WE-MK Multilayer-Keramik-SMT-Induktivität
BauformMaßeL
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
Montageart
0201
0.6 0.3 0.3 SMT
0402
1 0.5 0.5 SMT
0603
1.6 0.8 0.8 SMT
0805
2 1.25 - SMT

Merkmale

  • Spule integriert in eine mehrschichtige Keramikstruktur
  • Alle Induktivitäten mit Polaritäts Marking (außer Größe 0805)
  • Hohe Eigenresonanzfrequenz
  • Induktivitätstoleranzen von ±2% (bzw. ±0.1nH) und ±5% (bzw. ±0.3nH)
  • Sehr stabile Induktivität über gesamten Temperaturbereich
  • Empfohlenes Lötprofil: Reflow
  • Betriebstemperatur: -55°C bis +125°C

Anwendung

  • Hochfrequenzschaltungen
  • Bluetooth
  • Wireless LAN
  • Filterschaltungen
  • Oszillatoren
  • Pager
  • Laptops
  • PCMCIA-Karten

Modelithics-Simulationsmodelle

Integrieren Sie diesen Teil in Ihre Konstruktion mit den hochpräzisen messbasierten Simulationsmodellen von Modelithics. Die Modelithics-Bibliotheken sind auch für das Advanced Design System (ADS) von Keysight Technologies, die NI / AWR-Designumgebung / Microwave Office ™, Gensys, ASYSS® HFSS ™, Sonnet® und Cadence von Keysight Technologies verfügbar.

