WE-PD Speicherdrossel

Geschirmt

Bauform Maße L
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
Montageart
1280
12 12 8 SMT
1210
12 12 10 SMT

Merkmale

  • Sehr niedriger RDC und RAC
  • Kernmaterial: NiZn
  • Betriebstemperatur: -40 °C bis +125 °C
  • AEC-Q 200 qualifiziert
  • Automotive approved

Anwendung

  • Klimaanlagen, Klimageräte, Lüftung, Lüftersteuerung
  • Treiber für kleine Motoren und Wischersteuerungssysteme
  • Infotainment
  • Schaltregler und DC/DC-Wandler mit extrem hohem Wirkungsgrad (>95%)

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1280
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Simu­lation
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L (µH)
ISAT,10% (A)
ISAT,30% (A)
IR,40K (A)
IRP,40K (A)
RDC max. (mΩ)
fres (MHz)
Bauform
Version
Design Kit
Muster
74477009
0.47 µH, 34 A, 44 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.47 µH
Sättigungsstrom 1 34 A
Sättigungsstrom @ 30% 44 A
Nennstrom 23.5 A
Performance Nennstrom 27 A
Gleichstromwiderstand 3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 120 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
74477008
0.75 µH, 27 A, 35 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.75 µH
Sättigungsstrom 1 27 A
Sättigungsstrom @ 30% 35 A
Nennstrom 17 A
Performance Nennstrom 19.5 A
Gleichstromwiderstand 5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 110 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709001
1 µH, 25 A, 31 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Sättigungsstrom 1 25 A
Sättigungsstrom @ 30% 31 A
Nennstrom 13 A
Performance Nennstrom 18.7 A
Gleichstromwiderstand 6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 120 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
74477001
1.2 µH, 21 A, 27 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 µH
Sättigungsstrom 1 21 A
Sättigungsstrom @ 30% 27 A
Nennstrom 13.5 A
Performance Nennstrom 16.2 A
Gleichstromwiderstand 7 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 45 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
744770015
1.5 µH, 19 A, 24.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Sättigungsstrom 1 19 A
Sättigungsstrom @ 30% 24.5 A
Nennstrom 16.5 A
Performance Nennstrom 19 A
Gleichstromwiderstand 5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 42 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709002
2.2 µH, 20 A, 25 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Sättigungsstrom 1 20 A
Sättigungsstrom @ 30% 25 A
Nennstrom 11.5 A
Performance Nennstrom 16.3 A
Gleichstromwiderstand 6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 65 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
74477002
2.4 µH, 15 A, 19.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.4 µH
Sättigungsstrom 1 15 A
Sättigungsstrom @ 30% 19.5 A
Nennstrom 11.5 A
Performance Nennstrom 13.5 A
Gleichstromwiderstand 9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 41 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
74477003
3.5 µH, 12.5 A, 16.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.5 µH
Sättigungsstrom 1 12.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 16.2 A
Nennstrom 10.2 A
Performance Nennstrom 12 A
Gleichstromwiderstand 11 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 37.5 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709003
3.5 µH, 16.5 A, 20.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.5 µH
Sättigungsstrom 1 16.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 20.3 A
Nennstrom 11 A
Performance Nennstrom 14.7 A
Gleichstromwiderstand 9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 45 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
74477004
4.7 µH, 11 A, 14.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Sättigungsstrom 1 11 A
Sättigungsstrom @ 30% 14.3 A
Nennstrom 9.5 A
Performance Nennstrom 11 A
Gleichstromwiderstand 12 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 31.2 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709004
4.7 µH, 13 A, 16 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Sättigungsstrom 1 13 A
Sättigungsstrom @ 30% 16 A
Nennstrom 9.3 A
Performance Nennstrom 13.1 A
Gleichstromwiderstand 11 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 38 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
74477005
5.6 µH, 10 A, 13 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.6 µH
Sättigungsstrom 1 10 A
Sättigungsstrom @ 30% 13 A
Nennstrom 8.7 A
Performance Nennstrom 10 A
Gleichstromwiderstand 13.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 24 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
74477006
6.1 µH, 9.5 A, 12.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.1 µH
Sättigungsstrom 1 9.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 12.2 A
Nennstrom 8.5 A
Performance Nennstrom 9.5 A
Gleichstromwiderstand 14 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 25 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709006
