WE-KI Keramik-SMT-Induktivität
BauformMaße3DL
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
Montageart
0402
1 0.55 0.5 SMT
0603
1.6 1.05 1.05 SMT
0805
2 1.25 1.2 SMT
1008
2.5 2 1.6 SMT

Merkmale

  • Höchstmögliche Eigenresonanzfrequenz bis zu max. 12,5 GHz
  • Hohe Güte
  • Induktivitätstoleranz: 2% und 5%
  • Hohe thermische Stabilität
  • Empfohlenes Lötverfahren: Reflow
  • Betriebstemperatur: –40 ºC bis +125 ºC
  • Kundenspezifische Ausführungen auf Anfrage

Anwendung

  • Speziell entwickelt für Hochfrequenzanwendungen
  • Ideal für Applikationen der Telekommunikation
  • SAT-Receiver
  • Set-Top Boxen
  • Breitbandige Signalübertragung
  • Bluetooth
  • Wireless LAN

Modelithics-Simulationsmodelle

Integrieren Sie diesen Teil in Ihre Konstruktion mit den hochpräzisen messbasierten Simulationsmodellen von Modelithics. Die Modelithics-Bibliotheken sind auch für das Advanced Design System (ADS) von Keysight Technologies, die NI / AWR-Designumgebung / Microwave Office ™, Gensys, ASYSS® HFSS ™, Sonnet® und Cadence von Keysight Technologies verfügbar.