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0201
0402
0603
0805
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L(nH)
Tol. L
Testbedingung L
Qmin.
Testbedingung Q
RDC max.(Ω)
IR(mA)
fres(MHz)
Design Kit
Muster
7447840010
1 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz8000 MHz
Design Kit
7447820010
1 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.11 Ω
Nennstrom470 mA
Eigenresonanzfrequenz10000 MHz
Design Kit
7447860010
1 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.05 Ω
Nennstrom1300 mA
Eigenresonanzfrequenz10000 MHz
Design Kit
7447820010G
1 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.11 Ω
Nennstrom470 mA
Eigenresonanzfrequenz10000 MHz
Design Kit
7447840010G
1 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz8000 MHz
Design Kit
7447860010G
1 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.05 Ω
Nennstrom1300 mA
Eigenresonanzfrequenz10000 MHz
Design Kit
7447840012
1.2 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz8000 MHz
Design Kit
7447820012
1.2 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.12 Ω
Nennstrom450 mA
Eigenresonanzfrequenz10000 MHz
Design Kit
7447860012
1.2 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.05 Ω
Nennstrom1300 mA
Eigenresonanzfrequenz10000 MHz
Design Kit
7447820012G
1.2 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.12 Ω
Nennstrom450 mA
Eigenresonanzfrequenz10000 MHz
Design Kit
7447840012G
1.2 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz8000 MHz
Design Kit
7447860012G
1.2 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.05 Ω
Nennstrom1300 mA
Eigenresonanzfrequenz10000 MHz
Design Kit
7447840015
1.5 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz8000 MHz
Design Kit
7447820015
1.5 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.13 Ω
Nennstrom430 mA
Eigenresonanzfrequenz10000 MHz
Design Kit
7447860015
1.5 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom1300 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447820015G
1.5 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.13 Ω
Nennstrom430 mA
Eigenresonanzfrequenz10000 MHz
Design Kit
7447840015G
1.5 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz8000 MHz
Design Kit
7447860015G
1.5 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom1300 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447880015
1.5 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte10 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz4000 MHz
Design Kit
7447840018
1.8 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447820018
1.8 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.16 Ω
Nennstrom390 mA
Eigenresonanzfrequenz10000 MHz
Design Kit
7447860018
1.8 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom1300 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447820018G
1.8 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.16 Ω
Nennstrom390 mA
Eigenresonanzfrequenz10000 MHz
Design Kit
7447840018G
1.8 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447860018G
1.8 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom1300 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447840020
2 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.12 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447820020
2 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.17 Ω
Nennstrom380 mA
Eigenresonanzfrequenz8800 MHz
Design Kit
7447820020G
2 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.17 Ω
Nennstrom380 mA
Eigenresonanzfrequenz8800 MHz
Design Kit
7447840020G
2 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.12 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447820022
2.2 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.19 Ω
Nennstrom360 mA
Eigenresonanzfrequenz8800 MHz
Design Kit
7447840022
2.2 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.15 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447860022
2.2 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom950 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447820022G
2.2 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.19 Ω
Nennstrom360 mA
Eigenresonanzfrequenz8800 MHz
Design Kit
7447840022G
2.2 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.15 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447860022G
2.2 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom950 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447820024
2.4 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.4 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.2 Ω
Nennstrom350 mA
Eigenresonanzfrequenz8300 MHz
Design Kit
7447820024G
2.4 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.4 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.2 Ω
Nennstrom350 mA
Eigenresonanzfrequenz8300 MHz
Design Kit
7447820027
2.7 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.7 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.21 Ω
Nennstrom340 mA
Eigenresonanzfrequenz7700 MHz
Design Kit
7447840027
2.7 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.7 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.17 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447860027
2.7 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.7 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte10 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom950 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447820027G
2.7 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.7 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.21 Ω
Nennstrom340 mA
Eigenresonanzfrequenz7700 MHz
Design Kit
7447840027G
2.7 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.7 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.17 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447860027G
2.7 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.7 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte10 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom950 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447880027
2.7 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.7 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz4000 MHz
Design Kit
7447820030
3 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.22 Ω
Nennstrom330 mA
Eigenresonanzfrequenz7200 MHz
Design Kit
7447840030
3 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.18 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447820030G
3 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.22 Ω
Nennstrom330 mA
Eigenresonanzfrequenz7200 MHz
Design Kit
7447840030G
3 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.18 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447820033
3.3 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.23 Ω
Nennstrom320 mA
Eigenresonanzfrequenz6700 MHz
