| Topologie | Battery Management System |
| IC-Revision | 00 |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT1(A) | ISAT2(A) | fres(MHz) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | VOP(V) | Montageart | ISAT(A) | Bauform | Version | Pins | H(mm) | Arbeitsspannung(V (AC)) | Betriebstemperatur | Poles | L(mm) | Dampfphasenprozess | Z @ 100 MHz(Ω) | Zmax(Ω) | Testbedingung Zmax | IR 2(mA) | RDC max.(mΩ) | Typ | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 2.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität1 µH | Nennstrom2.7 A | – | – | Eigenresonanzfrequenz72 MHz | Performance Nennstrom4.95 A | Sättigungsstrom @ 30%5.95 A | Gleichstromwiderstand39 mΩ | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom4.5 A | Bauform3015 | VersionSMT | Pins2 | Höhe1.5 mm | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | Länge3 mm | – | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand47 mΩ | – | ||||
![]() | WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 2.2 µH, 2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | Induktivität2.2 µH | Nennstrom2 A | Sättigungsstrom 11.2 A | Sättigungsstrom 22.4 A | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | Performance Nennstrom2 A | Sättigungsstrom @ 30%2.4 A | Gleichstromwiderstand180 mΩ | – | MontageartSMT | Sättigungsstrom1.7 A | Bauform201210 | VersionGestanzt | Pins2 | Höhe1 mm | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | Länge2 mm | – | – | – | – | Nennstrom 21300 mA | Gleichstromwiderstand190 mΩ | – | ||||
![]() | WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 10 µH, 5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom5 A | – | – | Eigenresonanzfrequenz18 MHz | Performance Nennstrom6.4 A | Sättigungsstrom @ 30%9.7 A | Gleichstromwiderstand26.5 mΩ | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | – | Bauform6060 | VersionSMT | Pins2 | Höhe6.1 mm | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | Länge6.65 mm | – | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand29.15 mΩ | – | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 68 µH, 0.87 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität68 µH | Nennstrom0.87 A | – | – | Eigenresonanzfrequenz9 MHz | Performance Nennstrom1.45 A | Sättigungsstrom @ 30%1.18 A | Gleichstromwiderstand240 mΩ | Betriebsspannung120 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom0.95 A | Bauform7345 | VersionGestanzt | Pins2 | Höhe4.5 mm | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | Länge7.3 mm | – | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand380 mΩ | – | ||||
![]() | WE-CBF SMT-Ferrit, –, 0.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit | – | Nennstrom0.2 A | – | – | – | – | – | – | – | MontageartSMT | – | Bauform0603 | VersionSMT | – | Höhe0.8 mm | – | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | – | Länge1.6 mm | – | Impedanz @ 100 MHz600 Ω | Maximale Impedanz720 Ω | Maximale Impedanz200 MHz | Nennstrom 2850 mA | Gleichstromwiderstand450 mΩ | TypBreitband | ||||
![]() | WR-PHD Buchsenleisten - Einreihig, –, 3 A | Simulation– | Downloads7 Dateien | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWR-PHD Buchsenleisten - Einreihig | – | Nennstrom3 A | – | – | – | – | – | – | – | MontageartTHT | – | – | – | Pins20 | – | Arbeitsspannung250 V (AC) | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | – | Länge51.3 mm | – | – | – | – | – | – | TypAbgewinkelt | ||
![]() | WS-DISV Small Compact SMT Flat Actuator with Top Tape 1.27 mm, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Pins2 | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | Poles2 | Länge3.71 mm | DampfphasenprozessJa | – | – | – | – | – | – |