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0402
0603
0805
1008
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Simu­lation
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L(nH)
Tol. L
Testbedingung L
Qmin.
Testbedingung Q
RDC max.(Ω)
IR(mA)
fres(MHz)
Design Kit
Muster
744765010A
1 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte13 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.045 Ω
Nennstrom1360 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
744761016A
1.6 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.6 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte24 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.03 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz12500 MHz
Design Kit
744761018A
1.8 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte16 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.05 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz12500 MHz
Design Kit
744765019A
1.9 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.9 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte16 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.07 Ω
Nennstrom1040 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
744765020A
2 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte16 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.07 Ω
Nennstrom1040 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
744761020A
2 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte16 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.08 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz6900 MHz
Design Kit
744765022A
2.2 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte18 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.07 Ω
Nennstrom960 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
744760022A
2.2 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte50 
Güte1000 MHz 
Gleichstromwiderstand0.06 Ω
Nennstrom800 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
744765024A
2.4 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.4 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte16 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.068 Ω
Nennstrom790 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
744765027A
2.7 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.7 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte16 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.12 Ω
Nennstrom640 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
744760027A
2.7 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.7 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte35 
Güte1000 MHz 
Gleichstromwiderstand0.08 Ω
Nennstrom800 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
744765033A
3.3 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte20 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.066 Ω
Nennstrom840 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
744761033A
3.3 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte22 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.06 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz5800 MHz
Design Kit
744760033A
3.3 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte1000 MHz 
Gleichstromwiderstand0.08 Ω
Nennstrom800 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
744762033A
3.3 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte50 
Güte1000 MHz 
Gleichstromwiderstand0.06 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
744765036A
3.6 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.6 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte20 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.066 Ω
Nennstrom840 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
744761036A
3.6 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.6 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte22 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.06 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz5900 MHz
Design Kit
744765039A
3.9 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte20 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.066 Ω
Nennstrom840 mA
Eigenresonanzfrequenz5800 MHz
Design Kit
744760039A
3.9 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte1000 MHz 
Gleichstromwiderstand0.06 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
744761039A
3.9 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte22 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.08 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
744762039A
3.9 nH, ±0.3nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 nH
Induktivität±0.3nH 
Induktivität100 MHz 
Güte38 
Güte1000 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz5500 MHz
Design Kit
744765043A
4.3 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.3 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte18 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.091 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz6000 MHz
Design Kit
744761043A
4.3 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.3 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte22 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.08 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz5900 MHz
Design Kit
744765047A
4.7 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte15 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.13 Ω
Nennstrom640 mA
Eigenresonanzfrequenz4775 MHz
Design Kit
744760047A
4.7 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte1000 MHz 
Gleichstromwiderstand0.06 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz5800 MHz
Design Kit
744761047A
4.7 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte20 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.13 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz5800 MHz
Design Kit
744765051A
5.1 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.1 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte23 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.083 Ω
Nennstrom800 mA
Eigenresonanzfrequenz5800 MHz
Design Kit
744761051A
5.1 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.1 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte20 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.14 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz5700 MHz
Design Kit
744761051GA
5.1 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.1 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte20 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.14 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz5700 MHz
Design Kit
744765051GA
5.1 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.1 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte23 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.083 Ω
Nennstrom800 mA
Eigenresonanzfrequenz5800 MHz
Design Kit
744760051A
5.1 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.1 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte1000 MHz 
Gleichstromwiderstand0.08 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz5800 MHz
Design Kit
744765056A
5.6 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte23 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.083 Ω
Nennstrom760 mA
Eigenresonanzfrequenz5800 MHz
Design Kit
744761056A
5.6 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte16 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.15 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz5500 MHz
Design Kit
744761056GA
5.6 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte16 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.15 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz5500 MHz
Design Kit
744765056GA
5.6 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte23 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.083 Ω
Nennstrom760 mA
Eigenresonanzfrequenz5800 MHz
Design Kit
744760056A
5.6 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte1000 MHz 
Gleichstromwiderstand0.08 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz5800 MHz
Design Kit
744760056GA
5.6 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte1000 MHz 
Gleichstromwiderstand0.08 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz5800 MHz
Design Kit
744765062A
6.2 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.2 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte23 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.083 Ω
Nennstrom760 mA
Eigenresonanzfrequenz5800 MHz
Design Kit
744765062GA
6.2 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.2 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte23 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.083 Ω
Nennstrom750 mA
Eigenresonanzfrequenz5800 MHz
Design Kit
744765068A
6.8 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte20 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.083 Ω
Nennstrom680 mA
Eigenresonanzfrequenz4800 MHz
Design Kit
744761068A
6.8 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte30 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.11 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz5800 MHz
Design Kit
744762068A
6.8 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte50 
Güte1000 MHz 
Gleichstromwiderstand0.06 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz5500 MHz
Design Kit
744765068GA
6.8 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte20 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.083 Ω
Nennstrom680 mA
Eigenresonanzfrequenz4800 MHz
Design Kit
744761068GA
6.8 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte30 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.11 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz5800 MHz
Design Kit
744760068A
6.8 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte1000 MHz 
Gleichstromwiderstand0.06 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz5600 MHz
Design Kit
744760068GA
6.8 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte1000 MHz 
Gleichstromwiderstand0.06 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz5600 MHz
Design Kit
744762068GA
6.8 nH, ±0.2nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität100 MHz 
Güte50 
Güte1000 MHz 
Gleichstromwiderstand0.06 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz5500 MHz
Design Kit
744765075A
7.5 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität7.5 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte25 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.104 Ω
Nennstrom680 mA
Eigenresonanzfrequenz5800 MHz
Design Kit
744761075A
7.5 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität7.5 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte28 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.11 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4800 MHz
Design Kit
744765075GA
7.5 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität7.5 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte25 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.104 Ω
Nennstrom680 mA
Eigenresonanzfrequenz5800 MHz
Design Kit
744761075GA
7.5 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität7.5 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte28 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.106 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4800 MHz
Design Kit
744765082A
8.2 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte25 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.104 Ω
Nennstrom680 mA
Eigenresonanzfrequenz4400 MHz
Design Kit
744760082A
8.2 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte1000 MHz 
Gleichstromwiderstand0.06 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz5500 MHz