Design Kit
7447840033
3.3 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.19 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447860033
3.3 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte10 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.12 Ω
Nennstrom850 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447820033G
3.3 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.23 Ω
Nennstrom320 mA
Eigenresonanzfrequenz6700 MHz
Design Kit
7447840033G
3.3 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.19 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447860033G
3.3 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte10 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.12 Ω
Nennstrom850 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447820036
3.6 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.6 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.25 Ω
Nennstrom310 mA
Eigenresonanzfrequenz6400 MHz
Design Kit
7447820036G
3.6 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.6 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.25 Ω
Nennstrom310 mA
Eigenresonanzfrequenz6400 MHz
Design Kit
7447820039
3.9 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.27 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447840039
3.9 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.19 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447860039
3.9 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte10 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.12 Ω
Nennstrom850 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447820039G
3.9 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.27 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447840039G
3.9 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.19 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447860039G
3.9 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte10 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.12 Ω
Nennstrom850 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447820043
4.3 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.3 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.3 Ω
Nennstrom280 mA
Eigenresonanzfrequenz5700 MHz
Design Kit
7447820043G
4.3 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.3 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.3 Ω
Nennstrom280 mA
Eigenresonanzfrequenz5700 MHz
Design Kit
7447820047
4.7 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.3 Ω
Nennstrom280 mA
Eigenresonanzfrequenz5300 MHz
Design Kit
7447840047
4.7 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.23 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447860047
4.7 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte10 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.14 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4000 MHz
Design Kit
7447820047G
4.7 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.3 Ω
Nennstrom280 mA
Eigenresonanzfrequenz5300 MHz
Design Kit
7447840047G
4.7 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.23 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
7447860047G
4.7 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte10 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.14 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4000 MHz
Design Kit
7447880047
4.7 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.2 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz3500 MHz
Design Kit
7447820051
5.1 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.1 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.33 Ω
Nennstrom270 mA
Eigenresonanzfrequenz5000 MHz
Design Kit
7447820051G
5.1 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.1 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.33 Ω
Nennstrom270 mA
Eigenresonanzfrequenz5000 MHz
Design Kit
7447820056
5.6 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.36 Ω
Nennstrom260 mA
Eigenresonanzfrequenz4600 MHz
Design Kit
7447840056
5.6 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.26 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz5300 MHz
Design Kit
7447860056
5.6 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte10 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.14 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4000 MHz
Design Kit
7447820056G
5.6 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.36 Ω
Nennstrom260 mA
Eigenresonanzfrequenz4600 MHz
Design Kit
7447840056G
5.6 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.26 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz5300 MHz
Design Kit
7447860056G
5.6 nH, ±0.1nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 nH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte10 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.14 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4000 MHz
Design Kit
7447880056
5.6 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte15 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.23 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz3200 MHz
Design Kit
7447820062
6.2 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.2 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.38 Ω
Nennstrom250 mA
Eigenresonanzfrequenz4200 MHz
Design Kit
7447820062G
6.2 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.2 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.38 Ω
Nennstrom250 mA
Eigenresonanzfrequenz4200 MHz
Design Kit
7447820068
6.8 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.39 Ω
Nennstrom250 mA
Eigenresonanzfrequenz3900 MHz
Design Kit
7447840068
6.8 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.29 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz4200 MHz
Design Kit
7447860068
6.8 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte10 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.16 Ω
Nennstrom650 mA
Eigenresonanzfrequenz4000 MHz
Design Kit
7447820068G
6.8 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.39 Ω
Nennstrom250 mA
Eigenresonanzfrequenz3900 MHz
Design Kit
7447840068G
6.8 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.29 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz4200 MHz
Design Kit
7447860068G
6.8 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte10 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.16 Ω
Nennstrom650 mA
Eigenresonanzfrequenz4000 MHz
Design Kit
7447880068
6.8 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte15 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.25 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz2800 MHz
Design Kit
7447820075
7.5 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität7.5 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.41 Ω
Nennstrom240 mA
