IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments ucc27511

Details

TopologieEintaktflusswandler
IC-RevisionA

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
Pins
PCB/Kabel/Panel
Modularity
Wire Section
ISAT(A)
RDC(mΩ)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
Material
Version
Vin
VOut1(V)
IOut1(A)
Vaux(V)
n
Bauform
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(mΩ)
Typ
IR(A)
Z @ 1 GHz(Ω)
H(mm)
Wicklungstyp
Wicklungsanzahl
L1(µH)
Z(Ω)
IR 1(mA)
RDC1 max.(Ω)
VR(V)
L1(µH)
L2(µH)
IR 1(mA)
ISAT 1(A)
RDC1 typ(Ω)
RDC2 typ(Ω)
RDC1 max(Ω)
RDC2 max(Ω)
fres(MHz)
Datenrate
Ports
PoE
Improved CMRR
Betriebstemperatur
VT(V (AC))
Montageart
L(µH)
LSmin.(nH)
Muster
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Pins
Gleichstromwiderstand14.5 mΩ
Performance Nennstrom8.3 A
Sättigungsstrom 12.2 A
Sättigungsstrom @ 30%6.5 A
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Bauform7050 
Gleichstromwiderstand15.95 mΩ
Höhe4.8 mm
Wicklungsanzahl11.5 
Eigenresonanzfrequenz56 MHz
Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C
MontageartSMT 
Induktivität4.9 µH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Pins
Gleichstromwiderstand4.3 mΩ
Performance Nennstrom20.1 A
Sättigungsstrom 15 A
Sättigungsstrom @ 30%25 A
MaterialMnZn 
VersionSMT 
Bauform2212 
Gleichstromwiderstand4.73 mΩ
Höhe12 mm
Wicklungsanzahl10.5 
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
Induktivität12 µH
WR-TBL Series 2143 - 3.81 mm Horiz. Entry Modular, 2, PCB
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Pins
PCB/Kabel/PanelPCB 
ModularityJa 
Wire Section 24 to 16 (AWG) 0.2 to 1 (mm²)
TypHorizontal 
Nennstrom10 A
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
MontageartTHT 
WE-SL5 HC Stromkompensierter SMT Line Filter, 4, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Pins
VersionSMT 
Gleichstromwiderstand11 mΩ
Nennstrom3.5 A
Höhe5 mm
WicklungstypSektional 
Wicklungsanzahl
Induktivität [1]9 µH
Impedanz800 Ω
Nennstrom [1]3500 mA
Gleichstromwiderstand [1]0.011 Ω
Nennspannung80 V
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Prüfspannung500 V (AC)
MontageartSMT 
Induktivität9 µH
Streuinduktivität [min.]970 nH
WE-LAN LAN Übertrager, 24, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Pins24 
VersionSMT 
Übersetzungsverhältnis1:1 
Typ4PPoE (to 900 mA) 
Höhe98.8 mm
Induktivität [1]350 µH
Datenrate10/100/1000BASE-T 
Ports
PoE4PPoE (bis zu 1000 mA) 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Prüfspannung1500 V (AC)
MontageartSMT 
Induktivität350 µH
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
VersionSMT 
Bauform0805 
Impedanz @ 100 MHz300 Ω
Maximale Impedanz350 Ω
Maximale Impedanz200 MHz 
Nennstrom 23000 mA
Gleichstromwiderstand50 mΩ
TypHochstrom 
Nennstrom2 A
Impedanz @ 1 GHz97 Ω
Höhe0.9 mm
Wicklungsanzahl
Nennstrom [1]3000 mA
Gleichstromwiderstand [1]0.05 Ω
Nennstrom 12000 mA
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
WE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
VersionSMT 
Bauform1206 
Impedanz @ 100 MHz10 Ω
Maximale Impedanz41 Ω
Maximale Impedanz2178 MHz 
Nennstrom 210500 mA
Gleichstromwiderstand3 mΩ
TypHochstrom 
Nennstrom10.5 A
Impedanz @ 1 GHz28 Ω
Höhe1.1 mm
Wicklungsanzahl
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
WE-DD SMT-Doppeldrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Sättigungsstrom12 A
Übersetzungsverhältnis1:1 
Bauform1280 
Nennstrom 27100 mA
Gleichstromwiderstand21 mΩ
TypGekreuzt 
Nennstrom7.1 A
Höhe8.5 mm
Induktivität 13.3 µH
Induktivität 23.3 µH
Nennstrom 17100 mA
Sättigungsstrom [1]12 A
Gleichstromwiderstand 10.016 Ω
Gleichstromwiderstand 20.016 Ω
Gleichstromwiderstand 10.021 Ω
Gleichstromwiderstand 20.021 Ω
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Induktivität3.3 µH
WE-LQS SMT-Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Sättigungsstrom0.24 A
Gleichstromwiderstand6000 mΩ
Bauform5040 
Nennstrom0.2 A
Höhe4 mm
Eigenresonanzfrequenz1.9 MHz
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
Induktivität1000 µH
WE-PoE++ Power over Ethernet Plus Plus Transformer, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
VersionForward 
Input Voltage 36 - 72 V (DC)
Ausgangsspannung 112 V
Ausgangsstrom 15 A
Hilfsspannung12 V
Übersetzungsverhältnis2:1:1 
BauformEFD20 
Höhe11.43 mm
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Prüfspannung1500 V (AC)
MontageartSMT 
Induktivität100 µH