IC-Hersteller Microchip

IC-Hersteller (103)

Microchip MCP1632 | Demoboard dsPIC33C 4kW DC-DC Demonstration DS70005619A

dsPIC33C DSP digital signal microcontroller

Details

TopologieGegentaktwandler (Vollbrücken)
Eingangsspannung400-900 V
Ausgang 116 V / 100 A
Ausgang 216 V / 200 A
IC-Revision1

Beschreibung

This document serves as a user guide for the new 4kW Phase-Shifted Full-Bridge (PSFB) with Current DoublerRectifier (CDR), DC-DC converter demonstrator application board utilizing the dsPIC33C DSP digital signalmicrocontroller. The PSFB-CDR board is a 800V to 12V DC-DC converter intended to support power conversionapplications from HV 800 VDC battery to 12 VDC Electric Vehicle bus. The DC-DC converter uses a highlyefficient and wide input voltage range, Phase-shifted-full-bridge topology which demonstrates partial to fullZVS (Zero Volts Switching) at the primary HV SiC full bridge. The option to add an external shim inductanceis available to tune peak efficiency operating point. The secondary side uses robust current doubler topologywhich reduces the current requirements for system magnetics. Smart reverse current detection is implementedin firmware to safely operate the current doubler stage and automatically enable synchronous rectification toincrease efficiency. In light load conditions, switching losses at primary side full bridge are quite significant;therefore, Burst mode is implemented to increase system efficiency.The user guide provides an in-depth review of the hardware, converter theory of operation and an overviewof the digital control implementation. Test results and measurements for this design are covered in thecorresponding operational manual document. The converter is designed as a dual-rail solution, offeringredundancy and maximizing light load efficiency. Each rail can transfer 1700W continuous and 2700W peakpower for short durations (> 10s with 20s breaks) outputting a total power of over 4000W to the 12 VDC bus