Eigenresonanzfrequenz3600 MHz
Design Kit
7447840075
7.5 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität7.5 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.31 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz4200 MHz
Design Kit
7447820075G
7.5 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität7.5 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.41 Ω
Nennstrom240 mA
Eigenresonanzfrequenz3600 MHz
Design Kit
7447840075G
7.5 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität7.5 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.31 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz4200 MHz
Design Kit
7447820082
8.2 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.45 Ω
Nennstrom230 mA
Eigenresonanzfrequenz3400 MHz
Design Kit
7447840082
8.2 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.33 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz3600 MHz
Design Kit
7447860082
8.2 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte10 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.16 Ω
Nennstrom650 mA
Eigenresonanzfrequenz3500 MHz
Design Kit
7447820082G
8.2 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.45 Ω
Nennstrom230 mA
Eigenresonanzfrequenz3400 MHz
Design Kit
7447840082G
8.2 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.33 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz3600 MHz
Design Kit
7447860082G
8.2 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte10 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.16 Ω
Nennstrom650 mA
Eigenresonanzfrequenz3500 MHz
Design Kit
7447880082
8.2 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte15 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.28 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz2400 MHz
Design Kit
7447820091
9.1 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität9.1 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.48 Ω
Nennstrom220 mA
Eigenresonanzfrequenz3200 MHz
Design Kit
7447820091G
9.1 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität9.1 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.48 Ω
Nennstrom220 mA
Eigenresonanzfrequenz3200 MHz
Design Kit
7447820110
10 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.51 Ω
Nennstrom220 mA
Eigenresonanzfrequenz2900 MHz
Design Kit
7447840110
10 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.35 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz3200 MHz
Design Kit
7447860110
10 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.24 Ω
Nennstrom550 mA
Eigenresonanzfrequenz3400 MHz
Design Kit
7447820110G
10 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.51 Ω
Nennstrom220 mA
Eigenresonanzfrequenz2900 MHz
Design Kit
7447840110G
10 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.35 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz3200 MHz
Design Kit
7447860110G
10 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.24 Ω
Nennstrom550 mA
Eigenresonanzfrequenz3400 MHz
Design Kit
7447880110
10 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte15 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.3 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz2100 MHz
Design Kit
7447820112
12 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.68 Ω
Nennstrom190 mA
Eigenresonanzfrequenz2700 MHz
Design Kit
7447840112
12 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.41 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz2800 MHz
Design Kit
7447860112
12 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.24 Ω
Nennstrom550 mA
Eigenresonanzfrequenz2600 MHz
Design Kit
7447820112G
12 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.68 Ω
Nennstrom190 mA
Eigenresonanzfrequenz2700 MHz
Design Kit
7447840112G
12 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.41 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz2800 MHz
Design Kit
7447860112G
12 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.24 Ω
Nennstrom550 mA
Eigenresonanzfrequenz2600 MHz
Design Kit
7447820115
15 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.71 Ω
Nennstrom180 mA
Eigenresonanzfrequenz2300 MHz
Design Kit
7447840115
15 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.46 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz2300 MHz
Design Kit
7447860115
15 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.24 Ω
Nennstrom550 mA
Eigenresonanzfrequenz2300 MHz
Design Kit
7447820115G
15 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.71 Ω
Nennstrom180 mA
Eigenresonanzfrequenz2300 MHz
Design Kit
7447840115G
15 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.46 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz2300 MHz
Design Kit
7447860115G
15 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.24 Ω
Nennstrom550 mA
Eigenresonanzfrequenz2300 MHz
Design Kit
7447860118
18 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.24 Ω
Nennstrom550 mA
Eigenresonanzfrequenz2000 MHz
Design Kit
7447820118
18 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.81 Ω
Nennstrom170 mA
Eigenresonanzfrequenz2100 MHz
Design Kit
7447840118
18 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.51 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz2100 MHz
Design Kit
7447820118G
18 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.81 Ω
Nennstrom170 mA
Eigenresonanzfrequenz2100 MHz
Design Kit
7447840118G
18 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.51 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz2100 MHz
Design Kit
7447860118G
18 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.24 Ω
Nennstrom550 mA
Eigenresonanzfrequenz2000 MHz
Design Kit
7447820122
22 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1 Ω
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz1800 MHz
Design Kit
7447840122
22 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.58 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz1800 MHz
Design Kit
7447860122
22 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.34 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz1600 MHz
Design Kit
7447820122G
22 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1 Ω
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz1800 MHz
Design Kit
7447840122G
22 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.58 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz1800 MHz
Design Kit
7447860122G
22 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.34 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz1600 MHz
Design Kit
7447820127
27 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.35 Ω
Nennstrom120 mA
Eigenresonanzfrequenz1800 MHz
Design Kit
7447840127
27 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.67 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz1600 MHz
Design Kit