Design Kit
744762082A
8.2 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte50 
Güte1000 MHz 
Gleichstromwiderstand0.06 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz5500 MHz
Design Kit
744765082GA
8.2 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte25 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.104 Ω
Nennstrom680 mA
Eigenresonanzfrequenz4400 MHz
Design Kit
744761082A
8.2 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte30 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4600 MHz
Design Kit
744761082GA
8.2 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte30 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4600 MHz
Design Kit
744760082GA
8.2 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte1000 MHz 
Gleichstromwiderstand0.06 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz5500 MHz
Design Kit
744762082GA
8.2 nH, ±0.2nH, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität100 MHz 
Güte50 
Güte1000 MHz 
Gleichstromwiderstand0.06 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz5500 MHz
Design Kit
744765087A
8.7 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.7 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte18 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.2 Ω
Nennstrom480 mA
Eigenresonanzfrequenz4100 MHz
Design Kit
744761087GA
8.7 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.7 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte28 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.109 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4600 MHz
Design Kit
744761087A
8.7 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.7 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte28 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.109 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4600 MHz
Design Kit
744765090A
9 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität9 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte25 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.104 Ω
Nennstrom680 mA
Eigenresonanzfrequenz4160 MHz
Design Kit
744765090GA
9 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität9 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte25 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.104 Ω
Nennstrom680 mA
Eigenresonanzfrequenz4160 MHz
Design Kit
744761091A
9.1 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität9.1 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte28 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.135 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4000 MHz
Design Kit
744761091GA
9.1 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität9.1 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte28 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.135 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4000 MHz
Design Kit
744765095A
9.5 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität9.5 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte18 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.2 Ω
Nennstrom680 mA
Eigenresonanzfrequenz4000 MHz
Design Kit
744761095A
9.5 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität9.5 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte28 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.135 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4500 MHz
Design Kit
744761095GA
9.5 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität9.5 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte28 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.135 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4500 MHz
Design Kit
744765095GA
9.5 nH, ±0.2nH, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität9.5 nH
Induktivität±0.2nH 
Induktivität250 MHz 
Güte18 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.2 Ω
Nennstrom680 mA
Eigenresonanzfrequenz4000 MHz
Design Kit
744765110A
10 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte23 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.195 Ω
Nennstrom480 mA
Eigenresonanzfrequenz3900 MHz
Design Kit
744761110A
10 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte30 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.13 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4800 MHz
Design Kit
744760110A
10 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.08 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz4800 MHz
Design Kit
744762110A
10 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte50 
Güte1000 MHz 
Gleichstromwiderstand0.08 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz4300 MHz
Design Kit
744765110GA
10 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte23 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.195 Ω
Nennstrom480 mA
Eigenresonanzfrequenz3900 MHz
Design Kit
744761110GA
10 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte30 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.13 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4800 MHz
Design Kit
744760110GA
10 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.08 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz4800 MHz
Design Kit
744762110GA
10 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte50 
Güte1000 MHz 
Gleichstromwiderstand0.08 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz4300 MHz
Design Kit
744765111A
11 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität11 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte26 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.12 Ω
Nennstrom640 mA
Eigenresonanzfrequenz3680 MHz
Design Kit
744765111GA
11 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität11 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte26 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.12 Ω
Nennstrom640 mA
Eigenresonanzfrequenz3680 MHz
Design Kit
744761111A
11 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität11 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte33 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.09 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4000 MHz
Design Kit
744761111GA
11 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität11 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte33 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.09 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4000 MHz
Design Kit
744765112A
12 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte26 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.12 Ω
Nennstrom640 mA
Eigenresonanzfrequenz3600 MHz
Design Kit
744761112A
12 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte35 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.13 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4000 MHz
Design Kit
744762112A
12 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.08 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz3600 MHz
Design Kit
744765112GA
12 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte26 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.12 Ω
Nennstrom640 mA
Eigenresonanzfrequenz3600 MHz
Design Kit
744761112GA
12 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte35 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.13 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4000 MHz
Design Kit
744760112A
12 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.08 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz4100 MHz
Design Kit
744760112GA
12 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.08 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz4100 MHz
Design Kit
744762112GA
12 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.08 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz3600 MHz
Design Kit
744765113A
13 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität13 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte24 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.21 Ω
Nennstrom560 mA
Eigenresonanzfrequenz3450 MHz
Design Kit
744765113GA
13 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität13 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte24 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.21 Ω
Nennstrom560 mA
Eigenresonanzfrequenz3450 MHz
Design Kit
744761113A
13 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität13 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte38 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.106 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4000 MHz
Design Kit
744761113GA
13 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität13 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte38 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.106 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4000 MHz
Design Kit
744765115A
15 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte26 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.172 Ω
Nennstrom560 mA
Eigenresonanzfrequenz3280 MHz
Design Kit
744761115A
15 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte35 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.17 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4000 MHz
Design Kit
744762115A
15 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.08 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz2700 MHz
Design Kit
744765115GA
15 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte26 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.172 Ω
Nennstrom560 mA
Eigenresonanzfrequenz3280 MHz
Design Kit
744761115GA
15 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte35 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.17 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz4000 MHz
Design Kit
744760115A
15 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.08 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz3600 MHz
Design Kit
744760115GA
15 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.08 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz3600 MHz
Design Kit
744762115GA
15 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.08 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz2700 MHz
Design Kit
744765116A
16 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität16 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte24 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.22 Ω
Nennstrom560 mA
Eigenresonanzfrequenz3100 MHz
Design Kit
744761116A
16 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität16 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte34 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.17 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz3300 MHz
Design Kit
744765116GA
16 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität16 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte24 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.22 Ω
Nennstrom460 mA
Eigenresonanzfrequenz3100 MHz
Design Kit
744761116GA
16 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität16 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte34 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.17 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz3300 MHz
Design Kit
744765118A
18 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte25 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.23 Ω
Nennstrom420 mA
Eigenresonanzfrequenz3100 MHz
Design Kit
744762118A
18 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte60 
Güte350 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz2700 MHz
Design Kit
744765118GA
18 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte25 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.23 Ω