6.8 µH, 12.8 A, 15.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Sättigungsstrom 1 12.8 A
Sättigungsstrom @ 30% 15.7 A
Nennstrom 8.4 A
Performance Nennstrom 11.7 A
Gleichstromwiderstand 14 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 23 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
74477007
7.6 µH, 8.5 A, 11 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 7.6 µH
Sättigungsstrom 1 8.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 11 A
Nennstrom 8.4 A
Performance Nennstrom 9.3 A
Gleichstromwiderstand 15 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 21.3 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
74477010
10 µH, 7.5 A, 9.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Sättigungsstrom 1 7.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 9.7 A
Nennstrom 7 A
Performance Nennstrom 8.2 A
Gleichstromwiderstand 20 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 18 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709100
10 µH, 10.5 A, 13 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Sättigungsstrom 1 10.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 13 A
Nennstrom 7.1 A
Performance Nennstrom 9.5 A
Gleichstromwiderstand 21 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 21 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
744770112
12 µH, 6.5 A, 8.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12 µH
Sättigungsstrom 1 6.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 8.4 A
Nennstrom 6.2 A
Performance Nennstrom 7.8 A
Gleichstromwiderstand 21 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 16 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
744770115
15 µH, 6 A, 7.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Sättigungsstrom 1 6 A
Sättigungsstrom @ 30% 7.8 A
Nennstrom 5.8 A
Performance Nennstrom 7.4 A
Gleichstromwiderstand 23 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 14.5 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709150
15 µH, 8 A, 9.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Sättigungsstrom 1 8 A
Sättigungsstrom @ 30% 9.8 A
Nennstrom 6.5 A
Performance Nennstrom 7.4 A
Gleichstromwiderstand 26 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 17 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
744770118
18 µH, 5.4 A, 7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18 µH
Sättigungsstrom 1 5.4 A
Sättigungsstrom @ 30% 7 A
Nennstrom 5 A
Performance Nennstrom 6.3 A
Gleichstromwiderstand 32 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 13.2 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
744770122
22 µH, 5 A, 6.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Sättigungsstrom 1 5 A
Sättigungsstrom @ 30% 6.5 A
Nennstrom 4.6 A
Performance Nennstrom 5.8 A
Gleichstromwiderstand 35 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 12 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709220
22 µH, 6.5 A, 8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Sättigungsstrom 1 6.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 8 A
Nennstrom 5.3 A
Performance Nennstrom 7 A
Gleichstromwiderstand 28 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 10 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
744770127
27 µH, 4.3 A, 5.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 27 µH
Sättigungsstrom 1 4.3 A
Sättigungsstrom @ 30% 5.6 A
Nennstrom 4.2 A
Performance Nennstrom 5.6 A
Gleichstromwiderstand 38 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 10 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709270
27 µH, 5.8 A, 7.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 27 µH
Sättigungsstrom 1 5.8 A
Sättigungsstrom @ 30% 7.1 A
Nennstrom 4.6 A
Performance Nennstrom 6.1 A
Gleichstromwiderstand 40 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 8 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
744770133
33 µH, 3.9 A, 5.05 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Sättigungsstrom 1 3.9 A
Sättigungsstrom @ 30% 5.05 A
Nennstrom 3.6 A
Performance Nennstrom 4.7 A
Gleichstromwiderstand 53 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 8.5 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709330
33 µH, 5.5 A, 6.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Sättigungsstrom 1 5.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 6.8 A
Nennstrom 4.2 A
Performance Nennstrom 5.5 A
Gleichstromwiderstand 45 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 8.5 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
744770139
39 µH, 3.6 A, 4.65 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 39 µH
Sättigungsstrom 1 3.6 A
Sättigungsstrom @ 30% 4.65 A
Nennstrom 3.3 A
Performance Nennstrom 4.5 A
Gleichstromwiderstand 56 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 8.2 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709390
39 µH, 5 A, 6.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 39 µH
Sättigungsstrom 1 5 A
Sättigungsstrom @ 30% 6.2 A
Nennstrom 4.1 A
Performance Nennstrom 5 A