7447860127
27 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.34 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz1400 MHz
Design Kit
7447820127G
27 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.35 Ω
Nennstrom120 mA
Eigenresonanzfrequenz1800 MHz
Design Kit
7447840127G
27 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.67 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz1600 MHz
Design Kit
7447860127G
27 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.34 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz1400 MHz
Design Kit
7447880127
27 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte18 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.55 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz1300 MHz
Design Kit
7447820133
33 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.5 Ω
Nennstrom110 mA
Eigenresonanzfrequenz1700 MHz
Design Kit
7447840133
33 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.67 Ω
Nennstrom200 mA
Eigenresonanzfrequenz1500 MHz
Design Kit
7447860133
33 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.45 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz1200 MHz
Design Kit
7447820133G
33 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.5 Ω
Nennstrom110 mA
Eigenresonanzfrequenz1700 MHz
Design Kit
7447840133G
33 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.67 Ω
Nennstrom200 mA
Eigenresonanzfrequenz1500 MHz
Design Kit
7447860133G
33 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.45 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz1200 MHz
Design Kit
7447880133
33 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte18 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.6 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz1200 MHz
Design Kit
7447840139
39 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität39 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.06 Ω
Nennstrom200 mA
Eigenresonanzfrequenz1200 MHz
Design Kit
7447860139
39 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität39 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.45 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz1100 MHz
Design Kit
7447840139G
39 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität39 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.06 Ω
Nennstrom200 mA
Eigenresonanzfrequenz1200 MHz
Design Kit
7447860139G
39 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität39 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.45 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz1100 MHz
Design Kit
7447840147
47 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.15 Ω
Nennstrom200 mA
Eigenresonanzfrequenz1000 MHz
Design Kit
7447860147
47 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.65 Ω
Nennstrom350 mA
Eigenresonanzfrequenz900 MHz
Design Kit
7447840147G
47 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.15 Ω
Nennstrom200 mA
Eigenresonanzfrequenz1000 MHz
Design Kit
7447860147G
47 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.65 Ω
Nennstrom350 mA
Eigenresonanzfrequenz900 MHz
Design Kit
7447840156
56 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität56 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.2 Ω
Nennstrom200 mA
Eigenresonanzfrequenz800 MHz
Design Kit
7447860156
56 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität56 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.65 Ω
Nennstrom350 mA
Eigenresonanzfrequenz900 MHz
Design Kit
7447840156G
56 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität56 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.2 Ω
Nennstrom200 mA
Eigenresonanzfrequenz800 MHz
Design Kit
7447860156G
56 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität56 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.65 Ω
Nennstrom350 mA
Eigenresonanzfrequenz900 MHz
Design Kit
7447880156
56 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität56 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte18 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.75 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz800 MHz
Design Kit
7447840168
68 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.25 Ω
Nennstrom180 mA
Eigenresonanzfrequenz800 MHz
Design Kit
7447860168
68 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.65 Ω
Nennstrom350 mA
Eigenresonanzfrequenz700 MHz
Design Kit
7447840168G
68 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.25 Ω
Nennstrom180 mA
Eigenresonanzfrequenz800 MHz
Design Kit
7447860168G
68 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.65 Ω
Nennstrom350 mA
Eigenresonanzfrequenz700 MHz
Design Kit
7447840182
82 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität82 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.6 Ω
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz600 MHz
Design Kit
7447860182
82 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität82 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.85 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz600 MHz
Design Kit
7447840182G
82 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität82 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.6 Ω
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz600 MHz
Design Kit
7447860182G
82 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität82 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.85 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz600 MHz
Design Kit
7447840210
100 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.6 Ω
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz600 MHz
Design Kit
7447860210
100 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.85 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz600 MHz
Design Kit
7447840210G
100 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.6 Ω
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz600 MHz
Design Kit
7447860210G
100 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte12 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.85 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz600 MHz
Design Kit
7447880210
100 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte18 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.9 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz600 MHz
Design Kit
7447840212
120 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität120 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.6 Ω
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz600 MHz
Design Kit
7447860212
120 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität120 nH
Induktivität±5% 
Induktivität50 MHz 
Güte
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand0.85 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz500 MHz
Design Kit
7447840212G
