IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments XAM2434BSFGHIALV | Demoboard TMDS243EVM

Details

TopologieSonstige Topologie
IC-RevisionC

Beschreibung

The TMDS243 evaluation module (EVM) is a standalone test and development platform for evaluating AM243x functionality and developing prototypes for a variety of applications. TMDS243EVM is equipped with the larger form factor Sitara™ AM2434 ALV microcontroller unit (MCU) and additional components that allow the user to make use of the security features on the MCU, as well as various device interfaces, including industrial Ethernet, standard Ethernet, peripheral component interconnect express (PCIe), fast serial interface (FSI) and others to easily create prototypes. This EVM provides a larger peripheral set than the LP-AM243 LaunchPad™ as it is equipped with the larger form factor AM243 ALV package.An onboard display makes use of AM243x serial peripheral interface (SPI) ports to provide the ability for local visual outputs in addition to the LEDs. Onboard current-measurement capabilities are available to monitor power consumption for power-conscious applications.The supplied USB cable, paired with embedded emulation logic, allows for emulation and debugging using standard development tools, such as the Code Composer Studio™ integrated development environment (IDE) (CCSTUDIO).Note that TMDS243EVM is the newest version of TMS243GPEVM. TMDS243EVM includes high-security field-securable (HS-FS) silicon to customize keys and encryption for security applicationsFeaturesThree RJ45 Ethernet ports capable of 1Gb or 100Mb speedsReal-time, low-pin-count FSI interface for easy connection with C2000™ MCUs1-in display and LEDs for convenient visual outputsFour-lane PCIe connector to interface one-lane PCIe cardOnboard power-measurement capabilities