Typische Anwendungen

  • 4kW DC-DC Converter
  • EV Chargers

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
λDom typ.(nm)
Farbe
λPeak typ.(nm)
IV typ.(mcd)
VF typ.(V)
Chiptechnologie
50% typ.(°)
C
Tol. C
VR(V (DC))
Bauform
Betriebstemperatur
Q(%)
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
Fl(mm)
Verpackung
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT(A)
fres(MHz)
Version
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
Drahttype
Montageart
Ø ID(mm)
Ø f(mm)
Gewinde
VPE
IRIPPLE(mA)
ILeak(µA)
RESR(mΩ)
Ø D(mm)
dV/dt(V/µs)
DF @ 1 kHz(%)
Pins
Vin
VOut1(V (DC))
IOut1(A)
Isolierungstyp
fswitch(kHz)
∫Udt(Vµs)
NPRI : NSEC
VT(V (RMS))
Mittelstift Ø (Value)(mm)
Plug OD(mm)
IR(mA)
Arbeitsspannung(V (DC))
H(mm)
Betätigungskraft(g)
Elektrische Lebensdauer(Cycles)
Actuator-Farbe
Ø OD(mm)
IR 1(mA)
Ti
Tl(mm)
Dampfphasenprozess
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(Ω)
Typ
Muster
WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, 525 nm, Grün
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
dominante Wellenlänge [typ.]525 nm
FarbeGrün 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]515 nm
Lichtstärke [typ.]430 mcd
Durchlassspannung [typ.]3.2 V
ChiptechnologieInGaN 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 °
Bauform0603 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
VerpackungTape and Reel 
MontageartSMT 
Verpackungseinheit4000 
Höhe0.7 mm
WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, 625 nm, Rot
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
dominante Wellenlänge [typ.]625 nm
FarbeRot 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]630 nm
Lichtstärke [typ.]250 mcd
Durchlassspannung [typ.]2 V
ChiptechnologieAlInGaP 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 °
Bauform0603 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
VerpackungTape and Reel 
MontageartSMT 
Verpackungseinheit4000 
Höhe0.7 mm
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Pad Dimension0.3 mm
VersionSMT 
MontageartSMT 
Verpackungseinheit4000 
Nennstrom800 mA
Höhe0.8 mm
Nennstrom [1]1000 mA
Impedanz @ 100 MHz600 Ω
Maximale Impedanz800 Ω
Maximale Impedanz200 MHz 
Nennstrom 21000 mA
Gleichstromwiderstand0.2 Ω
TypHochstrom 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform1210 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge12 mm
Breite12 mm
Induktivität68 µH
Performance Nennstrom3.9 A
Eigenresonanzfrequenz5.5 MHz
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 13.6 A
Sättigungsstrom @ 30%4.4 A
MontageartSMT 
Verpackungseinheit250 
Pins
Nennstrom3200 mA
Höhe10 mm
Gleichstromwiderstand0.089 Ω
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität47 pF
Kapazität±5% 
Nennspannung50 V (DC)
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Güte1000 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypNP0 Klasse I 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Verpackungseinheit4000 
Höhe0.8 mm
WR-DC Power Jacks, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWR-DC Power Jacks
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Isolationswiderstand100 MΩ
VerpackungBeutel 
MontageartTHT 
Mittelstift Ø2 mm
Recommended Plug outer Ø5.5 mm
Nennstrom5000 mA
Arbeitsspannung30 V (DC)
Nennstrom [1]5000 mA
TypAbgewinkelt 
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform1365 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge13.65 mm
Breite12.5 mm
Induktivität100 µH
Performance Nennstrom3.2 A
Eigenresonanzfrequenz2.4 MHz
Sättigungsstrom 13.45 A
Sättigungsstrom @ 30%6.8 A
MontageartSMT 
Verpackungseinheit500 
Höhe6.2 mm
Gleichstromwiderstand0.165 Ω
WP-SMBU REDCUBE SMT with internal through-hole thread, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -55 °C up to +150 °C
VerpackungLose 
MontageartSMT 
GewindeM4 
Nennstrom50000 mA
Höhe3 mm
Außendurchmesser7 mm
Nennstrom [1]50000 mA
InnengewindeM4 
Gewindelänge4 mm
WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform2815 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge27 mm
Breite28 mm
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom44 A
Sättigungsstrom44 A
Eigenresonanzfrequenz21.56 MHz
VersionSMT 
Sättigungsstrom 144 A
Sättigungsstrom @ 30%48 A
DrahttypeFlach 
MontageartSMT 
Verpackungseinheit20 
Pins
Nennstrom44000 mA
Höhe15.4 mm
Gleichstromwiderstand0.00144 Ω
WS-TASV J-Bend SMT Tact Switch 4.2x3.2 mm, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Nennspannung16 V (DC)
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Isolationswiderstand100 MΩ
VerpackungTape and Reel 
Verpackungseinheit2900 
Nennstrom50 mA
Höhe2.5 mm
Betätigungskraft260 g
Elektrische Lebensdauer50000 Cycles
Actuator farbeWeiß 
Nennstrom [1]50 mA
Dampfphasenprozessnicht spezifiziert 
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -55 °C up to +150 °C
Länge3 mm
VerpackungTape and Reel 
Innendurchmesser4.2 mm
GewindeM3 
Verpackungseinheit800 
Außendurchmesser6 mm
WCAP-HSAH Advanced High Temperature 125°C, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität470 µF
Kapazität±20% 
Nennspannung25 V (DC)
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor14 %
Länge12.4 mm
Breite10.3 mm
Verpackung15" Tape & Reel 
MontageartV-Chip SMT 
Rippelstrom2260 mA
Leckstrom117.5 µA
ESR (Serienersatzwiderstand)16 mΩ
Durchmesser10 mm
WCAP-FTDB DC-Link, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWCAP-FTDB DC-Link
Kapazität1 µF
Kapazität±5% 
Nennspannung1200 V (DC)
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Isolationswiderstand10 GΩ
Länge32 mm
Breite11 mm
VerpackungKarton 
MontageartTHT 
Lochdurchmesser1.1 mm
Rippelstrom3500 mA
ESR (Serienersatzwiderstand)39.5 mΩ
Spannungsanstiegsgeschwindigkeit90 V/µs
Verlustfaktor0.07 %
Pins
Höhe20 mm
WCAP-FTDB DC-Link, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWCAP-FTDB DC-Link
Kapazität5 µF
Kapazität±5% 
Nennspannung1200 V (DC)
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Isolationswiderstand2 GΩ
Länge32 mm
Breite22 mm
VerpackungKarton 
MontageartTHT 
Lochdurchmesser1.1 mm
Rippelstrom10400 mA
ESR (Serienersatzwiderstand)12.7 mΩ
Spannungsanstiegsgeschwindigkeit90 V/µs
Verlustfaktor0.07 %
Pins
Höhe37 mm
WE-PPTI Push-Pull Transformers, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform1209 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge9.14 mm
Breite12.7 mm
Induktivität340 µH
VersionPush-Pull 
MontageartSMT 
Input Voltage 3.3 V (DC)
Ausgangsspannung 15 V (DC)
Ausgangsstrom 10.65 A
IsolierungstypVerstärkt 
Switching Frequency 250 - 550
Spannung-µSekunde11 Vµs
Übersetzungsverhältnis1:1.56 
Prüfspannung5000 V (RMS)
Höhe7.62 mm