120 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität120 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.6 Ω
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz600 MHz
Design Kit
7447860212G
120 nH, ±2%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität120 nH
Induktivität±2% 
Induktivität50 MHz 
Güte
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand0.85 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz500 MHz
Design Kit
7447880212
120 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität120 nH
Induktivität±5% 
Induktivität50 MHz 
Güte13 
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand0.95 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz500 MHz
Design Kit
7447840215
150 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität150 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand2.99 Ω
Nennstrom140 mA
Eigenresonanzfrequenz500 MHz
Design Kit
7447860215
150 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität150 nH
Induktivität±5% 
Induktivität50 MHz 
Güte
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand1.2 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz500 MHz
Design Kit
7447840215G
150 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität150 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand2.99 Ω
Nennstrom140 mA
Eigenresonanzfrequenz500 MHz
Design Kit
7447860215G
150 nH, ±2%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität150 nH
Induktivität±2% 
Induktivität50 MHz 
Güte
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand1.2 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz500 MHz
Design Kit
7447840218
180 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität180 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand3.38 Ω
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz500 MHz
Design Kit
7447860218
180 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität180 nH
Induktivität±5% 
Induktivität50 MHz 
Güte
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand1.2 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz400 MHz
Design Kit
7447840218G
180 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität180 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand3.38 Ω
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz500 MHz
Design Kit
7447860218G
180 nH, ±2%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität180 nH
Induktivität±2% 
Induktivität50 MHz 
Güte
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand1.2 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz400 MHz
Design Kit
7447840222
220 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand3.77 Ω
Nennstrom120 mA
Eigenresonanzfrequenz500 MHz
Design Kit
7447860222
220 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 nH
Induktivität±5% 
Induktivität50 MHz 
Güte
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand1.2 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz400 MHz
Design Kit
7447840222G
220 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand3.77 Ω
Nennstrom120 mA
Eigenresonanzfrequenz500 MHz
Design Kit
7447860222G
220 nH, ±2%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 nH
Induktivität±2% 
Induktivität50 MHz 
Güte
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand1.2 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz400 MHz
Design Kit
7447880222
220 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 nH
Induktivität±5% 
Induktivität50 MHz 
Güte12 
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand1.2 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz350 MHz
Design Kit
7447840227
270 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität270 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand4.9 Ω
Nennstrom110 mA
Eigenresonanzfrequenz500 MHz
Design Kit
7447860227
270 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität270 nH
Induktivität±5% 
Induktivität50 MHz 
Güte
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand1.9 Ω
Nennstrom250 mA
Eigenresonanzfrequenz400 MHz
Design Kit
7447840227G
270 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität270 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand4.9 Ω
Nennstrom110 mA
Eigenresonanzfrequenz500 MHz
Design Kit
7447860227G
270 nH, ±2%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität270 nH
Induktivität±2% 
Induktivität50 MHz 
Güte
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand1.9 Ω
Nennstrom250 mA
Eigenresonanzfrequenz400 MHz
Design Kit
7447860233
330 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität330 nH
Induktivität±5% 
Induktivität50 MHz 
Güte
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand1.9 Ω
Nennstrom250 mA
Eigenresonanzfrequenz350 MHz
Design Kit
7447860233G
330 nH, ±2%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität330 nH
Induktivität±2% 
Induktivität50 MHz 
Güte
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand1.9 Ω
Nennstrom250 mA
Eigenresonanzfrequenz350 MHz
Design Kit
7447860239
390 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität390 nH
Induktivität±5% 
Induktivität50 MHz 
Güte
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand2.3 Ω
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz350 MHz
Design Kit
7447860239G
390 nH, ±2%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität390 nH
Induktivität±2% 
Induktivität50 MHz 
Güte
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand2.3 Ω
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz350 MHz
Design Kit
7447860243
430 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität430 nH
Induktivität±5% 
Induktivität50 MHz 
Güte
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand2.5 Ω
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz300 MHz
Design Kit
7447860243G
430 nH, ±2%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität430 nH
Induktivität±2% 
Induktivität50 MHz 
Güte
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand2.5 Ω
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz300 MHz
Design Kit
7447860247
470 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität470 nH
Induktivität±5% 
Induktivität50 MHz 
Güte
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand2.5 Ω
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz300 MHz
Design Kit
7447860247G
470 nH, ±2%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität470 nH
Induktivität±2% 
Induktivität50 MHz 
Güte
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand2.5 Ω
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz300 MHz
Design Kit
7447880247
470 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität470 nH
Induktivität±5% 
Induktivität50 MHz 
Güte10 
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand2 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz200 MHz
Design Kit

