IC-Hersteller Texas Instruments
IC-Hersteller (103)
- Alle Hersteller
Analog Devices
Infineon Technologies
Microchip
Onsemi
Renesas
ROHM
STMicroelectronics
Texas Instruments
- 3peak incorporated (28)
- Ablic (23)
- Acco Semiconductor (1)
- Advanced Power (4)
- Allegro Microsystems (100)
- Alpha & Omega Semiconductor (37)
- AnalogySemi (3)
- AnDAPT Inc (204)
- Anpec (13)
- AXElite (2)
- Backward (6)
- Bright Power Semiconductor (1)
- Broadcom (46)
- Cambridge GaN Devices (18)
- Chipanalog Micro (10)
- Cologne Chips (1)
- Convenient Power (1)
- Dialog Semiconductor (12)
- Diodes Incorporated (259)
- Divimath (8)
- Elmos AG (1)
- EPC (136)
- e-Peas Semiconductors (1)
- Eta Solutions Co. Ltd. (9)
- GaN Systems (8)
- GaNPower (3)
- Giantec (1)
- Gstek Wuxi (1)
- Helix Semiconductor (7)
- IKON (1)
- Indie Semiconductor (8)
- Innovision Semiconductor Inc (2)
- Intel (68)
- Inventchip Technology (3)
- ISSI (51)
- JoulWatt (20)
- KDPOF (3)
- Kinetic Technology (8)
- Lattice semiconductor Corporation (38)
- Littelfuse (1)
- Lumissil Microsystems (8)
- M3 Technology (M3Tek) (7)
- Macnica (22)
- Marvell Semiconductor (1)
- MaxLinear (181)
- Menlo Micro (1)
- MikroE (25)
- MindCet (2)
- Monolithic Power Systems (980)
- Navitas Semiconductor Inc (6)
- NewEdge Technologies, Inc. (1)
- Nexperia (266)
- Nisshinbo Micro Device Inc. (10)
- Novosense Micro (1)
- NXP (333)
- O2 Micro International Ltd (10)
- On Bright (7)
- Panasonic (2)
- PN Junction Semiconductor (2)
- Power Integrations (117)
- Powermat (1)
- Pulsiv (19)
- Qorvo (96)
- Realsil SuRealsil(tek) Microelectronics (1)
- Richtek (297)
- Sanken Electric Co., Ltd. (16)
- Sckipio (6)
- Semtech (86)
- SG-Micro (54)
- SiFive (2)
- Silanna Semiconductor (9)
- Silergy Corporation (33)
- Silicon Laboratory Inc. (108)
- Silicontent Technology (59)
- Silvertel (59)
- Skycore Semiconductors (1)
- Skyworks (33)
- Southchip (14)
- Summit Wireless (1)
- Tagore Tech (7)
- Taiwan Semiconductor (1)
- TDK Corporation (1)
- Tempo Semiconductor (1)
- Torex (37)
- Toshiba (25)
- Transphorm (21)
- TransSIP (2)
- Union (21)
- uPI Semiconductor (2)
- Valens Semiconductor (31)
- Wise Integration (3)
- Wolfspeed (23)
- Xilinx (22)
- XL Semiconductor (3)
- XYSemi (62)
Texas Instruments AMC1306M05 | Demoboard TIDA-010039_Power Card
Small Reinforced Isolated Modulator With ±50mV Input and CMOS Interface
Details
| Topologie | Sonstige Topologie |
| Eingangsspannung | 380-400 V |
| Ausgang 1 | 800 V / 12.5 A |
| IC-Revision | E3 |
Beschreibung
This reference design provides an overview on how to implement a three-level, three-phase, SiC-based AC/DC converter with bi-directional functionality. A high switching frequency of 50 kHz reduces the size of magnetics for the filter design and as a result a higher power density. SiC MOSFETs with switching loss enable higher DC bus voltages of up to 800V and lower switching losses with a peak efficiency of >97%. This design is configurable to work as a two-level or three-level rectifier.
Eigenschaften
- Rated nominal input of 380 - 400VAC peak, with DC output of 800V
- Maximum 10-kW, 10-kVA output power at 400-VAC 50- or 60-Hz grid connection
- High-voltage (1200-V) SiC MOSFET-based fullbridge AC/DC converter for peak efficiency of >97%
- Compact filter by switching rectifier at 50 kHz
- Isolated driver ISO5852S with reinforced isolation for driving high-voltage SiC MOSFET and UCC5320S for driving middle Si IGBT
- Isolated current sensing using AMC1301 for load current monitoring
- TMS320F28379D control card for digital control
Typische Anwendungen
- DC Charging (Pile) Station, EV Charging Station Power Module, Energy Storage Power Conversion System (PCS), Three Phase UPS
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | λDom typ.(nm) | Farbe | λPeak typ.(nm) | IV typ.(mcd) | VF typ.(V) | Chiptechnologie | 2θ50% typ.(°) | C | VR(V (DC)) | dV/dt(V/µs) | DF @ 1 kHz(%) | RISO | Raster(mm) | L(mm) | Verpackung | L(µH) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | IR,40K(A) | IRP,40K(A) | fres(MHz) | Bauform | Version | Vin | VOut1(V (DC)) | IOut1(A) | Isolierungstyp | fswitch(kHz) | ∫Udt(Vµs) | NPRI : NSEC | VT(V (RMS)) | Montageart | Endurance(h) | IRIPPLE(mA) | ILeak(µA) | DF(%) | Ø D(mm) | Z(mΩ) | RESR(Ω) | G(mm) | Arbeitsspannung(V (AC)) | Betriebstemperatur | B(mm) | H(mm) | IR 1(mA) | Ti | Tl(mm) | Pins | Z @ 100 MHz(Ω) | Zmax(Ω) | Testbedingung Zmax | IR 2(mA) | RDC max.(Ω) | Typ | IR(mA) | Z @ 1 GHz(Ω) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | WL-SMCD SMT Mono-color Chip LED Diffused, 573 nm, Hellgrün | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWL-SMCD SMT Mono-color Chip LED Diffused | dominante Wellenlänge [typ.]573 nm | FarbeHellgrün | Spitzen-Wellenlänge [typ.]575 nm | Lichtstärke [typ.]60 mcd | Durchlassspannung [typ.]2 V | ChiptechnologieAlInGaP | Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 ° | – | – | – | – | – | – | Länge1.6 mm | VerpackungTape and Reel | – | – | – | – | – | – | Bauform0603 | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | Breite0.8 mm | Höhe0.4 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | ||||
 | WE-CBF SMT-Ferrit, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge1.6 mm | – | – | – | – | – | – | – | Bauform0603 | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | MontageartSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | Breite0.8 mm | Höhe0.8 mm | Nennstrom [1]600 mA | – | – | – | Impedanz @ 100 MHz1000 Ω | Maximale Impedanz1050 Ω | Maximale Impedanz120 MHz | Nennstrom 2830 mA | Gleichstromwiderstand0.3 Ω | TypBreitband | Nennstrom600 mA | Impedanz @ 1 GHz186 Ω | ||||
 | WE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge1.6 mm | – | – | – | – | – | – | – | Bauform0603 | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | MontageartSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | Breite0.8 mm | Höhe0.8 mm | – | – | – | – | Impedanz @ 100 MHz26 Ω | Maximale Impedanz39 Ω | Maximale Impedanz515 MHz | Nennstrom 26500 mA | Gleichstromwiderstand0.008 Ω | TypHochstrom | Nennstrom6500 mA | Impedanz @ 1 GHz33 Ω | ||||
| WE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge3.2 mm | – | – | – | – | – | – | – | Bauform1206 | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | MontageartSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C | Breite1.6 mm | Höhe1.1 mm | – | – | – | – | Impedanz @ 100 MHz110 Ω | Maximale Impedanz118 Ω | Maximale Impedanz150 MHz | Nennstrom 25400 mA | Gleichstromwiderstand0.015 Ω | TypHochstrom | Nennstrom5400 mA | Impedanz @ 1 GHz44 Ω | ||||
 | WE-PD Speicherdrossel, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD Speicherdrossel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge12 mm | – | Induktivität22 µH | Sättigungsstrom 16.5 A | Sättigungsstrom @ 30%8 A | Nennstrom5.3 A | Performance Nennstrom7 A | Eigenresonanzfrequenz10 MHz | Bauform1210 | VersionGestanzt | – | – | – | – | – | – | – | – | MontageartSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | Breite12 mm | Höhe10 mm | – | – | – | Pins2 | – | – | – | – | Gleichstromwiderstand0.028 Ω | – | Nennstrom5300 mA | – | ||||
 | WCAP-ATLI Aluminium-Elektrolytkondensatoren, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-ATLI Aluminium-Elektrolytkondensatoren | – | – | – | – | – | – | – | Kapazität220 µF | Nennspannung50 V (DC) | – | – | – | Raster5 mm | Länge16 mm | VerpackungAmmopack | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Endurance 5000 | Rippelstrom1385 mA | Leckstrom110 µA | Verlustfaktor8 % | Durchmesser10 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | ||||