Nennstrom420 mA
Eigenresonanzfrequenz3100 MHz
Design Kit
744761118A
18 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte38 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.17 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz3100 MHz
Design Kit
744761118GA
18 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte38 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.17 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz3100 MHz
Design Kit
744760118A
18 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.08 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz3400 MHz
Design Kit
744760118GA
18 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.08 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz3400 MHz
Design Kit
744762118GA
18 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte60 
Güte350 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz2700 MHz
Design Kit
744765119A
19 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität19 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte26 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.202 Ω
Nennstrom480 mA
Eigenresonanzfrequenz3040 MHz
Design Kit
744765119GA
19 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität19 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte26 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.202 Ω
Nennstrom480 mA
Eigenresonanzfrequenz3040 MHz
Design Kit
744765120A
20 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität20 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte25 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.25 Ω
Nennstrom420 mA
Eigenresonanzfrequenz3000 MHz
Design Kit
744761120A
20 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität20 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte38 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.22 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz3000 MHz
Design Kit
744761120GA
20 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität20 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte38 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.22 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz3000 MHz
Design Kit
744765120GA
20 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität20 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte25 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.25 Ω
Nennstrom420 mA
Eigenresonanzfrequenz3000 MHz
Design Kit
744765122A
22 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte25 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.3 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz2800 MHz
Design Kit
744761122A
22 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte38 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.22 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz3000 MHz
Design Kit
744760122A
22 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz3300 MHz
Design Kit
744762122A
22 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte60 
Güte350 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz2500 MHz
Design Kit
744765122GA
22 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte25 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.3 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz2800 MHz
Design Kit
744761122GA
22 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte38 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.22 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz3000 MHz
Design Kit
744760122GA
22 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz3300 MHz
Design Kit
744762122GA
22 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte60 
Güte350 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz2500 MHz
Design Kit
744765123A
23 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität23 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte26 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.214 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz2720 MHz
Design Kit
744765123GA
23 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität23 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte26 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.214 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz2720 MHz
Design Kit
744765124A
24 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität24 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte25 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.3 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz2700 MHz
Design Kit
744761124GA
24 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität24 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte37 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.14 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz2650 MHz
Design Kit
744765124GA
24 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität24 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte25 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.3 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz2700 MHz
Design Kit
744761124A
24 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität24 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte37 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.14 Ω
Nennstrom700 mA
Eigenresonanzfrequenz2650 MHz
Design Kit
744765127A
27 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte26 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.298 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz2480 MHz
Design Kit
744761127A
27 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte40 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.22 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz2800 MHz
Design Kit
744760127A
27 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.12 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz2600 MHz
Design Kit
744762127A
27 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte60 
Güte350 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz1800 MHz
Design Kit
744765127GA
27 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte26 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.298 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz2480 MHz
Design Kit
744761127GA
27 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte40 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.22 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz2800 MHz
Design Kit
744760127GA
27 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.12 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz2600 MHz
Design Kit
744762127GA
27 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte60 
Güte350 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz1800 MHz
Design Kit
744765130A
30 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität30 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte25 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.3 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz2350 MHz
Design Kit
744761130A
30 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität30 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte40 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.22 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz2500 MHz
Design Kit
744761130GA
30 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität30 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte40 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.22 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz2500 MHz
Design Kit
744765130GA
30 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität30 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte25 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.3 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz2350 MHz
Design Kit
744765133A
33 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte24 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.35 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz2350 MHz
Design Kit
744760133A
33 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.15 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz2400 MHz
Design Kit
744762133A
33 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte60 
Güte350 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz1700 MHz
Design Kit
744765133GA
33 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte24 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.35 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz2350 MHz
Design Kit
744761133A
33 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte43 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.22 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz2300 MHz
Design Kit
744761133GA
33 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte43 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.22 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz2300 MHz
Design Kit
744760133GA
33 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.15 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz2400 MHz
Design Kit
744762133GA
33 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte60 
Güte350 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz1700 MHz
Design Kit
744765136A
36 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität36 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte26 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.403 Ω
Nennstrom320 mA
Eigenresonanzfrequenz2320 MHz
Design Kit
744760136A
36 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität36 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.18 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz2000 MHz
Design Kit
744765136GA
36 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität36 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte26 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.403 Ω
Nennstrom320 mA
Eigenresonanzfrequenz2320 MHz
Design Kit
744761136GA
36 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität36 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte36 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.22 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz2300 MHz
Design Kit
744761136A
36 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität36 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte36 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.22 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz2300 MHz
Design Kit
744760136GA
36 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität36 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.18 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz2000 MHz
Design Kit
744765139A
39 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität39 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte25 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.55 Ω
Nennstrom320 mA
Eigenresonanzfrequenz2100 MHz
Design Kit
744762139A
39 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität39 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte60 
Güte350 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz1500 MHz
Design Kit
744761139A
39 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität39 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte43 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.25 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz2200 MHz
Design Kit
744761139GA
39 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität39 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte43 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.25 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz2200 MHz
Design Kit
744765139GA