Würth Elektronik bietet mehrere Produktserien mit unterschiedlicher Aufbautechnologie an

HF Induktivitäten Auswahlhilfe

WE-KI Keramik-SMT-Induktivität
WE-KI SMT Keramik-SMT-Induktivität
  • Induktivitätswerte von 1 nH bis zu 1800 nH
  • Hohe Güte Q
  • Bis zu 12,5 GHz Eigenresonanzfrequenz
  • Bis zu ± 2% Induktivitätstoleranz
  • Hohe thermische Stabilität
  • Design Kits für die verschiedenen Größen erhältlich
WE-KI HC Hochstrom Keramik-SMT-Induktivität
WE-KI HC Hochstrom-Keramik-SMT-Induktivität
  • Induktivitätswerte von 1 nH bis zu 390 nH
  • Ausgezeichneter Q-Faktor
  • Hochstrom bis zu 2,3 A
  • ± 2% Induktivitätstoleranz
  • Hohe thermische Stabilität
  • Design Kit verfügbar
WE-MK Multilayer-Keramik-SMT-Induktivität
WE-MK Multilayer-Keramik-SMT-Induktivität
  • Induktivitätswerte von 1 nH bis zu 470 nH
  • Extrem kleine Bauform (bis zu 0201)
  • Bis zu ±2% (oder ±0,1 nH) Induktivitätstoleranz
  • Robuste Struktur
  • Polaritätskennzeichnung verfügbar 
  • Design Kits für die verschiedenen Größen erhältlich
  • Hohe thermische Stabilität
WE-CAIR Luftspulen
WE-CAIR Luftspulen
  • Induktivitätswerte von 1.65 nH bis zu 538 nH
  • Extrem hohe Güte Q
  • Hochstrom bis zu 4 A
  • Hohe Eingenresonanzfrequenz 
  • Polaritätskennzeichnung verfügbar 
  • Design Kits für die verschiedenen Größen erhältlich
  • Hohe thermische Stabilität
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität
  • Induktivitätswerte von 1 nH bis zu 27 nH
  • Hohe Eigenresonanzfrequenz
  • Enge Toleranz von 2% (1% auf Anfrage) oder ± 0,1
  • Sehr geringe Größe (bis zu 0201)
WE-RFI Ferrit-SMT-Induktivität
WE-RFI Ferrit-SMT-Induktivität
  • Hohe Induktivitätswerte von 20 nH bis zu 47 µH verfügbar
  • Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
  • Größen: 0402 bis 1008
  • Design Kit verfügbar

Was ist der Gütefaktor Q?

Was ist der Gütefaktor Q?

Der Gütefaktor Q ist ein entscheidender Parameter und eines der ersten Kriterien, die jeder HF-Ingenieur berücksichtigen sollte. Der Q-Faktor wird entweder als Mindestwert oder als typischer Wert bei einem bestimmten Frequenzpunkt angegeben. Bei Würth Elektronik wird der Q-Faktor als Mindestwert angegeben, um den Kunden ein zuverlässiges Mindestniveau zu garantieren.

Grundsätzlich ist der Q-Faktor das Verhältnis zwischen dem induktiven Blindwiderstand XL und den Verlusten RS und ist ein Indikator dafür, wie ideal eine Induktivität ist. Bei Induktivitäten mit Luft- oder Keramikkernen ist der Widerstand RS hauptsächlich auf den spezifischen Widerstand des Leiters in der Induktionsvorrichtung zurückzuführen. Ein höherer Q-Faktor bedeutet weniger Verluste in der Komponente.

