Bauform Maße L
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
Montageart
1322
2.21 1.42 1.37 SMT
1340
4.04 1.42 1.37 SMT
3136
3.68 3.05 3.18 SMT
3168
6.68 3.05 3.18 SMT
4248
4.83 3.81 4.2 SMT
5910
10.55 6.35 5.9 SMT

Merkmale

  • Induktivitätswerte von 1.65 nH bis 538 nH
  • Sehr hohe Güte > 100
  • Hohe Eigenresonanzfrequenz
  • Hohe Ströme bis 4.0 A
  • Induktivitätstoleranzen 2%, 5% und 10%
  • Pick- and Place-Prozess möglich
  • Gute Lötbarkeit (verzinnte Anschlusspins)
  • Betriebstemperatur: -40°C bis +125°C

Anwendung

  • Speziell für HF-Anwendung
  • Ideal für Applikationen mit hohen Strömen
  • Breitband-Filter
  • Entkopplung in HF-Schaltungen

Modelithics-Simulationsmodelle

Integrieren Sie diesen Teil in Ihre Konstruktion mit den hochpräzisen messbasierten Simulationsmodellen von Modelithics. Fordern Sie einen 90-Tage-GRATIS-Trail an! Die Modelithics-Bibliotheken sind auch für das Advanced Design System (ADS) von Keysight Technologies, die NI / AWR-Designumgebung / Microwave Office ™, Gensys, ASYSS® HFSS ™, Sonnet® und Cadence von Keysight Technologies verfügbar.

Fordern Sie einen KOSTENLOSEN 90-Tage-Trial an!

Artikeldaten

Alle
1322
1340
3136
3168
4248
5910
Artikeldaten filtern
Filtern nach
 Artikel  in  6 Produktserien  anzeigen
 Artikel  in  6 Produktserien
Alle zurücksetzen
Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
L (nH)
Tol. L
Testbedingung L
Qmin.
Testbedingung Q
RDC max. (mΩ)
IR (A)
fres (GHz)
Design Kit
Muster
744910016
1.65 nH, ±10%, 800 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.65 nH
Induktivität ±10% 
Induktivität 800 MHz 
Güte 100 
Güte 800 MHz 
Gleichstromwiderstand 4 mΩ
Nennstrom 1.6 A
Eigenresonanzfrequenz 10 GHz
Design Kit
744913025
2.5 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.5 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 140 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 1.1 mΩ
Nennstrom 4 A
Eigenresonanzfrequenz 12.5 GHz
Design Kit
744910025
2.55 nH, ±5%, 800 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.55 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 800 MHz 
Güte 100 
Güte 800 MHz 
Gleichstromwiderstand 5 mΩ
Nennstrom 1.6 A
Eigenresonanzfrequenz 8.2 GHz
Design Kit
744910038
3.85 nH, ±5%, 800 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.85 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 800 MHz 
Güte 100 
Güte 800 MHz 
Gleichstromwiderstand 6 mΩ
Nennstrom 1.6 A
Eigenresonanzfrequenz 7.5 GHz
Design Kit
744913050
5 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 140 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 1.8 mΩ
Nennstrom 4 A
Eigenresonanzfrequenz 6.5 GHz
Design Kit
744913050G
5 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 140 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 1.8 mΩ
Nennstrom 4 A
Eigenresonanzfrequenz 6.5 GHz
Design Kit
744910054
5.45 nH, ±5%, 800 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.45 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 800 MHz 
Güte 100 
Güte 800 MHz 
Gleichstromwiderstand 8 mΩ
Nennstrom 1.6 A
Eigenresonanzfrequenz 7 GHz
Design Kit
744911056
5.6 nH, ±5%, 800 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.6 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 800 MHz 
Güte 100 
Güte 800 MHz 
Gleichstromwiderstand 9 mΩ
Nennstrom 1.6 A
Eigenresonanzfrequenz 6.5 GHz
Design Kit
744911071
7.15 nH, ±5%, 800 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 7.15 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 800 MHz 
Güte 100 
Güte 800 MHz 
Gleichstromwiderstand 10 mΩ
Nennstrom 1.6 A
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
Design Kit
744913080
8 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 140 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 2.6 mΩ
Nennstrom 4 A
Eigenresonanzfrequenz 5 GHz
Design Kit
744913080G
8 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 140 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 2.6 mΩ
Nennstrom 4 A
Eigenresonanzfrequenz 5 GHz
Design Kit
744911088
8.8 nH, ±5%, 800 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.8 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 800 MHz 
Güte 100 
Güte 800 MHz 
Gleichstromwiderstand 12 mΩ
Nennstrom 1.6 A
Eigenresonanzfrequenz 6 GHz
Design Kit
744911098
9.85 nH, ±5%, 800 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 9.85 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 800 MHz 
Güte 100 
Güte 800 MHz 
Gleichstromwiderstand 13 mΩ
Nennstrom 1.6 A
Eigenresonanzfrequenz 5.2 GHz
Design Kit
744913112
12.5 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12.5 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 137 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 3.4 mΩ
Nennstrom 4 A
Eigenresonanzfrequenz 3.3 GHz
Design Kit
744913112G
12.5 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12.5 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 137 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 3.4 mΩ
Nennstrom 4 A
Eigenresonanzfrequenz 3.3 GHz
Design Kit
744911112
12.55 nH, ±5%, 800 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12.55 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 800 MHz 
Güte 100 
Güte 800 MHz 
Gleichstromwiderstand 14 mΩ
Nennstrom 1.6 A
Eigenresonanzfrequenz 4.6 GHz
Design Kit
744914117
17.5 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 17.5 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 100 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 4.5 mΩ
Nennstrom 4 A
Eigenresonanzfrequenz 2.2 GHz
Design Kit
744914117G
17.5 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 17.5 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 100 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 4.5 mΩ
Nennstrom 4 A
Eigenresonanzfrequenz 2.2 GHz
Design Kit
744913118
18.5 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18.5 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 132 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 3.9 mΩ
Nennstrom 4 A
Eigenresonanzfrequenz 2.5 GHz
Design Kit
744913118G
18.5 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18.5 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 132 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 3.9 mΩ
Nennstrom 4 A
Eigenresonanzfrequenz 2.5 GHz
Design Kit
744912122
22 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 100 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 4.2 mΩ
Nennstrom 3 A
Eigenresonanzfrequenz 3.2 GHz
Design Kit
744914122
22 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 102 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 5.2 mΩ
Nennstrom 4 A
Eigenresonanzfrequenz 2.1 GHz
Design Kit
744912122G
22 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 100 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 4.2 mΩ
Nennstrom 3 A
Eigenresonanzfrequenz 3.2 GHz
Design Kit
744914122G
22 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 102 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 5.2 mΩ
Nennstrom 4 A
Eigenresonanzfrequenz 2.1 GHz
Design Kit
744912127
27 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 27 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 100 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 4 mΩ
Nennstrom 3.5 A
Eigenresonanzfrequenz 2.7 GHz
Design Kit
744912127G
27 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 27 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 100 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 4 mΩ
Nennstrom 3.5 A
Eigenresonanzfrequenz 2.7 GHz
Design Kit
744914128
28 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 28 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 105 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 6 mΩ
Nennstrom 4 A
Eigenresonanzfrequenz 1.8 GHz
Design Kit
744914128G
28 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 28 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 105 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 6 mΩ
Nennstrom 4 A
Eigenresonanzfrequenz 1.8 GHz
Design Kit
744912133
33 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 100 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 4.8 mΩ
Nennstrom 3 A
Eigenresonanzfrequenz 2.5 GHz
Design Kit
744912133G
33 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 100 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 4.8 mΩ