Typische Anwendungen

  • test and development platform for evaluating AM243x functionality

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
λDom typ.(nm)
Emittierte Farbe
λPeak typ.(nm)
IV typ.(mcd)
VF typ.(V)
Chiptechnologie
50% typ.(°)
RDC(mΩ)
C
Tol. C
VR(V (DC))
Bauform
Betriebstemperatur
Q(%)
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
Fl(mm)
Verpackung
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,30%(A)
RDC typ.(mΩ)
fres(MHz)
VOP(V)
Montageart
ISAT,10%(A)
Material
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(Ω)
Typ
IR(mA)
Z @ 1 GHz(Ω)
H(mm)
Muster
WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, 570 nm, Hellgrün
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
dominante Wellenlänge [typ.]570 nm
Emittierte FarbeHellgrün 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]572 nm
Lichtstärke [typ.]40 mcd
Durchlassspannung [typ.]2 V
ChiptechnologieAlInGaP 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 °
Bauform0603 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
VerpackungTape and Reel 
MontageartSMT 
Höhe0.7 mm
WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, 570 nm, Hellgrün
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
dominante Wellenlänge [typ.]570 nm
Emittierte FarbeHellgrün 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]572 nm
Lichtstärke [typ.]40 mcd
Durchlassspannung [typ.]2 V
ChiptechnologieAlInGaP 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 °
Bauform0805 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Länge2 mm
Breite1.25 mm
VerpackungTape and Reel 
MontageartSMT 
Höhe0.7 mm
WL-SMCD SMT Mono-color Chip LED Diffused, 624 nm, Rot
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
dominante Wellenlänge [typ.]624 nm
Emittierte FarbeRot 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]632 nm
Lichtstärke [typ.]90 mcd
Durchlassspannung [typ.]2 V
ChiptechnologieAlInGaP 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 °
Bauform0603 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
VerpackungTape and Reel 
MontageartSMT 
Höhe0.4 mm
WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, 625 nm, Rot
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
dominante Wellenlänge [typ.]625 nm
Emittierte FarbeRot 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]630 nm
Lichtstärke [typ.]150 mcd
Durchlassspannung [typ.]2 V
ChiptechnologieAlInGaP 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 °
Bauform0805 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Länge2 mm
Breite1.25 mm
VerpackungTape and Reel 
MontageartSMT 
Höhe0.7 mm
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
MontageartSMT 
Impedanz @ 100 MHz220 Ω
Maximale Impedanz360 Ω
Maximale Impedanz450 MHz 
Nennstrom 2900 mA
Gleichstromwiderstand0.35 Ω
TypBreitband 
Nennstrom300 mA
Impedanz @ 1 GHz200 Ω
Höhe0.5 mm
WE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Pad Dimension0.3 mm
Gleichstromwiderstand5 mΩ
MontageartSMT 
Impedanz @ 100 MHz26 Ω
Maximale Impedanz39 Ω
Maximale Impedanz515 MHz 
Nennstrom 26500 mA
Gleichstromwiderstand0.008 Ω
TypHochstrom 
Nennstrom6500 mA
Impedanz @ 1 GHz33 Ω
Höhe0.8 mm
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform3020 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge3 mm
Breite3 mm
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom1.65 A
Sättigungsstrom @ 30%3 A
Gleichstromwiderstand280 mΩ
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 11.55 A
Gleichstromwiderstand0.322 Ω
Nennstrom1200 mA
Höhe2 mm
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Gleichstromwiderstand4.75 mΩ
Bauform5040 
Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C
Länge5.5 mm
Breite5.3 mm
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom14.8 A
Sättigungsstrom @ 30%11.5 A
Eigenresonanzfrequenz158 MHz
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 15.5 A
MaterialSuperflux 
Gleichstromwiderstand0.005225 Ω
Höhe4 mm
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform7030 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge7.3 mm
Breite6.6 mm
Induktivität0.47 µH
Performance Nennstrom16.6 A
Sättigungsstrom @ 30%37.8 A
Gleichstromwiderstand4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz91 MHz
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 121.4 A
Gleichstromwiderstand0.0042 Ω
Nennstrom11500 mA
Höhe2.8 mm
WCAP-CSGP MLCCs 16 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität10 pF
Kapazität±5% 
Nennspannung16 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Güte600 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypNP0 Klasse I 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe0.5 mm
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität15 pF
Kapazität±5% 
Nennspannung25 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Güte700 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypNP0 Klasse I 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe0.5 mm
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität33 pF
Kapazität±5% 
Nennspannung50 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Güte1000 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypNP0 Klasse I 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe0.5 mm
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität10 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung25 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe0.5 mm
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität15 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung25 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe0.5 mm
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität150 pF
Kapazität±10% 
Nennspannung50 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe0.5 mm
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität4.7 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung50 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe0.5 mm
WCAP-CSGP MLCCs 10 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität1 µF
Kapazität±20% 
Nennspannung10 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
Verlustfaktor15 %
Isolationswiderstand0.05 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe0.5 mm
WCAP-CSGP MLCCs 10 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität2.2 µF
Kapazität±20% 
Nennspannung10 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.05 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe0.5 mm
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 nF
Kapazität±20% 
Nennspannung25 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand5 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe0.5 mm
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität470 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung25 V (DC)
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand1.1 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe0.8 mm
WCAP-CSGP MLCCs 10 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität22 µF
Kapazität±20% 
Nennspannung10 V (DC)
Bauform0805 
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.005 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge2 mm
Breite1.25 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe1.25 mm
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Gleichstromwiderstand17.6 mΩ
Bauform6060 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge6.65 mm
Breite6.45 mm
Induktivität6.8 µH
Performance Nennstrom8.1 A
Sättigungsstrom @ 30%11.3 A
Gleichstromwiderstand17.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz22 MHz
Betriebsspannung120 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 15.65 A
Gleichstromwiderstand0.01936 Ω
Nennstrom6500 mA
Höhe6.1 mm
WCAP-CSGP MLCCs 100 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität8.2 pF
Kapazität±0.5pF 
Nennspannung100 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Güte564 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypNP0 Klasse I 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Höhe0.5 mm
WE-CBA SMT EMI Suppression Ferrite Bead, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Gleichstromwiderstand50 mΩ
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Pad Dimension0.3 mm
MontageartSMT 
Impedanz @ 100 MHz120 Ω
Maximale Impedanz180 Ω
Maximale Impedanz400 MHz 
TypHochstrom 
Nennstrom2000 mA
Höhe0.8 mm