RF Inductors Factor Frequency

Eigenresonanzfrequenz

Eigenresonanzfrequenz

Da die Wicklungsstruktur jeder Drahtspule eine gewisse Kapazität aufweist, stellt die Induktivität einen Parallelschwingkreis dar, der eine entsprechende Eigenresonanzfrequenz (SRF, self resonance frequency) aufweist. Wie bei herkömmlichen Induktivitäten gibt die SRF an, bis zu welcher Frequenz sich das Bauelement wie eine Induktivität verhält.

Genau bei der SRF verhält sich die Induktivität mit ihrer parasitären Kapazität wie ein Resonanzkreis mit einer nahezu unendlich hohen Impedanz, nur Schaltungsverluste begrenzen den hohen Wert der Impedanz. Jenseits der SRF verhält sich das Bauelement wie ein Kondensator.

Bei EMV-Filterapplikationen, in denen Induktivitäten verwendet werden, erfolgt die beste Signaldämpfung kurz unterhalb der SRF, wo die Impedanz sehr hoch ist und somit die Dämpfung ihr Maximum erreicht.

Bei Signal-Filter- oder Impedanzanpassungs-Anwendungen ist es wichtiger, eine konstante Induktivität im relevanten Frequenzbereich zu haben, was bedeutet, dass die SRF der Induktivität weit oberhalb der Betriebsfrequenz der Schaltung liegen sollte.

RF Inductors Eigenfrequenzresonanz

Nennstrom bei Hochfrequenzanwendungen

Nennstrom bei Hochfrequenzanwendungen

Der Nennstrom wird als maximaler Gleichstrom (A oder mA) angegeben, der einen bestimmten Temperaturanstieg verursacht (z.B. ΔT = 40 K). Der Temperaturanstieg plus die Umgebungstemperatur darf die maximale Betriebstemperatur nicht überschreiten. Für Hochstromanwendungen wählen Sie bitte die spezifischen Luftspulen: WE-KI HC, WE-ACHC und WE-CAIR.

RF Inductors Nennstrom bei Hochfrequenzanwendungen

HF-Induktivitäten und Antennenanpassung

Wie die Antennenanpassung funktioniert

HF-Induktivitäten und Antennenanpassung

Wie die Antennenanpassung funktioniert

Mit Hilfe des Smith-Diagramms kann die komplexe Impedanz des Antennenspeisepunkts, bestehend aus Widerstands- und Blindwerten, grafisch dargestellt werden. Bei einer angepassten Antenne liegt die Impedanz bei der Betriebsfrequenz nahe der Mitte des Smith-Diagramms und damit nahe der Impedanz von 50 Ω. Dies kann durch den Einsatz von HF-Induktivitäten und HF-Kondensatoren erreicht werden. Ein pi-Anpassungsnetzwerk ist für diesen Zweck besonders nützlich, da es flexibel für die Antennenanpassung von fast jeder anderen Impedanz verwendet werden kann. In der Praxis funktioniert die Antennenanpassung in mehreren Schritten.

Zusätzlich zu den WE-MCA Antennen bieten wir unseren Kunden einen entwicklungsbegleitenden Antennenservice an. Wir unterstützen von der Antennenauswahl über die Antennenplatzierung bis hin zur Antennenanpassung.

Webseite: www.we-online.com/antennamatching

E-Mail: antenna.matching@we-online.com

Wir bieten auch ein Antennenanpassungs-Design-Kit an, das alle Komponenten enthält, die für Ihre Antennenanpassung benötigt werden. Dieses Design-Kit mit der Bestellnummer 748001 enthält Chip-Antennen WE-MCA, keramische Multilayer-Induktivitäten WE-MK in der Größe 0402, Hochfrequenz-Chipkondensatoren WCAP-CSRF in der Größe 0402 und HF-Koaxialkabel WR-CXARY für Frequenzen bis zu 18 GHz.

RF Inductors HF-Induktivitäten und Antennenanpassung