Nennstrom 3 A
Eigenresonanzfrequenz 2.5 GHz
Design Kit
744914135
35.5 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 35.5 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 112 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 6.8 mΩ
Nennstrom 4 A
Eigenresonanzfrequenz 1.5 GHz
Design Kit
744914135G
35.5 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 35.5 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 112 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 6.8 mΩ
Nennstrom 4 A
Eigenresonanzfrequenz 1.5 GHz
Design Kit
744912139
39 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 39 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 100 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 4.4 mΩ
Nennstrom 3 A
Eigenresonanzfrequenz 2.1 GHz
Design Kit
744912139G
39 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 39 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 100 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 4.4 mΩ
Nennstrom 3 A
Eigenresonanzfrequenz 2.1 GHz
Design Kit
744914143
43 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 43 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 106 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 7.9 mΩ
Nennstrom 4 A
Eigenresonanzfrequenz 1.2 GHz
Design Kit
744914143G
43 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 43 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 106 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 7.9 mΩ
Nennstrom 4 A
Eigenresonanzfrequenz 1.2 GHz
Design Kit
744912147
47 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 100 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 5.6 mΩ
Nennstrom 3 A
Eigenresonanzfrequenz 2.1 GHz
Design Kit
744912147G
47 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 100 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 5.6 mΩ
Nennstrom 3 A
Eigenresonanzfrequenz 2.1 GHz
Design Kit
744912156
56 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 56 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 100 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 6.2 mΩ
Nennstrom 3 A
Eigenresonanzfrequenz 1.5 GHz
Design Kit
744912156G
56 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 56 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 100 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 6.2 mΩ
Nennstrom 3 A
Eigenresonanzfrequenz 1.5 GHz
Design Kit
744912168
68 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 68 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 100 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 8.2 mΩ
Nennstrom 2.5 A
Eigenresonanzfrequenz 1.5 GHz
Design Kit
744912168G
68 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 68 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 100 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 8.2 mΩ
Nennstrom 2.5 A
Eigenresonanzfrequenz 1.5 GHz
Design Kit
744912182
82 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 82 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 100 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 9.4 mΩ
Nennstrom 2.5 A
Eigenresonanzfrequenz 1.3 GHz
Design Kit
744912182G
82 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 82 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 100 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 9.4 mΩ
Nennstrom 2.5 A
Eigenresonanzfrequenz 1.3 GHz
Design Kit
744918190
90 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 90 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 50 MHz 
Güte 100 
Güte 50 MHz 
Gleichstromwiderstand 15 mΩ
Nennstrom 3.5 A
Eigenresonanzfrequenz 1.14 GHz
Design Kit
744912210
100 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 100 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 12.3 mΩ
Nennstrom 1.7 A
Eigenresonanzfrequenz 1.2 GHz
Design Kit
744912210G
100 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 100 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 12.3 mΩ
Nennstrom 1.7 A
Eigenresonanzfrequenz 1.2 GHz
Design Kit
744918211
111 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 111 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 50 MHz 
Güte 100 
Güte 50 MHz 
Gleichstromwiderstand 15 mΩ
Nennstrom 3.5 A
Eigenresonanzfrequenz 1.02 GHz
Design Kit
744912212
120 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 120 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 100 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 17.3 mΩ
Nennstrom 1.5 A
Eigenresonanzfrequenz 1.1 GHz
Design Kit
744912212G
120 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 120 nH
Induktivität ±2% 
Induktivität 150 MHz 
Güte 100 
Güte 150 MHz 
Gleichstromwiderstand 17.3 mΩ
Nennstrom 1.5 A
Eigenresonanzfrequenz 1.1 GHz
Design Kit
744918213
130 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 130 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 50 MHz 
Güte 100 
Güte 50 MHz 
Gleichstromwiderstand 20 mΩ
Nennstrom 3 A
Eigenresonanzfrequenz 0.9 GHz
Design Kit
744918217
169 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 169 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 50 MHz 
Güte 100 
Güte 50 MHz 
Gleichstromwiderstand 25 mΩ
Nennstrom 3 A
Eigenresonanzfrequenz 0.875 GHz
Design Kit
744918220
206 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 206 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 50 MHz 
Güte 100 
Güte 50 MHz 
Gleichstromwiderstand 30 mΩ
Nennstrom 3 A
Eigenresonanzfrequenz 0.8 GHz
Design Kit
744918222
222 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 222 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 50 MHz 
Güte 100 
Güte 50 MHz 
Gleichstromwiderstand 35 mΩ
Nennstrom 3 A
Eigenresonanzfrequenz 0.73 GHz
Design Kit
744918224
246 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 246 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 50 MHz 
Güte 100 
Güte 50 MHz 
Gleichstromwiderstand 35 mΩ
Nennstrom 3 A
Eigenresonanzfrequenz 0.685 GHz
Design Kit
744918230
307 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 307 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 50 MHz 
Güte 100 
Güte 50 MHz 
Gleichstromwiderstand 35 mΩ
Nennstrom 3 A
Eigenresonanzfrequenz 0.66 GHz
Design Kit
744918238
380 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 380 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 50 MHz 
Güte 100 
Güte 50 MHz 
Gleichstromwiderstand 50 mΩ
Nennstrom 2.5 A
Eigenresonanzfrequenz 0.59 GHz
Design Kit
744918242
422 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 422 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 50 MHz 
Güte 100 
Güte 50 MHz 
Gleichstromwiderstand 60 mΩ
Nennstrom 2.5 A
Eigenresonanzfrequenz 0.54 GHz
Design Kit
744918249
491 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 491 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 50 MHz 
Güte 100 
Güte 50 MHz 
Gleichstromwiderstand 65 mΩ
Nennstrom 2 A
Eigenresonanzfrequenz 0.535 GHz
Design Kit
744918254
538 nH, ±5%, 50 MHz
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 538 nH
Induktivität ±5% 
Induktivität 50 MHz 
Güte 100 
Güte 50 MHz 
Gleichstromwiderstand 90 mΩ
Nennstrom 2 A
Eigenresonanzfrequenz 0.49 GHz
Design Kit