Gleichstromwiderstand 56 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 6 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
744770147
47 µH, 3.3 A, 4.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Sättigungsstrom 1 3.3 A
Sättigungsstrom @ 30% 4.3 A
Nennstrom 3 A
Performance Nennstrom 4.25 A
Gleichstromwiderstand 64 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 7.9 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709470
47 µH, 4.5 A, 5.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Sättigungsstrom 1 4.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 5.5 A
Nennstrom 3.8 A
Performance Nennstrom 4.9 A
Gleichstromwiderstand 60 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 6.5 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
744770156
56 µH, 3 A, 3.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 56 µH
Sättigungsstrom 1 3 A
Sättigungsstrom @ 30% 3.9 A
Nennstrom 2.8 A
Performance Nennstrom 4 A
Gleichstromwiderstand 71 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 7.1 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
744770168
68 µH, 2.7 A, 3.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 68 µH
Sättigungsstrom 1 2.7 A
Sättigungsstrom @ 30% 3.5 A
Nennstrom 2.5 A
Performance Nennstrom 3.5 A
Gleichstromwiderstand 90 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 6.4 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709680
68 µH, 3.6 A, 4.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 68 µH
Sättigungsstrom 1 3.6 A
Sättigungsstrom @ 30% 4.4 A
Nennstrom 3.2 A
Performance Nennstrom 3.9 A
Gleichstromwiderstand 89 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 5.5 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
744770182
82 µH, 2.5 A, 3.25 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 82 µH
Sättigungsstrom 1 2.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 3.25 A
Nennstrom 2.3 A
Performance Nennstrom 3.3 A
Gleichstromwiderstand 105 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 3.5 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709820
82 µH, 3.4 A, 4.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 82 µH
Sättigungsstrom 1 3.4 A
Sättigungsstrom @ 30% 4.2 A
Nennstrom 2.75 A
Performance Nennstrom 3.35 A
Gleichstromwiderstand 105 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 4.5 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
74477020
100 µH, 2.4 A, 3.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Sättigungsstrom 1 2.4 A
Sättigungsstrom @ 30% 3.1 A
Nennstrom 2.2 A
Performance Nennstrom 2.85 A
Gleichstromwiderstand 140 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 5.2 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709101
100 µH, 3.1 A, 3.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Sättigungsstrom 1 3.1 A
Sättigungsstrom @ 30% 3.8 A
Nennstrom 2.5 A
Performance Nennstrom 3.2 A
Gleichstromwiderstand 110 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 4.3 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
744770215
150 µH, 1.8 A, 2.35 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 150 µH
Sättigungsstrom 1 1.8 A
Sättigungsstrom @ 30% 2.35 A
Nennstrom 1.8 A
Performance Nennstrom 2.55 A
Gleichstromwiderstand 175 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 3 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709151
150 µH, 2.7 A, 3.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 150 µH
Sättigungsstrom 1 2.7 A
Sättigungsstrom @ 30% 3.3 A
Nennstrom 2.1 A
Performance Nennstrom 2.6 A
Gleichstromwiderstand 200 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 3.5 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
744770218
180 µH, 1.7 A, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 180 µH
Sättigungsstrom 1 1.7 A
Sättigungsstrom @ 30% 2.2 A
Nennstrom 1.6 A
Performance Nennstrom 2.25 A
Gleichstromwiderstand 220 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 4.2 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
744770222
220 µH, 1.5 A, 1.95 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 µH
Sättigungsstrom 1 1.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 1.95 A
Nennstrom 1.4 A
Performance Nennstrom 2 A
Gleichstromwiderstand 275 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 3.8 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709221
220 µH, 2.2 A, 2.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 µH
Sättigungsstrom 1 2.2 A
Sättigungsstrom @ 30% 2.7 A
Nennstrom 1.8 A
Performance Nennstrom 2.25 A
Gleichstromwiderstand 300 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 2.7 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709271
270 µH, 2.1 A, 2.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 270 µH
Sättigungsstrom 1 2.1 A
Sättigungsstrom @ 30% 2.6 A
Nennstrom 1.6 A
Performance Nennstrom 2 A
Gleichstromwiderstand 330 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 2.5 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
744770233
330 µH, 1.2 A, 1.55 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 330 µH
Sättigungsstrom 1 1.2 A
Sättigungsstrom @ 30% 1.55 A
Nennstrom 1.1 A
Performance Nennstrom 1.65 A
Gleichstromwiderstand 410 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 3 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709331
330 µH, 1.7 A, 2.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 330 µH
Sättigungsstrom 1 1.7 A
Sättigungsstrom @ 30% 2.1 A
Nennstrom 1.5 A
Performance Nennstrom 1.6 A
Gleichstromwiderstand 430 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 2 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
744770247
470 µH, 1.05 A, 1.35 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Sättigungsstrom 1 1.05 A
Sättigungsstrom @ 30% 1.35 A
Nennstrom 0.98 A
Performance Nennstrom 1.45 A
Gleichstromwiderstand 540 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 2.6 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709471
470 µH, 1.5 A, 1.85 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Sättigungsstrom 1 1.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 1.85 A
Nennstrom 1.4 A
Performance Nennstrom 1.45 A
Gleichstromwiderstand 560 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 1.8 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
744770256
560 µH, 0.95 A, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 560 µH
Sättigungsstrom 1 0.95 A
Sättigungsstrom @ 30% 1.2 A
Nennstrom 0.87 A
Performance Nennstrom 1.25 A
Gleichstromwiderstand 680 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 2.5 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
744770268
680 µH, 0.85 A, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 680 µH
Sättigungsstrom 1 0.85 A
Sättigungsstrom @ 30% 1.1 A
Nennstrom 0.75 A
Performance Nennstrom 1.1 A
Gleichstromwiderstand 930 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 2.2 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709681
680 µH, 1.3 A, 1.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 680 µH
Sättigungsstrom 1 1.3 A
Sättigungsstrom @ 30% 1.6 A
Nennstrom 1.1 A
Performance Nennstrom 1.2 A
Gleichstromwiderstand 825 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 1.5 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
744770282
820 µH, 0.8 A, 1.04 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 820 µH
Sättigungsstrom 1 0.8 A
Sättigungsstrom @ 30% 1.04 A
Nennstrom 0.7 A
Performance Nennstrom 1.05 A
Gleichstromwiderstand 1050 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 2 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709821
820 µH, 1.1 A, 1.35 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 820 µH
Sättigungsstrom 1 1.1 A
Sättigungsstrom @ 30% 1.35 A
Nennstrom 0.95 A
Performance Nennstrom 1.05 A
Gleichstromwiderstand 1000 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 1.2 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
74477030
1000 µH, 0.7 A, 0.91 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1000 µH
Sättigungsstrom 1 0.7 A
Sättigungsstrom @ 30% 0.91 A
Nennstrom 0.65 A
Performance Nennstrom 0.98 A
Gleichstromwiderstand 1180 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 1.8 MHz
Bauform 1280 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709102
1000 µH, 1 A, 1.25 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1000 µH
Sättigungsstrom 1 1 A
Sättigungsstrom @ 30% 1.25 A
Nennstrom 0.9 A
Performance Nennstrom 1 A
Gleichstromwiderstand 1200 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 1 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709152
1500 µH, 0.8 A, 1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1500 µH
Sättigungsstrom 1 0.8 A
Sättigungsstrom @ 30% 1 A
Nennstrom 0.8 A
Performance Nennstrom 0.71 A
Gleichstromwiderstand 2300 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 0.9 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit
7447709222
2200 µH, 0.75 A, 0.92 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2200 µH
Sättigungsstrom 1 0.75 A
Sättigungsstrom @ 30% 0.92 A
Nennstrom 0.53 A
Performance Nennstrom 0.53 A
Gleichstromwiderstand 3750 mΩ
Eigenresonanzfrequenz 0.66 MHz
Bauform 1210 
Version Gestanzt 
Design Kit

Sortimente

Artikel dieser Produktserie finden Sie in den folgenden Sortimenten:

Bemerkungen

  • The ambient temperature when operating the WE-PD series of storage chokes at full current rating load should generally range from –40 °C to +85 °C.
  • >
  • The self-heating of the component must be taken into account at higher ambient temperatures in order that the permissible solder joint temperature is not exceeded or the wire insulation damaged.
  • >
  • The wire used can withstand a temperature of up to +150 °C.
  • >
  • The ferrite core itself may be used over a far greater temperature range (approx. –50 °C to +250 °C (curie temperature))
  • >
  • However, in this case, the tolerance limits of the inductor may be exceeded due to the temperature dependence of permeability.
  • >

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