39 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität39 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte25 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.55 Ω
Nennstrom320 mA
Eigenresonanzfrequenz2100 MHz
Design Kit
744760139A
39 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität39 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.18 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz2100 MHz
Design Kit
744760139GA
39 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität39 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.18 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz2100 MHz
Design Kit
744762139GA
39 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität39 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte60 
Güte350 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz1500 MHz
Design Kit
744765140A
40 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität40 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte26 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.438 Ω
Nennstrom320 mA
Eigenresonanzfrequenz2240 MHz
Design Kit
744765140GA
40 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität40 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte26 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.438 Ω
Nennstrom320 mA
Eigenresonanzfrequenz2240 MHz
Design Kit
744765143A
43 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität43 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte25 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.81 Ω
Nennstrom100 mA
Eigenresonanzfrequenz2030 MHz
Design Kit
744761143GA
43 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität43 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte38 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.28 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz2000 MHz
Design Kit
744765143GA
43 nH, ±2%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität43 nH
Induktivität±2% 
Induktivität250 MHz 
Güte25 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.81 Ω
Nennstrom100 mA
Eigenresonanzfrequenz2030 MHz
Design Kit
744761143A
43 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität43 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte38 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.28 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz2000 MHz
Design Kit
744760143A
43 nH, ±5%, 250 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität43 nH
Induktivität±5% 
Induktivität250 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.18 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz1800 MHz
Design Kit
744760143GA
43 nH, ±2%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität43 nH
Induktivität±2% 
Induktivität200 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.18 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz1800 MHz
Design Kit
744765147A
47 nH, ±5%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 nH
Induktivität±5% 
Induktivität200 MHz 
Güte26 
Güte200 MHz 
Gleichstromwiderstand0.83 Ω
Nennstrom100 mA
Eigenresonanzfrequenz2100 MHz
Design Kit
744760147A
47 nH, ±5%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 nH
Induktivität±5% 
Induktivität200 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.15 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz1700 MHz
Design Kit
744762147A
47 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte60 
Güte350 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz1500 MHz
Design Kit
744761147A
47 nH, ±5%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 nH
Induktivität±5% 
Induktivität200 MHz 
Güte40 
Güte200 MHz 
Gleichstromwiderstand0.28 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz2000 MHz
Design Kit
744761147GA
47 nH, ±2%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 nH
Induktivität±2% 
Induktivität200 MHz 
Güte40 
Güte200 MHz 
Gleichstromwiderstand0.28 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz2000 MHz
Design Kit
744765147GA
47 nH, ±2%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 nH
Induktivität±2% 
Induktivität200 MHz 
Güte26 
Güte200 MHz 
Gleichstromwiderstand0.83 Ω
Nennstrom100 mA
Eigenresonanzfrequenz2100 MHz
Design Kit
744760147GA
47 nH, ±2%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 nH
Induktivität±2% 
Induktivität200 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.15 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz1700 MHz
Design Kit
744762147GA
47 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte60 
Güte350 MHz 
Gleichstromwiderstand0.1 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz1500 MHz
Design Kit
744765151A
51 nH, ±5%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität51 nH
Induktivität±5% 
Induktivität200 MHz 
Güte25 
Güte200 MHz 
Gleichstromwiderstand0.82 Ω
Nennstrom100 mA
Eigenresonanzfrequenz1750 MHz
Design Kit
744761151GA
51 nH, ±2%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität51 nH
Induktivität±2% 
Induktivität200 MHz 
Güte40 
Güte200 MHz 
Gleichstromwiderstand0.31 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz1900 MHz
Design Kit
744765151GA
51 nH, ±2%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität51 nH
Induktivität±2% 
Induktivität200 MHz 
Güte25 
Güte200 MHz 
Gleichstromwiderstand0.82 Ω
Nennstrom100 mA
Eigenresonanzfrequenz1750 MHz
Design Kit
744761151A
51 nH, ±5%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität51 nH
Induktivität±5% 
Induktivität200 MHz 
Güte40 
Güte200 MHz 
Gleichstromwiderstand0.31 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz1900 MHz
Design Kit
744765156A
56 nH, ±5%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität56 nH
Induktivität±5% 
Induktivität200 MHz 
Güte22 
Güte200 MHz 
Gleichstromwiderstand0.97 Ω
Nennstrom100 mA
Eigenresonanzfrequenz1760 MHz
Design Kit
744760156A
56 nH, ±5%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität56 nH
Induktivität±5% 
Induktivität200 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.25 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz1600 MHz
Design Kit
744762156A
56 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität56 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte60 
Güte350 MHz 
Gleichstromwiderstand0.12 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz1350 MHz
Design Kit
744765156GA
56 nH, ±2%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität56 nH
Induktivität±2% 
Induktivität200 MHz 
Güte22 
Güte200 MHz 
Gleichstromwiderstand0.97 Ω
Nennstrom100 mA
Eigenresonanzfrequenz1760 MHz
Design Kit
744761156A
56 nH, ±5%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität56 nH
Induktivität±5% 
Induktivität200 MHz 
Güte40 
Güte200 MHz 
Gleichstromwiderstand0.31 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz1900 MHz
Design Kit
744761156GA
56 nH, ±2%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität56 nH
Induktivität±2% 
Induktivität200 MHz 
Güte40 
Güte200 MHz 
Gleichstromwiderstand0.31 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz1900 MHz
Design Kit
744760156GA
56 nH, ±2%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität56 nH
Induktivität±2% 
Induktivität200 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.25 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz1600 MHz
Design Kit
744762156GA
56 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität56 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte60 
Güte350 MHz 
Gleichstromwiderstand0.12 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz1350 MHz
Design Kit
744761162A
62 nH, ±5%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität62 nH
Induktivität±5% 
Induktivität200 MHz 
Güte40 
Güte200 MHz 
Gleichstromwiderstand0.34 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz1700 MHz
Design Kit
744761162GA
62 nH, ±2%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität62 nH
Induktivität±2% 
Induktivität200 MHz 
Güte40 
Güte200 MHz 
Gleichstromwiderstand0.34 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz1700 MHz
Design Kit
744765168A
68 nH, ±5%, 200 MHz
Simu­lation
Status NRNDi| Produktion ist aktiv. Der Artikel ist nicht empfohlen für neue Designs. Erwartete Lebenszeit: 2-5 Jahre.
Induktivität68 nH
Induktivität±5% 
Induktivität200 MHz 
Güte22 
Güte200 MHz 
Gleichstromwiderstand1.12 Ω
Nennstrom100 mA
Eigenresonanzfrequenz1620 MHz
Design Kit
744761168A
68 nH, ±5%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 nH
Induktivität±5% 
Induktivität200 MHz 
Güte40 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.34 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz1700 MHz
Design Kit
744762168A
68 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte60 
Güte350 MHz 
Gleichstromwiderstand0.15 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz1300 MHz
Design Kit
744765168GA
68 nH, ±2%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 nH
Induktivität±2% 
Induktivität200 MHz 
Güte22 
Güte200 MHz 
Gleichstromwiderstand1.12 Ω
Nennstrom100 mA
Eigenresonanzfrequenz1620 MHz
Design Kit
744761168GA
68 nH, ±2%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 nH
Induktivität±2% 
Induktivität200 MHz 
Güte40 
Güte200 MHz 
Gleichstromwiderstand0.34 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz1700 MHz
Design Kit
744760168A
68 nH, ±5%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 nH
Induktivität±5% 
Induktivität200 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.27 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz1450 MHz
Design Kit
744760168GA
68 nH, ±2%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 nH
Induktivität±2% 
Induktivität200 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.27 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz1450 MHz
Design Kit
744762168GA
68 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte60 
Güte350 MHz 
Gleichstromwiderstand0.15 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz1300 MHz
Design Kit
744761172A
72 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität72 nH
Induktivität±5% 
Induktivität150 MHz 
Güte35 
Güte150 MHz 
Gleichstromwiderstand0.49 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz1700 MHz
Design Kit
744761172GA
72 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität72 nH
Induktivität±2% 
Induktivität150 MHz 
Güte35 
Güte150 MHz 
Gleichstromwiderstand0.49 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz1700 MHz
Design Kit
744765175A
75 nH, ±5%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität75 nH
Induktivität±5% 
Induktivität200 MHz 
Güte20 
Güte200 MHz 
Gleichstromwiderstand1.2 Ω
Nennstrom160 mA
Eigenresonanzfrequenz1550 MHz
Design Kit
744765175GA
75 nH, ±2%, 200 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität75 nH
Induktivität±2% 
Induktivität200 MHz 
Güte20 
Güte200 MHz 
Gleichstromwiderstand1.2 Ω
Nennstrom160 mA
Eigenresonanzfrequenz1550 MHz
Design Kit
744760182A
82 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität82 nH
Induktivität±5% 
Induktivität150 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.32 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz1350 MHz
Design Kit
744762182A
82 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität82 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte60 
Güte350 MHz 
Gleichstromwiderstand0.18 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz1100 MHz
Design Kit
744765182A
82 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität82 nH
Induktivität±5% 
Induktivität150 MHz 
Güte20 
Güte150 MHz 
Gleichstromwiderstand1.25 Ω
Nennstrom100 mA
Eigenresonanzfrequenz1500 MHz
Design Kit
744761182A
82 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität82 nH
Induktivität±5% 
