| Topologie | Sonstige Topologie |
| Schaltfrequenz | 60-115 kHz |
| IC-Revision | 2 |
The device is an off-line converter with an 800 V avalanche ruggedness power section, a PWM controller, user defined overcurrent limit, protection against feedback network disconnection, hysteretic thermal protection, soft start up and safe auto restart after any fault condition.
Advance frequency jittering reduces EMI filter cost. Burst mode operation and the devices very low consumption both help to meet the standard set by energy saving regulations.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | ISAT(A) | fres(MHz) | Version | IRP,40K(A) | Bauform | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | IR,40K(A) | Vin | VOut1(V) | IOut1(mA) | VOut2(V) | IOut2(mA) | Vaux(V) | fswitch(kHz) | NPRI : NSEC : NAUX | IR(A) | L(µH) | RDC max.(mΩ) | VR(V (AC)) | VT(V (AC)) | Material | L(mm) | B(mm) | H(mm) | Montageart | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 0.45 A, 2.3 MHz | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Sättigungsstrom0.45 A | Eigenresonanzfrequenz2.3 MHz | VersionPerformance | – | Bauform1030 | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Nennstrom0.3 A | Induktivität1000 µH | Gleichstromwiderstand4600 mΩ | – | – | – | Länge10 mm | Breite10 mm | Höhe3 mm | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 0.65 A, 3.4 MHz | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Sättigungsstrom0.65 A | Eigenresonanzfrequenz3.4 MHz | VersionPerformance | – | Bauform1030 | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Nennstrom0.42 A | Induktivität470 µH | Gleichstromwiderstand2200 mΩ | – | – | – | Länge10 mm | Breite10 mm | Höhe3 mm | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 0.8 A, 8 MHz | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-SPC SMT-Speicherdrossel | Sättigungsstrom0.8 A | Eigenresonanzfrequenz8 MHz | VersionSMT | – | Bauform4838 | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Nennstrom0.58 A | Induktivität82 µH | Gleichstromwiderstand750 mΩ | – | – | – | Länge4.8 mm | Breite4.8 mm | Höhe3.8 mm | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-OLSTM Offline Flyback Transformers, 0.82 A, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-OLSTM Offline Flyback Transformers | Sättigungsstrom0.82 A | – | – | – | BauformEE16/7/5 | – | – | – | Input Voltage 85 - 265 V (AC) | Ausgangsspannung 115 V | Ausgangsstrom 1700 mA | Ausgangsspannung 26 V | Ausgangsstrom 2100 mA | Hilfsspannung12 V | Switching Frequency 115 | Übersetzungsverhältnis11.9:1.33:1:2.11 | – | Induktivität900 µH | – | – | Prüfspannung1500 V (AC) | – | Länge18.5 mm | Breite16.5 mm | Höhe18.8 mm | MontageartTHT | ||||
![]() | WE-PD4 SMT-Speicherdrossel, 1.5 A, 37 MHz | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD4 SMT-Speicherdrossel | Sättigungsstrom1.5 A | Eigenresonanzfrequenz37 MHz | – | – | BauformS | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Nennstrom1.5 A | Induktivität4.7 µH | Gleichstromwiderstand90 mΩ | – | – | – | Länge6.6 mm | Breite4.45 mm | Höhe2.92 mm | MontageartSMT | |||
![]() | WE-CMB Stromkompensierte Netzdrossel, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-CMB Stromkompensierte Netzdrossel | – | – | VersionTHT | – | BauformXS | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Nennstrom0.7 A | Induktivität10000 µH | Gleichstromwiderstand350 mΩ | Nennspannung250 V (AC) | Prüfspannung1500 V (AC) | MaterialMnZn | Länge15 mm | Breite7.5 mm | Höhe18 mm | MontageartTHT | ||||
![]() | WE-FI Funkentstördrossel, –, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-FI Funkentstördrossel | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | Nennstrom1.6 A | Induktivität470 µH | Gleichstromwiderstand225 mΩ | – | – | – | Länge18.5 mm | Breite11.6 mm | – | MontageartTHT | |||
![]() | WE-PD Speicherdrossel, –, 1.8 MHz | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD Speicherdrossel | – | Eigenresonanzfrequenz1.8 MHz | VersionGestanzt | Performance Nennstrom1.45 A | Bauform1210 | Sättigungsstrom 11.5 A | Sättigungsstrom @ 30%1.85 A | Nennstrom1.4 A | – | – | – | – | – | – | – | – | Nennstrom1.4 A | Induktivität470 µH | Gleichstromwiderstand560 mΩ | – | – | – | Länge12 mm | Breite12 mm | Höhe10 mm | MontageartSMT |