 | WCAP-ASLL Aluminium-Elektrolytkondensatoren, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-ASLL Aluminium-Elektrolytkondensatoren | – | – | – | – | – | – | – | Kapazität100 µF | Nennspannung50 V (DC) | – | – | Isolationswiderstand1 MΩ | – | Länge10.5 mm | Verpackung15" Tape & Reel | – | – | – | – | – | – | Bauform8.0 x 10.5 | VersionSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | MontageartV-Chip SMT | Endurance 5000 | Rippelstrom350 mA | Leckstrom50 µA | Verlustfaktor12 % | Durchmesser8 mm | Impedanz340 mΩ | ESR (Serienersatzwiderstand)0.227529 Ω | – | – | Betriebstemperatur -55 °C up to +105 °C | Breite8.3 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | ||||
 | WCAP-PSLP Aluminium-Polymer-Kondensatoren, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-PSLP Aluminium-Polymer-Kondensatoren | – | – | – | – | – | – | – | Kapazität33 µF | Nennspannung20 V (DC) | – | – | – | Raster6.6 mm | Länge5.8 mm | Verpackung15" Tape & Reel | – | – | – | – | – | – | Bauform6.3 x 5.8 | – | – | – | – | – | – | – | – | – | MontageartV-Chip SMT | Endurance 2000 | Rippelstrom2200 mA | Leckstrom600 µA | Verlustfaktor8 % | Durchmesser6.3 mm | – | ESR (Serienersatzwiderstand)0.035 Ω | – | – | Betriebstemperatur -55 °C up to +105 °C | Breite6.6 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | ||||
 | WE-PPTI Push-Pull Transformers, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PPTI Push-Pull Transformers | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge9.14 mm | VerpackungTape and Reel | Induktivität340 µH | – | – | – | – | – | Bauform1209 | VersionPush-Pull | Input Voltage 5 V (DC) | Ausgangsspannung 15 V (DC) | Ausgangsstrom 10.65 A | IsolierungstypVerstärkt | Switching Frequency 300 - 620 | Spannung-µSekunde10 Vµs | Übersetzungsverhältnis1:1.3 | Prüfspannung5000 V (RMS) | MontageartSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | Breite12.7 mm | Höhe7.62 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | |||
 | WR-PHD Stiftleisten - Einreihig, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWR-PHD Stiftleisten - Einreihig | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Isolationswiderstand1000 MΩ | Raster2.54 mm | Länge5.08 mm | VerpackungBeutel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | MontageartTHT | – | – | – | – | – | – | – | – | Arbeitsspannung250 V (AC) | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | – | – | – | – | – | Pins2 | – | – | – | – | – | TypGerade | Nennstrom3000 mA | – | |||
 | WP-THRBU REDCUBE THR with internal through-hole thread, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | VerpackungTape and Reel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | MontageartTHR | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Betriebstemperatur -55 °C up to +150 °C | Breite7 mm | Höhe3 mm | – | InnengewindeM3 | Gewindelänge2.5 mm | Pins4 | – | – | – | – | – | – | Nennstrom50000 mA | – | ||||
 | WCAP-FTBP Folienkondensatoren, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-FTBP Folienkondensatoren | – | – | – | – | – | – | – | Kapazität150 nF | Nennspannung630 V (DC) | Spannungsanstiegsgeschwindigkeit200 V/µs | Verlustfaktor0.1 % | Isolationswiderstand30 GΩ | Raster15 mm | Länge18 mm | VerpackungKarton | – | – | – | – | – | – | BauformRaster 15 mm | VersionTHT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | ESR (Serienersatzwiderstand)0.06122 Ω | Pin Länge4 mm | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | Breite7 mm | Höhe13 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | ||||
 | 750343811 | Inductor, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Produktserie Inductor | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge42 mm | VerpackungTray | Induktivität9.5 µH | – | – | – | – | – | BauformToroid | – | – | – | – | – | – | – | – | – | MontageartTHT | – | – | – | – | – | – | – | Pin Länge4 mm | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | Breite27 mm | Höhe42 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | ||
 | 750343810 | Inductor, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Produktserie Inductor | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge67.5 mm | VerpackungTray | Induktivität340 µH | – | – | – | – | – | BauformToroid | – | – | – | – | – | – | – | – | – | MontageartTHT | – | – | – | – | – | – | – | Pin Länge4 mm | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | Breite67.5 mm | Höhe39.88 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – |