IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments TPS2373

Details

TopologieEintaktflusswandler
IC-RevisionA

Beschreibung

The TPS2373 contains all of the features needed to implement an IEEE802.3at or IEEE802.3bt (draft) (Type 1-4) powered device (PD). The low internal switch resistance allows the TPS2373-4 and TPS2373-3 to support high power applications up to 90 W and 60 W respectively. Assuming 100-meter CAT5 cable, this translates into 71.3 W and 51 W at PD input. The TPS2373 operates with enhanced features. The Advanced Startup function for DC-DC results in a simple, flexible, and minimal system cost solution, while ensuring that IEEE802.3bt (draft) startup requirements are met. It helps to reduce the size of the low voltage bias capacitor considerably. It also allows long DC-DC converter soft-start period and enables the use of a low-voltage PWM controller. The Automatic MPS function enables applications requiring very low power standby modes. The TPS2373 automatically generates the necessary pulsed current to maintain the PSE power. An external resistor is used to enable this functionality and to program the MPS pulsed current amplitude.

Eigenschaften

  • IEEE 802.3bt (Draft) PD Solution for Type 3 or Type 4 PoE
  • Supports Power Levels for Type-4 ( TPS2373-4) 90-W and Type-3 ( TPS2373-3) 60-W Operation
  • Robust 100 V Hotswap MOSFET– TPS2373-4 (typ.): 0.1-Ω, 2.2-A Current Limit– TPS2373-3 (typ.): 0.3-Ω, 1.85-A Current Limit
  • Allocated Power Indicator Outputs
  • Advanced Startup for DC-DC– Simplifies Downstream DC-DC Design– Compliant to PSE Inrush
  • Automatic Maintain Power Signature (MPS)– Auto-adjust MPS for Type 1-2 or 3-4 PSE– Supports Ultra-Low Power Standby Modes
  • Primary Adapter Priority Input
  • Supports PoE++ PSE
  • -40°C to 125°C Junction Temperature Range
  • 20-lead VQFN Package

Typische Anwendungen

  • IEEE 802.3bt (Draft) Compliant Devices, 4PPOE, Pass-through System
  • Security Cameras, Multiband access points, Pico-base Stations, Video and VoIP Telephones, Systems using Redundant Power Feeds

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
λDom typ.(nm)
Emittierte Farbe
λPeak typ.(nm)
IV typ.(mcd)
VF typ.(V)
Chiptechnologie
50% typ.(°)
C
Tol. C
Bauform
Q(%)
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
IR(mA)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
Material
Version
Vin
VOut1(V)
IOut1(A)
Vaux(V)
n
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(Ω)
Typ
Wicklungstyp
Wicklungsanzahl
L1(µH)
IR 1(mA)
RDC1 max.(Ω)
VR(V)
Datenrate
Ports
PoE
Improved CMRR
Betriebstemperatur
VT(V (AC))
Montageart
L(µH)
LSmin.(nH)
Muster
WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, 590 nm, Gelb
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
dominante Wellenlänge [typ.]590 nm
Emittierte FarbeGelb 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]595 nm
Lichtstärke [typ.]120 mcd
Durchlassspannung [typ.]2 V
ChiptechnologieAlInGaP 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 °
Bauform0603 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.7 mm
VerpackungTape and Reel 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
MontageartSMT 
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Bauform0603 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.3 mm
Nennstrom500 mA
VersionSMT 
Impedanz @ 100 MHz60 Ω
Maximale Impedanz110 Ω
Maximale Impedanz650 MHz 
Nennstrom 22000 mA
Gleichstromwiderstand0.3 Ω
TypHochgeschwindigkeit 
Wicklungsanzahl
Nennstrom [1]500 mA
Gleichstromwiderstand [1]0.3 Ω
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Bauform0603 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.3 mm
Nennstrom1500 mA
VersionSMT 
Impedanz @ 100 MHz300 Ω
Maximale Impedanz450 Ω
Maximale Impedanz250 MHz 
Nennstrom 22000 mA
Gleichstromwiderstand0.15 Ω
TypHochstrom 
Wicklungsanzahl
Nennstrom [1]2000 mA
Gleichstromwiderstand [1]0.15 Ω
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
WE-SL5 Stromkompensierter SMT Line Filter, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge10 mm
Breite8.7 mm
Höhe6.5 mm
Nennstrom2800 mA
VersionSMT 
Impedanz @ 100 MHz800 Ω
Maximale Impedanz1200 Ω
Maximale Impedanz20 MHz 
Gleichstromwiderstand0.035 Ω
WicklungstypSektional 
Wicklungsanzahl
Induktivität [1]250 µH
Nennstrom [1]2000 mA
Gleichstromwiderstand [1]0.035 Ω
Nennspannung80 V
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Prüfspannung1000 V (AC)
MontageartSMT 
Induktivität250 µH
Streuinduktivität [min.]1500 nH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform7050 
Länge7 mm
Breite6.9 mm
Höhe4.8 mm
Gleichstromwiderstand14.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz56 MHz
Performance Nennstrom8.3 A
Sättigungsstrom 12.2 A
Sättigungsstrom @ 30%6.5 A
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Gleichstromwiderstand0.01595 Ω
Wicklungsanzahl11.5 
Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C
MontageartSMT 
Induktivität4.9 µH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform2212 
Länge22.5 mm
Breite22 mm
Höhe12 mm
Gleichstromwiderstand4.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
Performance Nennstrom20.1 A
Sättigungsstrom 15 A
Sättigungsstrom @ 30%25 A
MaterialMnZn 
VersionSMT 
Gleichstromwiderstand0.00473 Ω
Wicklungsanzahl10.5 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
Induktivität12 µH
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 pF
Kapazität±5% 
Bauform0603 
Güte1000 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypNP0 Klasse I 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung50 V
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSGP MLCCs 16 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität1 µF
Kapazität±10% 
Bauform0603 
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.1 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung16 V
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 nF
Kapazität±10% 
Bauform0603 
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand5 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung25 V
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität1 nF
Kapazität±10% 
Bauform0603 
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung50 V
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität10 nF
Kapazität±10% 
Bauform0603 
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung50 V
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WE-LQS SMT-Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform5040 
Länge5 mm
Breite5 mm
Höhe4 mm
Nennstrom200 mA
Sättigungsstrom0.24 A
Gleichstromwiderstand6000 mΩ
Eigenresonanzfrequenz1.9 MHz
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
Induktivität1000 µH
WE-LAN LAN Übertrager, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge17.55 mm
Breite16 mm
Höhe98.8 mm
Pad Dimension13.97 mm
VersionSMT 
Übersetzungsverhältnis1:1 
Typ4PPoE (to 900 mA) 
Induktivität [1]350 µH
Datenrate10/100/1000BASE-T 
Ports
PoE4PPoE (bis zu 1000 mA) 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Prüfspannung1500 V (AC)
MontageartSMT 
Induktivität350 µH
WCAP-CSGP MLCCs 100 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität10 nF
Kapazität±10% 
Bauform0603 
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung100 V
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WE-PoE++ Power over Ethernet Plus Plus Transformer, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
BauformER19/4.8/15 
Länge21.08 mm
Breite23.37 mm
Höhe10.5 mm
VersionForward 
Input Voltage 37 - 57 V (DC)
Ausgangsspannung 112 V
Ausgangsstrom 16 A
Hilfsspannung12 V
Übersetzungsverhältnis4:4:2:2:4 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Prüfspannung2250 V (AC)
MontageartSMT 
Induktivität153 µH