Würth Elektronik bietet mehrere Produktserien mit unterschiedlicher Aufbautechnologie an

HF Induktivitäten Auswahlhilfe

WE-KI Keramik-SMT-Induktivität
WE-KI SMT Keramik-SMT-Induktivität
  • Induktivitätswerte von 1 nH bis zu 1800 nH
  • Hohe Güte Q
  • Bis zu 12,5 GHz Eigenresonanzfrequenz
  • Bis zu ± 2% Induktivitätstoleranz
  • Hohe thermische Stabilität
  • Design Kits für die verschiedenen Größen erhältlich
WE-KI HC Hochstrom Keramik-SMT-Induktivität
WE-KI HC Hochstrom-Keramik-SMT-Induktivität
  • Induktivitätswerte von 1 nH bis zu 390 nH
  • Ausgezeichneter Q-Faktor
  • Hochstrom bis zu 2,3 A
  • ± 2% Induktivitätstoleranz
  • Hohe thermische Stabilität
  • Design Kit verfügbar
WE-MK Multilayer-Keramik-SMT-Induktivität
WE-MK Multilayer-Keramik-SMT-Induktivität
  • Induktivitätswerte von 1 nH bis zu 470 nH
  • Extrem kleine Bauform (bis zu 0201)
  • Bis zu ±2% (oder ±0,1 nH) Induktivitätstoleranz
  • Robuste Struktur
  • Polaritätskennzeichnung verfügbar 
  • Design Kits für die verschiedenen Größen erhältlich
  • Hohe thermische Stabilität
WE-CAIR Luftspulen
WE-CAIR Luftspulen
  • Induktivitätswerte von 1.65 nH bis zu 538 nH
  • Extrem hohe Güte Q
  • Hochstrom bis zu 4 A
  • Hohe Eingenresonanzfrequenz 
  • Polaritätskennzeichnung verfügbar 
  • Design Kits für die verschiedenen Größen erhältlich
  • Hohe thermische Stabilität
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität
  • Induktivitätswerte von 1 nH bis zu 27 nH
  • Hohe Eigenresonanzfrequenz
  • Enge Toleranz von 2% (1% auf Anfrage) oder ± 0,1
  • Sehr geringe Größe (bis zu 0201)
WE-RFI Ferrit-SMT-Induktivität
WE-RFI Ferrit-SMT-Induktivität
  • Hohe Induktivitätswerte von 20 nH bis zu 47 µH verfügbar
  • Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
  • Größen: 0402 bis 1008
  • Design Kit verfügbar

Was ist der Gütefaktor Q?

Was ist der Gütefaktor Q?

Der Gütefaktor Q ist ein entscheidender Parameter und eines der ersten Kriterien, die jeder HF-Ingenieur berücksichtigen sollte. Der Q-Faktor wird entweder als Mindestwert oder als typischer Wert bei einem bestimmten Frequenzpunkt angegeben. Bei Würth Elektronik wird der Q-Faktor als Mindestwert angegeben, um den Kunden ein zuverlässiges Mindestniveau zu garantieren.

