DC) | – | ||||
![]() | WE-RJ45 LAN Through Hole Reflow, 1000BASE-T, kein-PoE | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-RJ45 LAN Through Hole Reflow | Datenrate1000BASE-T | PoEkein-PoE | Ports1x1 | Tab PositionOben | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | LED (Links-Rechts)grün/gelb-grün/gelb | PHY-Chipmoduscurrent | MontageartTHR | USBNein | Shield TabsNein | – | – | – | – | – | Länge21.5 mm | Breite16 mm | – | – | Induktivität350 µH | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Höhe13.6 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Übersetzungsverhältnis1:1 | – | Prüfspannung2250 V (DC) | – | ||||
![]() | WE-CBF SMT-Ferrit, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | – | – | – | – | – | – | Länge1.6 mm | Breite0.8 mm | Pad Dimension0.3 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Höhe0.8 mm | – | – | – | – | – | Impedanz @ 100 MHz1000 Ω | Maximale Impedanz1050 Ω | Maximale Impedanz120 MHz | Nennstrom 2830 mA | Gleichstromwiderstand0.3 Ω | TypBreitband | Nennstrom600 mA | Impedanz @ 1 GHz186 Ω | – | Wicklungsanzahl1 | – | – | Nennstrom [1]600 mA | Gleichstromwiderstand [1]0.3 Ω | – | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Bauform0603 | ||||
![]() | WE-CBF SMT-Ferrit, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | – | – | – | – | – | – | Länge1.6 mm | Breite0.8 mm | Pad Dimension0.3 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Höhe0.8 mm | – | – | – | – | – | Impedanz @ 100 MHz470 Ω | Maximale Impedanz600 Ω | Maximale Impedanz230 MHz | Nennstrom 21000 mA | Gleichstromwiderstand0.2 Ω | TypHochstrom | Nennstrom800 mA | – | – | Wicklungsanzahl1 | – | – | Nennstrom [1]1000 mA | Gleichstromwiderstand [1]0.2 Ω | – | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Bauform0603 | ||||
![]() | WE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | – | – | – | – | – | – | Länge1.6 mm | Breite0.8 mm | Pad Dimension0.3 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Höhe0.8 mm | – | – | – | – | – | Impedanz @ 100 MHz60 Ω | Maximale Impedanz99 Ω | Maximale Impedanz458 MHz | Nennstrom 25100 mA | Gleichstromwiderstand0.015 Ω | TypHochstrom | Nennstrom5100 mA | Impedanz @ 1 GHz74 Ω | – | Wicklungsanzahl1 | – | – | – | – | – | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Bauform0603 | ||||
![]() | WE-SL5 HC Stromkompensierter SMT Line Filter, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-SL5 HC Stromkompensierter SMT Line Filter | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | – | – | – | – | – | – | Länge9.5 mm | Breite8.3 mm | – | – | Induktivität11 µH | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Pins4 | – | Höhe5 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand0.03 Ω | – | Nennstrom2500 mA | – | WicklungstypSektional | Wicklungsanzahl2 | Induktivität [1]11 µH | Impedanz1000 Ω | Nennstrom [1]2500 mA | Gleichstromwiderstand [1]0.03 Ω | Nennspannung80 V | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | Streuinduktivität [min.]1300 nH | Prüfspannung500 V (DC) | – | ||||
![]() | WE-LQS SMT-Speicherdrossel, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | – | – | – | – | – | – | Länge2.5 mm | Breite2 mm | – | – | Induktivität0.68 µH | Sättigungsstrom3.5 A | Gleichstromwiderstand35 mΩ | Eigenresonanzfrequenz176 MHz | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Höhe1.2 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Nennstrom2500 mA | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Bauform2512 | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | – | – | – | – | – | – | Länge5.8 mm | Breite5.8 mm | – | – | Induktivität4.2 µH | Sättigungsstrom2.2 A | – | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | – | – | – | – | – | – | – | Pins2 | – | Höhe2.8 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand0.035 Ω | – | Nennstrom2500 mA | – | – | Wicklungsanzahl8.5 | – | – | – | – | – | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Bauform5828 | ||||
![]() | WE-LHMI SMT Speicherdrossel, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | – | – | – | – | – | – | Länge7.3 mm | Breite6.6 mm | – | – | Induktivität1.2 µH | – | – | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | Performance Nennstrom12.4 A | Sättigungsstrom 112 A | Sättigungsstrom @ 30%24 A | – | – | – | – | – | – | Höhe4.8 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand0.0075 Ω | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Bauform7050 | ||||
![]() | WE-PoEH Übertrager für Power over Ethernet High Power, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | – | – | – | – | – | – | Länge14 mm | Breite17.65 mm | – | – | Induktivität48 µH | Sättigungsstrom3.6 A | – | – | – | – | – | Streuinduktivität0.7 µH | – | – | – | – | – | Höhe14.5 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | VersionFlyback | Input Voltage 33 - 57 V (DC) | Ausgangsspannung 15 V | Ausgangsstrom 13 A | Ausgangsspannung 25 V | Ausgangsstrom 23 A | Hilfsspannung10 V | Übersetzungsverhältnis5.33:1:1:2 | – | Prüfspannung1500 V (DC) | BauformEPQ13 | ||||
![]() | WR-USB Mini/Micro Connectors, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWR-USB Mini/Micro Connectors | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | – | – | MontageartSMT | – | – | – | – | – | Isolationswiderstand1000 MΩ | – | – | – | – | VerpackungTape and Reel | – | – | – | – | – | – | – | – | Interface typType B | AusführungMit Pads & Pegs | GenderBuchse | Pins5 | Arbeitsspannung30 V (AC) | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | TypHorizontal | Nennstrom1000 mA | – | – | – | – | – | Nennstrom [1]1000 mA | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | |||
![]() | WS-TASV J-Bend SMT Tact Switch 3.5x2.9 mm, –, – | Simulation– | Downloads5 Dateien | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWS-TASV J-Bend SMT Tact Switch 3.5x2.9 mm | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | – | – | – | – | – | – | – | – | Isolationswiderstand100 MΩ | – | – | – | – | VerpackungTape and Reel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Höhe1.7 mm | Betätigungskraft350 g | Elektrische Lebensdauer200000 Cycles | Actuator farbeBlau | WaschbarNein | Dampfphasenprozessnicht spezifiziert | – | – | – | – | – | – | Nennstrom50 mA | – | – | – | – | – | – | – | Nennspannung12 V | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | ||
![]() | WE-FLYTI MID-FLYTI Flyback Transformers for Texas Instruments, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | MontageartSMT | – | – | – | – | – | – | – | Länge23.11 mm | Breite29.65 mm | – | VerpackungTape and Reel | Induktivität10 µH | Sättigungsstrom8.75 A | – | – | – | – | – | Streuinduktivität0.1 µH | – | – | – | – | – | Höhe11.43 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | VersionFlyback | Input Voltage 9 - 57 V (DC) | Ausgangsspannung 156 V | Ausgangsstrom 10.35 A | – | – | Hilfsspannung12 V | Übersetzungsverhältnis1:5:1.13 | – | Prüfspannung1500 V (DC) | BauformEFD20 | |||||
![]() | WCAP-CSMH Mid and High Voltage, –, – | Downloads8 Dateien | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-CSMH Mid and High Voltage | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | – | – | – | – | – | Kapazität10 nF | Kapazität±10% | Verlustfaktor2.5 % | Isolationswiderstand10 GΩ | KeramiktypX7R Klasse II | Länge1.6 mm | Breite0.8 mm | Pad Dimension0.4 mm | Verpackung7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Höhe0.8 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Nennspannung250 V | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Bauform0603 |