IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments TPS23730 | Demoboard TPS23730EVM-093

IEEE 802.3bt type-3 class 1-6 PoE 2 PD with high efficiency DC-DC controller

Details

TopologieLAN / POE
Eingangsspannung37-57 V
Ausgang 112 V / 5 A

Beschreibung

The TPS23730 evaluation module (TPS23730EVM-093) contains evaluation and reference circuitry for the TPS23730, which is a IEEE802.3bt Type 3 PoE PD, EA Gen 2 ready, controller suitable for Type 3 (51W) PoE PD applications.

Eigenschaften

  • IEEE802.3bt Type 3 compliant PoE PD
  • Integrated PWM controller for flyback or active clamp forward congifuration
  • Frequency dithering for EMI reduction
  • Soft-start control with advanced startup and hiccup mode overload protection
  • Soft-stop shutdown

Typische Anwendungen

  • PoE PD applications

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
λDom typ.(nm)
Farbe
λPeak typ.(nm)
IV typ.(mcd)
VF typ.(V)
Chiptechnologie
50% typ.(°)
C
Tol. C
Bauform
Q(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
IR(mA)
ISAT(A)
LR(µH)
Version
Vin
VOut1(V)
IOut1(A)
Vaux(V)
n
Pins
Farbe
Gender
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(Ω)
Typ
Wicklungstyp
Wicklungsanzahl
L1(µH)
IR 1(mA)
RDC1 max.(Ω)
VR(V)
Datenrate
Ports
PoE
Improved CMRR
Betriebstemperatur
VT(V (AC))
Montageart
L(µH)
LSmin.(nH)
Muster
WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, 590 nm, Gelb
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
dominante Wellenlänge [typ.]590 nm
FarbeGelb 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]595 nm
Lichtstärke [typ.]120 mcd
Durchlassspannung [typ.]2 V
ChiptechnologieAlInGaP 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 °
Bauform0603 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.7 mm
VerpackungTape and Reel 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
MontageartSMT 
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Bauform0603 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.3 mm
Nennstrom1500 mA
VersionSMT 
Impedanz @ 100 MHz300 Ω
Maximale Impedanz450 Ω
Maximale Impedanz250 MHz 
Nennstrom 22000 mA
Gleichstromwiderstand0.15 Ω
TypHochstrom 
Wicklungsanzahl
Nennstrom [1]2000 mA
Gleichstromwiderstand [1]0.15 Ω
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge10 mm
Breite8.7 mm
Höhe6.5 mm
Nennstrom2800 mA
VersionSMT 
Pins
Impedanz @ 100 MHz800 Ω
Maximale Impedanz1200 Ω
Maximale Impedanz20 MHz 
Gleichstromwiderstand0.035 Ω
WicklungstypSektional 
Wicklungsanzahl
Induktivität [1]250 µH
Nennstrom [1]2000 mA
Gleichstromwiderstand [1]0.035 Ω
Nennspannung80 V
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Prüfspannung1000 V (AC)
MontageartSMT 
Induktivität250 µH
Streuinduktivität [min.]1500 nH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform1050 
Länge10.5 mm
Breite10.2 mm
Höhe4.7 mm
Performance Nennstrom12 A
Sättigungsstrom 14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%12 A
Gleichstromwiderstand10.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
MaterialSuperflux 
Nenninduktivität4.3 µH
VersionSMT 
Pins
Gleichstromwiderstand0.01133 Ω
Wicklungsanzahl9.5 
Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C
MontageartSMT 
Induktivität5.5 µH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform1890 
Länge18.3 mm
Breite18.2 mm
Höhe8.9 mm
Performance Nennstrom14.1 A
Sättigungsstrom 110.75 A
Sättigungsstrom @ 30%14 A
Gleichstromwiderstand9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
MaterialMnZn 
Nenninduktivität12 µH
VersionSMT 
Pins
Gleichstromwiderstand0.00972 Ω
Wicklungsanzahl13.5 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
Induktivität15 µH
WE-PD2 HV SMT-Speicherdrossel (High Voltage), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform7850 
Länge7 mm
Breite7.8 mm
Höhe5 mm
Eigenresonanzfrequenz1.6 MHz
Nennstrom150 mA
Sättigungsstrom0.2 A
Gleichstromwiderstand7.2 Ω
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
Induktivität2200 µH
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität330 pF
Kapazität±5% 
Bauform0603 
Güte1000 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypNP0 Klasse I 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung50 V
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WE-PoE++ Power over Ethernet Plus Plus Transformer, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
BauformEFD20 
Länge23.11 mm
Breite29.08 mm
Höhe11.43 mm
VerpackungTape and Reel 
VersionForward 
Input Voltage 36 - 72 V (DC)
Ausgangsspannung 112 V
Ausgangsstrom 15 A
Hilfsspannung12 V
Übersetzungsverhältnis2:1:1 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Prüfspannung1500 V (AC)
MontageartSMT 
Induktivität100 µH
WR-PHD Kurzschlussbrücken, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Isolationswiderstand1000 MΩ
Länge2.44 mm
VerpackungBeutel 
Nennstrom3000 mA
Pins
FarbeSchwarz 
GenderJumper 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
WE-LAN LAN Übertrager, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge17.55 mm
Breite16 mm
Höhe98.8 mm
Pad Dimension13.97 mm
VersionSMT 
Übersetzungsverhältnis1:1 
Pins24 
Typ4PPoE (to 900 mA) 
Induktivität [1]350 µH
Datenrate10/100/1000BASE-T 
Ports
PoE4PPoE (bis zu 1000 mA) 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Prüfspannung1500 V (AC)
MontageartSMT 
Induktivität350 µH