Grundsätzlich ist der Q-Faktor das Verhältnis zwischen dem induktiven Blindwiderstand XL und den Verlusten RS und ist ein Indikator dafür, wie ideal eine Induktivität ist. Bei Induktivitäten mit Luft- oder Keramikkernen ist der Widerstand RS hauptsächlich auf den spezifischen Widerstand des Leiters in der Induktionsvorrichtung zurückzuführen. Ein höherer Q-Faktor bedeutet weniger Verluste in der Komponente.

Eigenresonanzfrequenz

Eigenresonanzfrequenz

Da die Wicklungsstruktur jeder Drahtspule eine gewisse Kapazität aufweist, stellt die Induktivität einen Parallelschwingkreis dar, der eine entsprechende Eigenresonanzfrequenz (SRF, self resonance frequency) aufweist. Wie bei herkömmlichen Induktivitäten gibt die SRF an, bis zu welcher Frequenz sich das Bauelement wie eine Induktivität verhält.

Genau bei der SRF verhält sich die Induktivität mit ihrer parasitären Kapazität wie ein Resonanzkreis mit einer nahezu unendlich hohen Impedanz, nur Schaltungsverluste begrenzen den hohen Wert der Impedanz. Jenseits der SRF verhält sich das Bauelement wie ein Kondensator.

Bei EMV-Filterapplikationen, in denen Induktivitäten verwendet werden, erfolgt die beste Signaldämpfung kurz unterhalb der SRF, wo die Impedanz sehr hoch ist und somit die Dämpfung ihr Maximum erreicht.

Bei Signal-Filter- oder Impedanzanpassungs-Anwendungen ist es wichtiger, eine konstante Induktivität im relevanten Frequenzbereich zu haben, was bedeutet, dass die SRF der Induktivität weit oberhalb der Betriebsfrequenz der Schaltung liegen sollte.

RF Inductors Eigenfrequenzresonanz

Nennstrom bei Hochfrequenzanwendungen

Nennstrom bei Hochfrequenzanwendungen

Der Nennstrom wird als maximaler Gleichstrom (A oder mA) angegeben, der einen bestimmten Temperaturanstieg verursacht (z.B. ΔT = 40 K). Der Temperaturanstieg plus die Umgebungstemperatur darf die maximale Betriebstemperatur nicht überschreiten. Für Hochstromanwendungen wählen Sie bitte die spezifischen Luftspulen: WE-KI HC, WE-ACHC und WE-CAIR.

RF Inductors Nennstrom bei Hochfrequenzanwendungen

HF-Induktivitäten und Antennenanpassung

Wie die Antennenanpassung funktioniert

HF-Induktivitäten und Antennenanpassung

Wie die Antennenanpassung funktioniert

Mit Hilfe des Smith-Diagramms kann die komplexe Impedanz des Antennenspeisepunkts, bestehend aus Widerstands- und Blindwerten, grafisch dargestellt werden. Bei einer angepassten Antenne liegt die Impedanz bei der Betriebsfrequenz nahe der Mitte des Smith-Diagramms und damit nahe der Impedanz von 50 Ω. Dies kann durch den Einsatz von HF-Induktivitäten und HF-Kondensatoren erreicht werden. Ein pi-Anpassungsnetzwerk ist für diesen Zweck besonders nützlich, da es flexibel für die Antennenanpassung von fast jeder anderen Impedanz verwendet werden kann. In der Praxis funktioniert die Antennenanpassung in mehreren Schritten.

Zusätzlich zu den WE-MCA Antennen bieten wir unseren Kunden einen entwicklungsbegleitenden Antennenservice an. Wir unterstützen von der Antennenauswahl über die Antennenplatzierung bis hin zur Antennenanpassung.

Webseite: www.we-online.com/antennamatching

E-Mail: antenna.matching@we-online.com

Wir bieten auch ein Antennenanpassungs-Design-Kit an, das alle Komponenten enthält, die für Ihre Antennenanpassung benötigt werden. Dieses Design-Kit mit der Bestellnummer 748001 enthält Chip-Antennen WE-MCA, keramische Multilayer-Induktivitäten WE-MK in der Größe 0402, Hochfrequenz-Chipkondensatoren WCAP-CSRF in der Größe 0402 und HF-Koaxialkabel WR-CXARY für Frequenzen bis zu 18 GHz.

Sortimente

Artikel dieser Produktserie finden Sie in den folgenden Sortimenten: