IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments TPS2373 | Demoboard PMP20878

Class 8 High Power PoE Isolated Active Clamp Forward Converter (24V/3A) Reference Design

Details

TopologieEintaktflusswandler
Eingangsspannung40-57 V
Ausgang 124 V / 3 A
IC-RevisionA

Beschreibung

This reference design is a high power PoE Powered Device (PD) plus active clamp forward converter. The TPS2373 high power PD controller EVM (TPS2373-4EVM-758) provides all functions necessary to implement an IEEE802.3bt-ready PD. This is paired up with an active clamp forward converter utilizing the UCC2897A controller. The high efficiency 24V/3A output using synchronous rectifiers is ideally suited for high power PoE applications such as IP security cameras and LED lighting applications.

Eigenschaften

Class 8 IEEE802.3bt-ready PoE PDAutomatic MPSAdvanced start-upSynchronous rectifiers for high efficiency (92% at 3A)1500VRMS isolationREMARK: Schematic and BOM is added

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
λDom typ.(nm)
Emittierte Farbe
λPeak typ.(nm)
IV typ.(mcd)
VF typ.(V)
Chiptechnologie
50% typ.(°)
C
Tol. C
Bauform
Q(%)
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
IR(mA)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
Material
Version
Vin
VOut1(V)
IOut1(A)
Vaux(V)
n
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(Ω)
Typ
Wicklungstyp
Wicklungsanzahl
L1(µH)
IR 1(mA)
RDC1 max.(Ω)
VR(V)
Datenrate
Ports
PoE
Improved CMRR
Betriebstemperatur
VT(V (AC))
Montageart
L(µH)
LSmin.(nH)
Muster
WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, 590 nm, Gelb
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
dominante Wellenlänge [typ.]590 nm
Emittierte FarbeGelb 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]595 nm
Lichtstärke [typ.]120 mcd
Durchlassspannung [typ.]2 V
ChiptechnologieAlInGaP 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 °
Bauform0603 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.7 mm
VerpackungTape and Reel 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
MontageartSMT 
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Bauform0603 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.3 mm
Nennstrom500 mA
VersionSMT 
Impedanz @ 100 MHz60 Ω
Maximale Impedanz110 Ω
Maximale Impedanz650 MHz 
Nennstrom 22000 mA
Gleichstromwiderstand0.3 Ω
TypHochgeschwindigkeit 
Wicklungsanzahl
Nennstrom [1]500 mA
Gleichstromwiderstand [1]0.3 Ω
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Bauform0603 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.3 mm
Nennstrom1500 mA
VersionSMT 
Impedanz @ 100 MHz300 Ω
Maximale Impedanz450 Ω
Maximale Impedanz250 MHz 
Nennstrom 22000 mA
Gleichstromwiderstand0.15 Ω
TypHochstrom 
Wicklungsanzahl
Nennstrom [1]2000 mA
Gleichstromwiderstand [1]0.15 Ω
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
WE-SL5 Stromkompensierter SMT Line Filter, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge10 mm
Breite8.7 mm
Höhe6.5 mm
Nennstrom2800 mA
VersionSMT 
Impedanz @ 100 MHz800 Ω
Maximale Impedanz1200 Ω
Maximale Impedanz20 MHz 
Gleichstromwiderstand0.035 Ω
WicklungstypSektional 
Wicklungsanzahl
Induktivität [1]250 µH
Nennstrom [1]2000 mA
Gleichstromwiderstand [1]0.035 Ω
Nennspannung80 V
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Prüfspannung1000 V (AC)
MontageartSMT 
Induktivität250 µH
Streuinduktivität [min.]1500 nH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform7050 
Länge7 mm
Breite6.9 mm
Höhe4.8 mm
Gleichstromwiderstand14.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz56 MHz
Performance Nennstrom8.3 A
Sättigungsstrom 12.2 A
Sättigungsstrom @ 30%6.5 A
MaterialSuperflux 
VersionSMT 
Gleichstromwiderstand0.01595 Ω
Wicklungsanzahl11.5 
Betriebstemperatur -40 °C up to +150 °C
MontageartSMT 
Induktivität4.9 µH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform2212 
Länge22.5 mm
Breite22 mm
Höhe12 mm
Gleichstromwiderstand13.2 mΩ
Eigenresonanzfrequenz6.8 MHz
Performance Nennstrom10.6 A
Sättigungsstrom 112.5 A
Sättigungsstrom @ 30%15 A
MaterialMnZn 
VersionSMT 
Gleichstromwiderstand0.01452 Ω
Wicklungsanzahl17.5 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
Induktivität33 µH
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 pF
Kapazität±5% 
Bauform0603 
Güte1000 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypNP0 Klasse I 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung50 V
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSGP MLCCs 16 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität1 µF
Kapazität±10% 
Bauform0603 
Verlustfaktor10 %
Isolationswiderstand0.1 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung16 V
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 nF
Kapazität±10% 
Bauform0603 
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand5 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung25 V
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
WE-LQS SMT-Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform5040 
Länge5 mm
Breite5 mm
Höhe4 mm
Nennstrom200 mA
Sättigungsstrom0.24 A
Gleichstromwiderstand6000 mΩ
Eigenresonanzfrequenz1.9 MHz
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
MontageartSMT 
Induktivität1000 µH
WE-LAN LAN Übertrager, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Länge17.55 mm
Breite16 mm
Höhe98.8 mm
Pad Dimension13.97 mm
VersionSMT 
Übersetzungsverhältnis1:1 
Typ4PPoE (to 900 mA) 
Induktivität [1]350 µH
Datenrate10/100/1000BASE-T 
Ports
PoE4PPoE (bis zu 1000 mA) 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Prüfspannung1500 V (AC)
MontageartSMT 
Induktivität350 µH
WE-PoE++ Power over Ethernet Plus Plus Transformer, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
BauformER19/4.8/15 
Länge21.08 mm
Breite23.37 mm
Höhe10.5 mm
VerpackungTape and Reel 
VersionForward 
Input Voltage 40 - 57 V (DC)
Ausgangsspannung 124 V
Ausgangsstrom 13 A
Hilfsspannung12 V
Übersetzungsverhältnis4:4:4:4:4 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Prüfspannung2250 V (AC)
MontageartSMT 
Induktivität100 µH