Induktivität150 MHz 
Güte35 
Güte150 MHz 
Gleichstromwiderstand0.54 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz1700 MHz
Design Kit
744761182GA
82 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität82 nH
Induktivität±2% 
Induktivität150 MHz 
Güte35 
Güte150 MHz 
Gleichstromwiderstand0.54 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz1700 MHz
Design Kit
744765182GA
82 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität82 nH
Induktivität±2% 
Induktivität150 MHz 
Güte20 
Güte150 MHz 
Gleichstromwiderstand1.25 Ω
Nennstrom100 mA
Eigenresonanzfrequenz1500 MHz
Design Kit
744760182GA
82 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität82 nH
Induktivität±2% 
Induktivität150 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.32 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz1350 MHz
Design Kit
744762182GA
82 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität82 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte60 
Güte350 MHz 
Gleichstromwiderstand0.18 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz1100 MHz
Design Kit
744761190A
90 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität90 nH
Induktivität±5% 
Induktivität150 MHz 
Güte35 
Güte150 MHz 
Gleichstromwiderstand0.54 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz1700 MHz
Design Kit
744761190GA
90 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität90 nH
Induktivität±2% 
Induktivität150 MHz 
Güte35 
Güte150 MHz 
Gleichstromwiderstand0.54 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz1700 MHz
Design Kit
744765191A
91 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität91 nH
Induktivität±5% 
Induktivität150 MHz 
Güte20 
Güte150 MHz 
Gleichstromwiderstand2.3 Ω
Nennstrom120 mA
Eigenresonanzfrequenz1350 MHz
Design Kit
744765191GA
91 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität91 nH
Induktivität±2% 
Induktivität150 MHz 
Güte20 
Güte150 MHz 
Gleichstromwiderstand2.3 Ω
Nennstrom120 mA
Eigenresonanzfrequenz1350 MHz
Design Kit
744760191A
91 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität91 nH
Induktivität±5% 
Induktivität150 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.35 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz1200 MHz
Design Kit
744760191GA
91 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität91 nH
Induktivität±2% 
Induktivität150 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.35 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz1200 MHz
Design Kit
744765210A
100 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 nH
Induktivität±5% 
Induktivität150 MHz 
Güte20 
Güte150 MHz 
Gleichstromwiderstand2.52 Ω
Nennstrom100 mA
Eigenresonanzfrequenz1300 MHz
Design Kit
744761210A
100 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 nH
Induktivität±5% 
Induktivität150 MHz 
Güte35 
Güte150 MHz 
Gleichstromwiderstand0.63 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz1400 MHz
Design Kit
744762210A
100 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte60 
Güte350 MHz 
Gleichstromwiderstand0.18 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz1100 MHz
Design Kit
744765210GA
100 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 nH
Induktivität±2% 
Induktivität150 MHz 
Güte20 
Güte150 MHz 
Gleichstromwiderstand2.52 Ω
Nennstrom100 mA
Eigenresonanzfrequenz1300 MHz
Design Kit
744761210GA
100 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 nH
Induktivität±2% 
Induktivität150 MHz 
Güte35 
Güte150 MHz 
Gleichstromwiderstand0.63 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz1400 MHz
Design Kit
744760210A
100 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 nH
Induktivität±5% 
Induktivität150 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.43 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz1200 MHz
Design Kit
744760210GA
100 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 nH
Induktivität±2% 
Induktivität150 MHz 
Güte60 
Güte500 MHz 
Gleichstromwiderstand0.43 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz1200 MHz
Design Kit
744762210GA
100 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte60 
Güte350 MHz 
Gleichstromwiderstand0.18 Ω
Nennstrom1000 mA
Eigenresonanzfrequenz1100 MHz
Design Kit
744761211GA
110 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität110 nH
Induktivität±2% 
Induktivität150 MHz 
Güte35 
Güte150 MHz 
Gleichstromwiderstand0.63 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz1400 MHz
Design Kit
744761211A
110 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität110 nH
Induktivität±5% 
Induktivität150 MHz 
Güte35 
Güte150 MHz 
Gleichstromwiderstand0.63 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz1400 MHz
Design Kit
744762212A
120 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität120 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.2 Ω
Nennstrom800 mA
Eigenresonanzfrequenz950 MHz
Design Kit
744761212A
120 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität120 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte35 
Güte150 MHz 
Gleichstromwiderstand0.65 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz1300 MHz
Design Kit
744765212A
120 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität120 nH
Induktivität±5% 
Induktivität150 MHz 
Güte20 
Güte150 MHz 
Gleichstromwiderstand2.66 Ω
Nennstrom100 mA
Eigenresonanzfrequenz1100 MHz
Design Kit
744765212GA
120 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität120 nH
Induktivität±2% 
Induktivität150 MHz 
Güte20 
Güte150 MHz 
Gleichstromwiderstand2.66 Ω
Nennstrom100 mA
Eigenresonanzfrequenz1100 MHz
Design Kit
744761212GA
120 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität120 nH
Induktivität±2% 
Induktivität150 MHz 
Güte35 
Güte150 MHz 
Gleichstromwiderstand0.65 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz1300 MHz
Design Kit
744760212A
120 nH, ±5%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität120 nH
Induktivität±5% 
Induktivität150 MHz 
Güte50 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.48 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz1100 MHz
Design Kit
744760212GA
120 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität120 nH
Induktivität±2% 
Induktivität150 MHz 
Güte50 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.48 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz1100 MHz
Design Kit
744762212GA
120 nH, ±2%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität120 nH
Induktivität±2% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.2 Ω
Nennstrom800 mA
Eigenresonanzfrequenz950 MHz
Design Kit
744761215A
150 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität150 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte35 
Güte150 MHz 
Gleichstromwiderstand0.92 Ω
Nennstrom280 mA
Eigenresonanzfrequenz1000 MHz
Design Kit
744762215A
150 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität150 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.22 Ω
Nennstrom800 mA
Eigenresonanzfrequenz880 MHz
Design Kit
744761215GA
150 nH, ±2%, 150 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität150 nH
Induktivität±2% 
Induktivität150 MHz 
Güte35 
Güte150 MHz 
Gleichstromwiderstand0.92 Ω
Nennstrom280 mA
Eigenresonanzfrequenz1000 MHz
Design Kit
744760215A
150 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität150 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte50 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.56 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz950 MHz
Design Kit
744760215GA
150 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität150 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte50 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.56 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz950 MHz
Design Kit
744762215GA
150 nH, ±2%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität150 nH
Induktivität±2% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.22 Ω
Nennstrom800 mA
Eigenresonanzfrequenz880 MHz
Design Kit
744761216A
160 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität160 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte30 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1 Ω
Nennstrom250 mA
Eigenresonanzfrequenz1000 MHz
Design Kit
744761216GA
160 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität160 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte30 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1 Ω
Nennstrom250 mA
Eigenresonanzfrequenz1000 MHz
Design Kit
744760218A
180 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität180 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte50 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.78 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz900 MHz
Design Kit
744762218A
180 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität180 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.33 Ω
Nennstrom800 mA
Eigenresonanzfrequenz800 MHz
Design Kit
744761218A
180 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität180 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte30 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.25 Ω
Nennstrom240 mA
Eigenresonanzfrequenz1000 MHz
Design Kit
744761218GA
180 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität180 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte30 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.25 Ω
Nennstrom240 mA
Eigenresonanzfrequenz1000 MHz
Design Kit
744760218GA
180 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität180 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte50 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand0.78 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz900 MHz
Design Kit
744762218GA
180 nH, ±2%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität180 nH
Induktivität±2% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.33 Ω
Nennstrom800 mA
Eigenresonanzfrequenz800 MHz
Design Kit
744761220A
200 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität200 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte30 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.25 Ω
Nennstrom240 mA
Eigenresonanzfrequenz1000 MHz
Design Kit
744761220GA
200 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität200 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte30 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.25 Ω
Nennstrom240 mA
Eigenresonanzfrequenz1000 MHz
Design Kit
744761221A
210 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität210 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte27 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.7 Ω
Nennstrom200 mA
Eigenresonanzfrequenz1000 MHz
Design Kit
744761221GA
210 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität210 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte27 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.7 Ω
Nennstrom200 mA
Eigenresonanzfrequenz1000 MHz
Design Kit
744760222A
220 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte50 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand1 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz860 MHz
Design Kit
744762222A
220 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.45 Ω
Nennstrom800 mA
Eigenresonanzfrequenz730 MHz
Design Kit
744762222GA
220 nH, ±2%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 nH
Induktivität±2% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.45 Ω
Nennstrom800 mA
Eigenresonanzfrequenz730 MHz
Design Kit
744761222A
220 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte30 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.7 Ω
Nennstrom200 mA
Eigenresonanzfrequenz1000 MHz
Design Kit
744761222GA
220 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte30 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.7 Ω
Nennstrom200 mA
Eigenresonanzfrequenz1000 MHz
Design Kit
744760222GA
220 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte50 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand1 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz860 MHz
Design Kit
744761224A
240 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität240 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte30 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.7 Ω
Nennstrom200 mA
Eigenresonanzfrequenz1000 MHz
Design Kit
744761224GA
240 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität240 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte30 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.7 Ω
Nennstrom200 mA
Eigenresonanzfrequenz1000 MHz
Design Kit
744761227A
270 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität270 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte30 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.8 Ω
Nennstrom170 mA
Eigenresonanzfrequenz1000 MHz
Design Kit
744762227A
270 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität270 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.75 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz650 MHz
Design Kit
744761227GA
270 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität270 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte30 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.8 Ω
Nennstrom170 mA
Eigenresonanzfrequenz1000 MHz
Design Kit
744760227A
270 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität270 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte45 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand1.46 Ω
Nennstrom350 mA
Eigenresonanzfrequenz850 MHz
Design Kit
744760227GA
270 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität270 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte45 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand1.46 Ω
Nennstrom350 mA
Eigenresonanzfrequenz850 MHz
Design Kit
744762227GA
270 nH, ±2%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität270 nH
Induktivität±2% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.75 Ω
Nennstrom600 mA
Eigenresonanzfrequenz650 MHz
Design Kit
744761233A
330 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität330 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte25 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand2 Ω
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz450 MHz
Design Kit
744760233A
330 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität330 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte45 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand1.65 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz800 MHz
Design Kit
744762233A
330 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität330 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.9 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz570 MHz
Design Kit
744762233GA
330 nH, ±2%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität330 nH
Induktivität±2% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand0.9 Ω
Nennstrom500 mA
Eigenresonanzfrequenz570 MHz
Design Kit
744761233GA
330 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität330 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte25 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand2 Ω
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz450 MHz
Design Kit
744760233GA
330 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität330 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte45 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand1.65 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz800 MHz
Design Kit
744761239A
390 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität390 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte20 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand2 Ω
Nennstrom170 mA
Eigenresonanzfrequenz350 MHz
Design Kit
744760239A
390 nH, ±5%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität390 nH
Induktivität±5% 
Induktivität100 MHz 
Güte45 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand2.2 Ω
Nennstrom210 mA
Eigenresonanzfrequenz780 MHz
Design Kit
744762239A
390 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität390 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.06 Ω
Nennstrom470 mA
Eigenresonanzfrequenz530 MHz
Design Kit
744761239GA
390 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität390 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte20 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand2 Ω
Nennstrom170 mA
Eigenresonanzfrequenz350 MHz
Design Kit
744760239GA
390 nH, ±2%, 100 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität390 nH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte45 
Güte250 MHz 
Gleichstromwiderstand2.2 Ω
Nennstrom210 mA
Eigenresonanzfrequenz780 MHz
Design Kit
744762239GA
390 nH, ±2%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität390 nH
Induktivität±2% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.06 Ω
Nennstrom470 mA
Eigenresonanzfrequenz530 MHz
Design Kit
744762247A
470 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität470 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.17 Ω
Nennstrom420 mA
Eigenresonanzfrequenz480 MHz
Design Kit
744762247GA
470 nH, ±2%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität470 nH
Induktivität±2% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.17 Ω
Nennstrom420 mA
Eigenresonanzfrequenz480 MHz
Design Kit
744761247A
470 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität470 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte15 
Güte25 MHz 
Gleichstromwiderstand2.1 Ω
Nennstrom170 mA
Eigenresonanzfrequenz250 MHz
Design Kit
7447602470A
470 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität470 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte25 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.05 Ω
Nennstrom210 mA
Eigenresonanzfrequenz350 MHz
Design Kit
744762256A
560 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität560 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.5 Ω
Nennstrom310 mA
Eigenresonanzfrequenz430 MHz
Design Kit
744762256GA
560 nH, ±2%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität560 nH
Induktivität±2% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.5 Ω
Nennstrom310 mA
Eigenresonanzfrequenz430 MHz
Design Kit
744761256A
560 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität560 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte15 
Güte25 MHz 
Gleichstromwiderstand2.5 Ω
Nennstrom120 mA
Eigenresonanzfrequenz220 MHz
Design Kit
7447602560A
560 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität560 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte18 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.1 Ω
Nennstrom230 mA
Eigenresonanzfrequenz250 MHz
Design Kit
7447602620A
620 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität620 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte18 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.2 Ω
Nennstrom230 mA
Eigenresonanzfrequenz250 MHz
Design Kit
744761268A
680 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität680 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte15 
Güte25 MHz 
Gleichstromwiderstand2.9 Ω
Nennstrom120 mA
Eigenresonanzfrequenz200 MHz
Design Kit
744762268A
680 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität680 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand2.06 Ω
Nennstrom230 mA
Eigenresonanzfrequenz380 MHz
Design Kit
744762268GA
680 nH, ±2%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität680 nH
Induktivität±2% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand2.06 Ω
Nennstrom230 mA
Eigenresonanzfrequenz380 MHz
Design Kit
7447602680A
680 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität680 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte15 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.2 Ω
Nennstrom400 mA
Eigenresonanzfrequenz188 MHz
Design Kit
744762275A
750 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität750 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand2.2 Ω
Nennstrom200 mA
Eigenresonanzfrequenz360 MHz
Design Kit
744762275GA
750 nH, ±2%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität750 nH
Induktivität±2% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand2.2 Ω
Nennstrom200 mA
Eigenresonanzfrequenz360 MHz
Design Kit
744762282A
820 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität820 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand2.3 Ω
Nennstrom180 mA
Eigenresonanzfrequenz350 MHz
Design Kit
744762282GA
820 nH, ±2%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität820 nH
Induktivität±2% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand2.3 Ω
Nennstrom180 mA
Eigenresonanzfrequenz350 MHz
Design Kit
744761282A
820 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität820 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte15 
Güte25 MHz 
Gleichstromwiderstand3.2 Ω
Nennstrom120 mA
Eigenresonanzfrequenz200 MHz
Design Kit
7447602820A
820 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität820 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte15 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand1.5 Ω
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz215 MHz
Design Kit
744762291A
910 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität910 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand3.18 Ω
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz330 MHz
Design Kit
744762291GA
910 nH, ±2%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität910 nH
Induktivität±2% 
Induktivität25 MHz 
Güte45 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand3.18 Ω
Nennstrom150 mA
Eigenresonanzfrequenz330 MHz
Design Kit
744762310A
1000 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1000 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte35 
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand3.3 Ω
Nennstrom120 mA
Eigenresonanzfrequenz310 MHz
Design Kit
744761310A
1000 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1000 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte15 
Güte25 MHz 
Gleichstromwiderstand3.5 Ω
Nennstrom120 mA
Eigenresonanzfrequenz200 MHz
Design Kit
744762310GA
1000 nH, ±2%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1000 nH
Induktivität±2% 
Induktivität25 MHz 
Güte35 
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand3.3 Ω
Nennstrom120 mA
Eigenresonanzfrequenz310 MHz
Design Kit
7447603100A
1000 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1000 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte20 
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand2.8 Ω
Nennstrom180 mA
Eigenresonanzfrequenz250 MHz
Design Kit
7447603120A
1200 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1200 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte18 
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand3.2 Ω
Nennstrom200 mA
Eigenresonanzfrequenz190 MHz
Design Kit
7447603150A
1500 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1500 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte18 
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand5.88 Ω
Nennstrom160 mA
Eigenresonanzfrequenz210 MHz
Design Kit
7447603180A
1800 nH, ±5%, 25 MHz
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1800 nH
Induktivität±5% 
Induktivität25 MHz 
Güte18 
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand6.26 Ω
Nennstrom140 mA
Eigenresonanzfrequenz210 MHz
Design Kit

Würth Elektronik bietet mehrere Produktserien mit unterschiedlicher Aufbautechnologie an

HF Induktivitäten Auswahlhilfe

WE-KI Keramik-SMT-Induktivität
WE-KI SMT Keramik-SMT-Induktivität
  • Induktivitätswerte von 1 nH bis zu 1800 nH
  • Hohe Güte Q
  • Bis zu 12,5 GHz Eigenresonanzfrequenz
  • Bis zu ± 2% Induktivitätstoleranz
  • Hohe thermische Stabilität
  • Design Kits für die verschiedenen Größen erhältlich
WE-KI HC Hochstrom Keramik-SMT-Induktivität
WE-KI HC Hochstrom-Keramik-SMT-Induktivität
  • Induktivitätswerte von 1 nH bis zu 390 nH
  • Ausgezeichneter Q-Faktor
  • Hochstrom bis zu 2,3 A
  • ± 2% Induktivitätstoleranz
  • Hohe thermische Stabilität
  • Design Kit verfügbar
WE-MK Multilayer-Keramik-SMT-Induktivität
WE-MK Multilayer-Keramik-SMT-Induktivität
  • Induktivitätswerte von 1 nH bis zu 470 nH
  • Extrem kleine Bauform (bis zu 0201)
  • Bis zu ±2% (oder ±0,1 nH) Induktivitätstoleranz
  • Robuste Struktur
  • Polaritätskennzeichnung verfügbar 
  • Design Kits für die verschiedenen Größen erhältlich
  • Hohe thermische Stabilität
WE-CAIR Luftspulen
WE-CAIR Luftspulen
  • Induktivitätswerte von 1.65 nH bis zu 538 nH
  • Extrem hohe Güte Q
  • Hochstrom bis zu 4 A
  • Hohe Eingenresonanzfrequenz 
  • Polaritätskennzeichnung verfügbar 
  • Design Kits für die verschiedenen Größen erhältlich
  • Hohe thermische Stabilität
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität
WE-TCI SMD-Dünnfilm-Induktivität
  • Induktivitätswerte von 1 nH bis zu 27 nH
  • Hohe Eigenresonanzfrequenz
  • Enge Toleranz von 2% (1% auf Anfrage) oder ± 0,1
  • Sehr geringe Größe (bis zu 0201)
WE-RFI Ferrit-SMT-Induktivität
WE-RFI Ferrit-SMT-Induktivität
  • Hohe Induktivitätswerte von 20 nH bis zu 47 µH verfügbar
  • Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
  • Größen: 0402 bis 1008
  • Design Kit verfügbar

Was ist der Gütefaktor Q?

Was ist der Gütefaktor Q?

Der Gütefaktor Q ist ein entscheidender Parameter und eines der ersten Kriterien, die jeder HF-Ingenieur berücksichtigen sollte. Der Q-Faktor wird entweder als Mindestwert oder als typischer Wert bei einem bestimmten Frequenzpunkt angegeben. Bei Würth Elektronik wird der Q-Faktor als Mindestwert angegeben, um den Kunden ein zuverlässiges Mindestniveau zu garantieren.

Grundsätzlich ist der Q-Faktor das Verhältnis zwischen dem induktiven Blindwiderstand XL und den Verlusten RS und ist ein Indikator dafür, wie ideal eine Induktivität ist. Bei Induktivitäten mit Luft- oder Keramikkernen ist der Widerstand RS hauptsächlich auf den spezifischen Widerstand des Leiters in der Induktionsvorrichtung zurückzuführen. Ein höherer Q-Faktor bedeutet weniger Verluste in der Komponente.

RF Inductors Factor Frequency

Eigenresonanzfrequenz

Eigenresonanzfrequenz

Da die Wicklungsstruktur jeder Drahtspule eine gewisse Kapazität aufweist, stellt die Induktivität einen Parallelschwingkreis dar, der eine entsprechende Eigenresonanzfrequenz (SRF, self resonance frequency) aufweist. Wie bei herkömmlichen Induktivitäten gibt die SRF an, bis zu welcher Frequenz sich das Bauelement wie eine Induktivität verhält.

Genau bei der SRF verhält sich die Induktivität mit ihrer parasitären Kapazität wie ein Resonanzkreis mit einer nahezu unendlich hohen Impedanz, nur Schaltungsverluste begrenzen den hohen Wert der Impedanz. Jenseits der SRF verhält sich das Bauelement wie ein Kondensator.

Bei EMV-Filterapplikationen, in denen Induktivitäten verwendet werden, erfolgt die beste Signaldämpfung kurz unterhalb der SRF, wo die Impedanz sehr hoch ist und somit die Dämpfung ihr Maximum erreicht.

Bei Signal-Filter- oder Impedanzanpassungs-Anwendungen ist es wichtiger, eine konstante Induktivität im relevanten Frequenzbereich zu haben, was bedeutet, dass die SRF der Induktivität weit oberhalb der Betriebsfrequenz der Schaltung liegen sollte.

RF Inductors Eigenfrequenzresonanz

Nennstrom bei Hochfrequenzanwendungen

Nennstrom bei Hochfrequenzanwendungen

Der Nennstrom wird als maximaler Gleichstrom (A oder mA) angegeben, der einen bestimmten Temperaturanstieg verursacht (z.B. ΔT = 40 K). Der Temperaturanstieg plus die Umgebungstemperatur darf die maximale Betriebstemperatur nicht überschreiten. Für Hochstromanwendungen wählen Sie bitte die spezifischen Luftspulen: WE-KI HC, WE-ACHC und WE-CAIR.

RF Inductors Nennstrom bei Hochfrequenzanwendungen

HF-Induktivitäten und Antennenanpassung

Wie die Antennenanpassung funktioniert

HF-Induktivitäten und Antennenanpassung

Wie die Antennenanpassung funktioniert

Mit Hilfe des Smith-Diagramms kann die komplexe Impedanz des Antennenspeisepunkts, bestehend aus Widerstands- und Blindwerten, grafisch dargestellt werden. Bei einer angepassten Antenne liegt die Impedanz bei der Betriebsfrequenz nahe der Mitte des Smith-Diagramms und damit nahe der Impedanz von 50 Ω. Dies kann durch den Einsatz von HF-Induktivitäten und HF-Kondensatoren erreicht werden. Ein pi-Anpassungsnetzwerk ist für diesen Zweck besonders nützlich, da es flexibel für die Antennenanpassung von fast jeder anderen Impedanz verwendet werden kann. In der Praxis funktioniert die Antennenanpassung in mehreren Schritten.

Zusätzlich zu den WE-MCA Antennen bieten wir unseren Kunden einen entwicklungsbegleitenden Antennenservice an. Wir unterstützen von der Antennenauswahl über die Antennenplatzierung bis hin zur Antennenanpassung.

Webseite: www.we-online.com/antennamatching

E-Mail: antenna.matching@we-online.com

Wir bieten auch ein Antennenanpassungs-Design-Kit an, das alle Komponenten enthält, die für Ihre Antennenanpassung benötigt werden. Dieses Design-Kit mit der Bestellnummer 748001 enthält Chip-Antennen WE-MCA, keramische Multilayer-Induktivitäten WE-MK in der Größe 0402, Hochfrequenz-Chipkondensatoren WCAP-CSRF in der Größe 0402 und HF-Koaxialkabel WR-CXARY für Frequenzen bis zu 18 GHz.

RF Inductors HF-Induktivitäten und Antennenanpassung